《微电子学概论》ch4集成电路制造工艺CMOS工艺ppt课件.ppt

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6、电子学概论》ch4集成电路制造工艺CMOS工艺《微电子学概论》ch4集成电路制造工艺CMOS工艺隔离工艺MOS晶体管结构:自隔离性相邻MOS管之间区域（氧化层）上有导线经过时，寄生MOS管可能开启，相邻晶体管之间的隔离被破坏器件间的泄漏电流，相互干扰甚至导致逻辑状态改变隔离不完全咨家影翅砷忿瓮反蔬别身祟鼎浚泅糖艇岗例末呸灰毁辜资诗翼尾蜗绢夕翠《微电子学概论》ch4集成电路制造工艺CMOS工艺《微电子学概论》ch4集成电路制造工艺CMOS工艺MOS集成电路隔离：如何防止寄生晶体管开启增大场氧化层厚度提高场氧下面硅层的表面掺杂浓度，提高阀值碴遭鹤相

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