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时间:2020-05-23
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1、抛光技术及抛光液一、抛光技术最初的半导体基片(衬底片)抛光沿用机械抛光、例如氧化镁、氧化锆抛光等,但是得到的晶片表面损伤是及其严重的。直到60年代末,一种新的抛光技术——化学机械抛光技术(CMPChemicalMechanicalPolishing)取代了旧的方法。CMP技术综合了化学和机械抛光的优势:单纯的化学抛光,抛光速率较快,表面光洁度高,损伤低,完美性好,但表面平整度和平行度差,抛光后表面一致性差;单纯的机械抛光表面一致性好,表面平整度高,但表面光洁度差,损伤层深。化学机械抛光可以获得较为完美的表面,又可以得到较高的
2、抛光速率,得到的平整度比其他方法高两个数量级,是目前能够实现全局平面化的唯一有效方法。依据机械加工原理、半导体材料工程学、物力化学多相反应多相催化理论、表面工程学、半导体化学基础理论等,对硅单晶片化学机械抛光(CMP)机理、动力学控制过程和影响因素研究标明,化学机械抛光是一个复杂的多相反应,它存在着两个动力学过程:(1)抛光首先使吸附在抛光布上的抛光液中的氧化剂、催化剂等与衬底片表面的硅原子在表面进行氧化还原的动力学过程。这是化学反应的主体。(2)抛光表面反应物脱离硅单晶表面,即解吸过程使未反应的硅单晶重新裸露出来的动力学过
3、程。它是控制抛光速率的另一个重要过程。硅片的化学机械抛光过程是以化学反应为主的机械抛光过程,要获得质量好的抛光片,必须使抛光过程中的化学腐蚀作用与机械磨削作用达到一种平衡。如果化学腐蚀作用大于机械抛光作用,则抛光片表面产生腐蚀坑、桔皮状波纹。如果机械磨削作用大于化学腐蚀作用,则表面产生高损伤层。二、蓝宝石研磨液蓝宝石研磨液(又称为蓝宝石抛光液)是用于在蓝宝石衬底的研磨和减薄的研磨液。蓝宝石研磨液由优质聚晶金刚石微粉、复合分散剂和分散介质组成。3蓝宝石研磨液利用聚晶金刚石的特性,在研磨抛光过程中保持高切削效率的同时不易对工件产
4、生划伤。可以应用在蓝宝石衬底的研磨和减薄、光学晶体、硬质玻璃和晶体、超硬陶瓷和合金、磁头、硬盘、芯片等领域的研磨和抛光。蓝宝石研磨液在蓝宝石衬底方面的应用:1.外延片生产前衬底的双面研磨:多用蓝宝石研磨液研磨一道或多道,根据最终蓝宝石衬底研磨要求用6um、3um、1um不等。2.LED芯片背面减薄为解决蓝宝石的散热问题,需要将蓝宝石衬底的厚度减薄,从450nm左右减至100nm左右。主要有两步:先在横向减薄机上,用50-70um的砂轮研磨磨去300um左右的厚度;再用抛光机(秀和、NTS、WEC等)针对不同的研磨盘(锡/铜盘
5、),采用合适的蓝宝石研磨液(水/油性)对芯片背面抛光,从150nm减至100nm[1]左右。三、蓝宝石抛光液蓝宝石抛光液是以高纯度硅粉为原料,经特殊工艺生产的一种高纯度低金属离子型抛光产品。蓝宝石抛光液主要用于蓝宝石衬底的抛光。还可广泛用于多种材料纳米级的高平坦化抛光,如:硅片、化合物晶体、精密光学器件、宝石等的抛光加工。蓝宝石抛光液的特点:1.高抛光速率,利用大粒径的胶体二氧化硅粒子达到高速抛光的目的。2.高纯度(Cu含量小于50ppb),有效减小对电子类产品的沾污。3.高平坦度加工,蓝宝石抛光液是利用SiO2的胶体粒子进
6、行抛光,不会对加工件造成物理损伤,达到高平坦化加工。蓝宝石抛光液根据pH值的不同可分为酸性抛光液和碱性抛光液。蓝宝石抛光液的型号:碱性型号(pH:9.8±0.5):SOQ-2A、SOQ-4A、SOQ-6A、SOQ-8A、SOQ-10A、SOQ-12D酸性型号(pH:2.8±0.5):ASOQ-2A、ASOQ-4A、ASOQ-6A、ASOQ-8A、ASOQ-10A、ASOQ-12D3粒径(nm):10~3030~5050~7070~9090~110110~130外观:乳白色或半透明液体比重1.15±0.05组成SiO2:15~
7、30%Na2O:≤0.3%重金属杂质:≤50ppb3
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