半导体激光器实验报告.docx

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1、实验13半导体激光器实验【实验目的】1.通过实验熟悉半导体激光器的电学特性、光学特性。2.掌握半导体激光器耦合、准直等光路的调节。3.根据半导体激光器的光学特性考察其在光电子技术方面的应用。4.掌握WGD-6光学多道分析器的使用【仪器用具】半导体激光器及可调电源、WGD-6型光学多道分析器、可旋转偏振片、旋转台、多功能光学升降台、光功率指示仪【实验原理】1、半导体激光器的基本结构半导体激光器的全称为半导体结型二极管激光器，也称激光二极管，激光二极管的英文名称为laserdiode，缩写为LD。大多数半导体激光器用的是GaAs或

2、GaAlAs材料。P-N结激光器的基本结构和基本原理如图13-1所示，P-N结通常在N型衬底上生长P型层而形成。在P区和N区都要制作欧姆接触，使激励电流能够通过，这电流使得附近的有源区内产生粒子数反转（载流子反转），还需要制成两个平行的端面起镜面作用，为形成激光模提供必需的光反馈。图13-1（a）半导体激光器结构图13-1（b）半导体激光器工作原理图2、半导体激光器的阈值条件阈值电流作为各种材料和结构参数的函数的一个表达式：这里，是内量子效率，是发射光的真空波长，n是折射率，是自发辐射线宽，e是电子电荷，D是光发射层的厚度，是

3、行波的损耗系数，L是腔长，R为功率反射系数。图13-2半导体激光器的P-I特性图13-3不同温度下半导体激光器的发光特性3、伏安特性伏安特性描述的是半导体激光器的纯电学性质，通常用V-I曲线表示。V-I曲线的变化反映了激光器结特性的优劣。与伏安特性相关联的一个参数是LD的串联电阻。对V-I曲线进行一次微商即可确定工作电流（I）处的串联电阻（dV/dI）。对LD而言总是希望存在较小的串联电阻。图13-4典型的V-I曲线和相应的dV/dI曲线3、横模特性半导体激光器的共振腔具有介质波导的结构，所以在共振腔中传播光以模的形式存在。每

4、个模都由自己的传播系数和横向电场分布，这些模就构成了半导体激光器中的横模。横模经端面出射后形成辐射场。辐射场的角分布沿平行于结面方向和垂直结面方向分别成为正横场和侧横场。辐射场的角分布和共振腔的几何尺寸密切相关，共振腔横向尺寸越小，辐射场发射角越大。由于共振腔平行于结面方向的宽带大于垂直于结面方向的厚度。所以侧横场小于正横场发射角，如图13-5所示；侧横场发射角可近似表示为：，d表示共振腔宽度。共振腔的厚度通常只有1μm左右，和波长同量级，所以正横场发射角较大，一般为30°~40°。辐射场的发射角还和共振腔长度成反比，而半导体

5、激光器共振腔一般只有几百微米，所以其远场发射角远远大于气体激光器的远场发射角。图13-5半导体激光器的远场辐射特性图13-5（c）半导体激光器的远场辐射特性4、纵模特性激光器二极管端面部分的反射的反馈导致建立单个或多个纵模特性。由于通常同时存在几个纵模，半导体激光器的典型光谱如图13-6所示，其波长接近自发辐射峰值波长，因此，为了实现单模工作须改进激光器的结构，抑制主模以外的所有其他模。图13-6半导体激光器的光谱图5、偏振特性因为半导体激光器共振腔面一般是晶体的解里面，对常用的GaAs异质结激光器的GaAs晶面对TE模的反射

6、率大于对偏振方向垂直于波导层的TM模的反射率，因此，半导体激光器输出的激光偏振度很高，一般是。【仪器介绍】半导体激光器实验装置如图13-7所示。图13-7实验装置图1、光学多道分析器：由光栅单色仪，CCD接收单元，扫描系统，电子放大器，A/D采集单元，计算机组成，如图13-7所示。WGD-6型光学多道分析器波长测量范围是300-900nm，CCD接收单元为2048个图13-8光学原理图M1：反射镜、M2：反射式准光镜、M3：物镜、M4：转镜、G：平面衍射光栅、S1：入射狭缝、P：观察窗（或出射狭缝）入射狭缝、出射狭缝均为直狭缝

7、，宽度范围0－2mm连续可调，光源发出的光束进入入射狭缝S1、S1位于反射式准光镜M2的焦面上，通过S1射入的光束经M2反射成平行光束投向平面光栅G上，衍射后的平行光束经物镜M3成像在CCD上。其中M2、M3的焦距为302.5mm；光栅G每毫米刻线600条，闪耀波长550nm。2、WGD-6软件：其工作界面主要由菜单栏、主工具栏、辅工具栏、工作区、状态栏、参数设置区以及存储器信息提示区等组成，如图13-9和图13-10所示。3、半导体激光器及可调电源：中心波长650nm，＜5mW，电流0～40mA连续可调。4、光功率指示仪:2

8、μW～200mW,6挡调节。5、光学升降台：升降范围>40mm。6、旋转台：0～360°最小刻度值1°。图13-9WGD-6软件工作界面图13-10WGD-6软件测量光谱图【实验内容与要求】1.半导体激光器的伏安特性和P-I特性打开半导体激光器LD电源，调节半导体激光器的准直