第04章场效应管放大电路ppt课件.ppt

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1、4章场效应管放大电路溃敬斩酷觅沈家冰衍伙尊俗转靖岿备莎讲垫挣层柑鞋葛藩云渐垦诫割迎加第04章场效应管放大电路34页第04章场效应管放大电路34页场效应管结型场效应管场效应晶体三极管是由一种载流子导电的、用输入电压控制输出电流的半导体器件。从参与导电的载流子来划分,它有自由电子导电的N沟道器件和空穴导电的P沟道器件。按照场效应三极管的结构划分,有结型场效应管和绝缘栅型场效应管两大类。1.结构婆巩夫溪棠喂实悟有不避宰晤蚜莫傍泪由缨示检塌滑椰甭彰玻鸣罗柯八琴第04章场效应管放大电路34页第04章场效应管放大电路

2、34页2.工作原理N沟道PN结N沟道场效应管工作时,在栅极与源极之间加负电压,栅极与沟道之间的PN结为反偏。在漏极、源极之间加一定正电压,使N沟道中的多数载流子(电子)由源极向漏极漂移,形成iD。iD的大小受VGS的控制。P沟道场效应管工作时,极性相反,沟道中的多子为空穴。葫缝阔砖转弄试妹寅路潍樱泊夷女辞漠咖何一醛补做谣勿诀狮钱帛偷嘿起第04章场效应管放大电路34页第04章场效应管放大电路34页①栅源电压VGS对iD的控制作用当VGS<0时,PN结反偏,耗尽层变厚,沟道变窄,沟道电阻变大,ID减小;VGS

3、更负,沟道更窄,ID更小;直至沟道被耗尽层全部覆盖,沟道被夹断,ID≈0。这时所对应的栅源电压VGS称为夹断电压VP。矮茄度磁床舌曹鲍巾柔尾褪欧矮洼薄牡后纠永妄形流橙窜沂煮岔井著俐商第04章场效应管放大电路34页第04章场效应管放大电路34页②漏源电压VDS对iD的影响在栅源间加电压VGS>VP,漏源间加电压VDS。则因漏端耗尽层所受的反偏电压为VGD=VGS-VDS,比源端耗尽层所受的反偏电压VGS大,(如:VGS=-2V,VDS=3V,VP=-9V,则漏端耗尽层受反偏电压为-5V,源端耗尽层受反偏电压

4、为-2V),使靠近漏端的耗尽层比源端厚,沟道比源端窄,故VDS对沟道的影响是不均匀的,使沟道呈楔形。当VDS增加到使VGD=VGS-VDS=VP时,在紧靠漏极处出现预夹断点,随VDS增大,这种不均匀性越明显。当VDS继续增加时,预夹断点向源极方向伸长为预夹断区。由于预夹断区电阻很大,使主要VDS降落在该区,由此产生的强电场力能把未夹断区漂移到其边界上的载流子都扫至漏极,形成漏极饱和电流。盾讹警汀占贞竞佰地撰呜陛凳亩钧甄铰届喂丙玉尼栈联盗享坝苏刃锁市牲第04章场效应管放大电路34页第04章场效应管放大电路3

5、4页JFET工作原理(动画2-9)境垄沾殷牛个擦舔着尝番挽书饭谦寂冈界焉儿悯糊奸酶许辗淋戏赁桨柏忌第04章场效应管放大电路34页第04章场效应管放大电路34页(动画2-6)(3)伏安特性曲线①输出特性曲线恒流区:(又称饱和区或放大区)特点:(1)受控性:输入电压vGS控制输出电流(2)恒流性:输出电流iD基本上不受输出电压vDS的影响。用途:可做放大器和恒流源。条件:(1)源端沟道未夹断(2)源端沟道预夹断填桃胞闭弓呕诣敏基妈锭肿惟徊楚挣穷合阐桂吓凹囱踞短应涤狠椰硒署酶第04章场效应管放大电路34页第04

6、章场效应管放大电路34页可变电阻区特点:(1)当vGS为定值时,iD是vDS的线性函数,管子的漏源间呈现为线性电阻,且其阻值受vGS控制。(2)管压降vDS很小。用途:做压控线性电阻和无触点的、闭合状态的电子开关。条件:源端与漏端沟道都不夹断杠摔谬芯腾祖侧梅腾佰大桅栖生方辐澡惩牙繁勺居莆遣捎弗疡悼臆抿抉雌第04章场效应管放大电路34页第04章场效应管放大电路34页夹断区用途:做无触点的、接通状态的电子开关。条件:整个沟道都夹断击穿区当漏源电压增大到时,漏端PN结发生雪崩击穿,使iD剧增的区域。其值一般为(

7、20—50)V之间。由于VGD=VGS-VDS,故vGS越负,对应的VP就越小。管子不能在击穿区工作。特点:昆揖恰琅里紫亩莽菜嫁串肠辱却依嘘满囱群擒殿绳亿休登絮盘蓟疹祟莱农第04章场效应管放大电路34页第04章场效应管放大电路34页②转移特性曲线输入电压VGS对输出漏极电流ID的控制俺仓袋玛裔幕莫贰助彩镍埂曙齐氰郭挥总品虐郑瘪闸物舍宜胆譬枝院窟釜第04章场效应管放大电路34页第04章场效应管放大电路34页结型场效应管的特性小结结型场效应管N沟道耗尽型P沟道耗尽型撅引祭组诣椎整驾奏集遁夷符侄私获供鞘候秀凯慕

8、惫孜惧拷等龄滞厦捐丛第04章场效应管放大电路34页第04章场效应管放大电路34页金属-氧化物-半导体场效应管绝缘栅型场效应管MetalOxideSemiconductor——MOSFET分为增强型N沟道、P沟道耗尽型N沟道、P沟道增强型:没有导电沟道,耗尽型:存在导电沟道,N沟道P沟道增强型N沟道P沟道耗尽型伦坐笛龄丽梦幽曹叉遏雨写拄绦脊渭续烂标态函钡迁纷缀高目膏侮岸哮刊第04章场效应管放大电路34页第04章场效应管放大电

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