材料的分析与表征教学文案.ppt

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1、材料的分析与表征材料的分析与表征MaterialsCharacterization例一、热氧化法制备WO2.9纳米棒棒的集体形貌（SEM）、晶体结构（XRD）、棒的取向（XRD－织构）、单根棒的结构、尺寸、生长方向（TEM、SAD、HRTEM）棒的化学成分（TEM－EDS）棒的键合状态，光学特性（Raman，吸收光谱、发射光谱）例一、热氧化法制备WO2.9纳米棒利用SEM知道了棒的集体形貌、大体尺寸、取向特性等。例一、热氧化法制备WO2.9纳米棒利用X－光衍射和织构分析获取了纳米棒的晶体结构以及取向分布等信息。注：在得到晶体结构信息时利用的是粉末衍射，而非织构衍射

2、。例一、热氧化法制备WO2.9纳米棒利用TEM、SAD、HRTEM、EDS等分析可以获取单根纳米棒的结构、直径、化学成分、生长方向等信息。注：EDS谱没有给出。例一、热氧化法制备WO2.9纳米棒Raman光谱和光致发光谱给出了化学键合和光学性能信息。例一、热氧化法制备WO2.9纳米棒X－光衍射给出了纳米棒的结构与反应参数之间的相关性。例一、热氧化法制备WO2.9纳米棒SEM分析给出了表面形貌与基片表面特性的关系。材料的分析与表征MaterialsCharacterization例二、氧化法制备MoO3纳米结构利用Raman、XRD光谱判断纳米结构的结构；利用SEM

3、、TEM、SAD、EDS、HRTEM判断材料的结构、尺寸、成分等利用光致发光谱测量材料的发光性能；利用光吸收谱测定材料的光学带隙等。例二、氧化法制备MoO3纳米结构如何利用Raman和XRD判断各种纳米结构的晶体结构呢？例二、氧化法制备MoO3纳米结构材料的分析与表征MaterialsCharacterization例三、PLD法制备VO2外延薄膜XRD研究结构、织构和与基片间的取向关系；RBS和C－RBS研究薄膜的晶体性以及成分、厚度等例三、PLD法制备VO2外延薄膜XRD织构测量和比较表明VO2薄膜与基片间有着良好的取向关系。例三、PLD法制备VO2外延薄膜R

4、BS和C－RBSAnalysis表明VO2薄膜是结构良好的单晶体。例三、PLD法制备VO2外延薄膜RBS和C－RBSAnalysis表明VO2薄膜是结构良好的单晶体。还可以研究搀杂以及扩散等行为。材料的分析与表征MaterialsCharacterization例四、离子注入合成SiC外延埋层埋层的结构和取向：XRD、Raman、FTIR、XRD－织构分析埋层与基片的取向关系：XRD－织构分析埋层的化学成分及其沿着深度的分布：RBS、AES等埋层的电学性能、光学性能：T－R曲线、光吸收谱等埋层的厚度：RBS、离子束透射分析。例四、离子注入合成SiC外延埋层需要解决

5、的分析和表征问题：1、埋层是否是立方SiC？2、如果是，则埋层与基片的取向关系如何？3、埋层的成分分布如何？4、埋层的一些性能如何？利用多能量离子注入的方法，可以将SiC埋层的外延生长温度从850度降低到400度左右；还可以将埋层的成分分布大大优化。Si(111)或者Si(001)CarbonionsE1E2E3例四、离子注入合成SiC外延埋层由X－光衍射分析和FT－IR分析知道：形成的埋层是立方SiC。X－光衍射同时暗示：SiC埋层具有良好的（111）织构。由于SiC和Si都是立方结构。因此，SiC埋层和Si基片可能有取向关系。例四、离子注入合成SiC外延埋层织

6、构分析说明，SiC埋层和Si基片有很强的取向关系：SiC(111)//Si(111)[110]SiC//[110]Si例四、离子注入合成SiC外延埋层对比两个织构图，发现：SiC(311)比Si（311）多了3个点（标为A）。将衍射位置分别转到A点（异常位置）和B点（正常位置），然后作扫描，得到如下衍射峰。经过分析，知道分别为Si(400)和SiC(311)的衍射。为什么？例四、离子注入合成SiC外延埋层利用离子束透射能量损失谱，可以判断出埋层的厚度约为3550埃；利用RBS和RBS沟道技术可以给出埋层的成分分布以及晶体性；利用离子束溅射配合AES可以得到成分分布

7、随着深度的变化。例四、离子注入合成SiC外延埋层通过测量埋层的电阻－温度特性，可以对埋层的电学性能有了解；通过测量埋层对光（紫外－可见范围内）的吸收谱的测量，可以得到埋层的光学带隙等信息。？？？如何测量埋层的上述信息？材料研究需要各种分析表征手段，要求我们掌握它们的原理并在实践中加以灵活运用。TakeABreak此课件下载可自行编辑修改，仅供参考！感谢您的支持，我们努力做得更好！谢谢