微波辅助化学气相沉积法合成硅纳米线ppt课件.ppt

微波辅助化学气相沉积法合成硅纳米线ppt课件.ppt

ID:59471123

大小:1.13 MB

页数:25页

时间:2020-09-14

微波辅助化学气相沉积法合成硅纳米线ppt课件.ppt_第1页
微波辅助化学气相沉积法合成硅纳米线ppt课件.ppt_第2页
微波辅助化学气相沉积法合成硅纳米线ppt课件.ppt_第3页
微波辅助化学气相沉积法合成硅纳米线ppt课件.ppt_第4页
微波辅助化学气相沉积法合成硅纳米线ppt课件.ppt_第5页
资源描述:

《微波辅助化学气相沉积法合成硅纳米线ppt课件.ppt》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在教育资源-天天文库

1、SiliconNanowiresSynthesizedviaMicrowave-AssistedChemical VaporDeposition组员:蒋振龙王美玲孙建会孙瑞瑞董思宁殷月伟第十七组主要内容IntroductionExperimentExperimentalResultsDiscussionApplicationofSiNWsIntroductionofsiliconnanowiresSiliconnanowireshaveuniqueelectronicandopticalproperties,itcanbewildlyusedinsensorandelectr

2、onicindustries.Thesynthesisofsiliconnanowiresarehigh-costorhigh-energyconditions.合成硅纳米线的几种方法激光烧蚀:海绵状的SiNWs水热法:(20nm)分子束取向附生法(MBE)金属催化化学腐蚀方法(单晶性好、轴向可控)AAO模板法热物理蒸发法SiNWsbyLaserAblationTEMimageofas-grownSiNWsbythethermalphysicalevaporation,AnewmethodtosynthesissiliconnanowiresThisisnotanewmeth

3、od.Microwavesourceshavepreviouslybeenemployedinthesynthesisofcarbonnanotubes.However,tothebestofourknowledge,applicationofamicrowavefieldhasnotbeenreportedonthegrowthofSiNWsatambientconditionspriortothiswork.ExperimentconditionAnunmodified1100  W,2.45  GHzEmersondomesticmicrowaveovenTrichlo

4、rosilane(99%)fromAldrichSubstratematerials:(i)1×4  cmITO-coatedslidesfromHartfordGlassCo.(surfaceresistivity≈15Ω/□)thatwerethinneddownto1  mmthicknessbymechanicalpolishing(substrateA).(ii)1 mmthickITO-coatedglassslidesfromAldrich(surfaceresistivity≈15Ω/□)thatwerecutintorectanglesof1×4  cm(s

5、ubstrateB).ThedifferenceoftwosubstratesSubstrateA:SubstrateB:Experimentsubstratesdegreased(acetone)Rinse(2-propanol;deionizedwater)dryDipping(SnO2colloidalsolution)withdrawndrythermaltreatment(300℃,3h)microwavereactionvialirradiated(0.5min)testSchemeofdepositionScheme1.Schemeofdeposition.HS

6、iCl3(g)+ITO(S)+µwaveradiation→Si(ads)+ITO(S)+HCl(g)+Cl2(g)Results(SEM)Fig.1.SEMimagesofstructuresobtainedondifferentregionsonaconductivesubstrate,substrateA:(a–b)heatedsubstrate(withanaveragelengthof30andaveragediameterof3)(d–f)heatedsubstrate(averagelengthof30)(g--h)unheatedsubstrateResult

7、s(SEM)Fig.2.SEMimagesofSiNWs(30–45  nmdiameter)interspersedwithSicrystallites(0.3µmdiameter)depositedonconductiveITOsurface(substrateB).Thevariouspicturesaredifferentmagnificationsofthesameregionofthesubstrate.Results(SEM)Fig.3.SEMimagesofporousSi/agglom

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。