2017沪科版高中物理选修（3-5）第2章《波和粒子》word综合检测 .doc

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1、【课堂新坐标】（教师用书）2013-2014学年高中物理第2章《波和粒子》综合检测沪科版选修3-5(时间：90分钟　满分：100分)一、选择题(本题包括10小题，每小题4分，共40分，在每小题给出的四个选项中，至少有一项是符合题目要求的．全部选对的得4分，选对但不全的得2分，有选错的得0分)1．两束能量相同的色光，都垂直地照射到物体表面，第一束光在某段时间内打在物体上的光子数与第二束光在相同时间内打在物体表面上的光子数之比为4∶5，则这两束光的光子能量和波长之比为(　　)A．4∶5　4∶5　　　　　　　B．5∶4　4∶5C．5∶4　5∶4D．4∶5　5∶4【解析】　由E＝nε知，能量相同

2、时，n与ε成反比，所以光子能量比为5∶4，又根据ε＝hν＝h，所以波长之比为4∶5.【答案】　B2．频率为ν的单色光照射在某种金属表面产生光电效应，由金属表面逸出的光电子垂直射入匀强磁场做圆周运动时，其最大半径为r.若要使最大半径r增大，可采取(　　)A．用频率大于ν的单色光照射B．用频率小于ν的单色光照射C．仍用频率为ν的单色光照射，但延长照射时间D．仍用频率为ν的单色光照射，但增大光的强度【解析】　只有增大频率，才能增加电子的初动能，即增大光电子的速度，由r＝，速度增大时，半径增大．【答案】　A3．(2011·福建理综)爱因斯坦因提出了光量子概念并成功地解释光电效应的规律而获得192

3、1年诺贝尔物理学奖．某种金属逸出光电子的最大初动能Ekm与入射光频率ν的关系如图1所示，其中ν0为极限频率．从图中可以确定的是(　　)图1A．逸出功与ν有关B．Ekm与入射光强度成正比C．当ν<ν0时，会逸出光电子D．图中直线的斜率与普朗克常量有关【解析】　由光电效应方程Ekm＝hν－W、W＝hν0，与y＝kx＋b相对应可知只有D项正确．【答案】　D4．硅光电池是利用光电效应原理制成的器件，下列表述正确的是(　　)A．硅光电池是把光能转变为电能的一种装置B．硅光电池中吸收了光子能量的电子都能逸出C．逸出的光电子的最大初动能与入射光的频率无关D．任意频率的光照射到硅光电池上都能产生光电效应

4、【解析】　硅光电池是把光能转化为电能的一种装置．A正确．硅光电池中吸收了光子能量大于逸出功的光子才能逸出，B错误．逸出的光电子的最大初动能与入射光的频率有关，C错误．当照射到硅光电池上的光的频率大于极限频率时，才能产生光电效应，D错误．【答案】　A5．下列用光子说解释光电效应规律的说法中，正确的有(　　)A．存在极限频率是因为各种金属都有一定的逸出功B．光的频率越高，电子得到光子的能量越大，克服逸出功后飞离金属的最大初动能越大C．电子吸收光子的能量后动能立即增加，成为光电子不需要时间D．光的强度越大，单位时间内入射光子数越多，光电子数越多，光电流越大【解析】　由于各种金属有一定的逸出功，

5、因此光照射金属时电子不一定逸出，所以存在极限频率，A选项正确；光的频率越高，电子得到的光子的能量越大，克服逸出功后飞离金属的最大初动能越大，B选项正确；电子吸收光子的能量后不一定逸出，也不一定成为光电子，C选项错误，产生光电效应后，光的强度越大，产生光电效应的电子越多，逸出的光电子也就越多，D选项正确．【答案】　ABD6．现代物理学认为，光和实物粒子都具有波粒二象性．下列事实中突出体现波动性的是(　　)A．一定频率的光照射到锌板上发生光电效应，光的强度越大，单位时间内锌板上发射的光电子就越多B．肥皂液是无色的，吹出的肥皂泡却是彩色的C．质量为10－3kg、速度为10－2m/s的小球，其德

6、布罗意波波长约为10－28m，我们能清晰地观测到小球运动的轨迹D．人们常利用热中子研究晶体的结构，因为热中子的德布罗意波波长与晶体中原子间距大致相同【解析】　光电效应体现光的粒子性，A错；肥皂泡看起来是彩色的，这是薄膜干涉现象，体现光的波动性，B正确；由于小球的德布罗意波波长太小，很难观察到其波动性，C错；人们利用热中子的衍射现象研究晶体结构，所以能够体现波动性，D正确．【答案】　BD7．关于物质波，下列认识错误的是(　　)A．任何运动的物体(质点)都伴随一种波，这种波叫物质波B．X射线的衍射实验，证实了物质波假设是正确的C．电子的衍射实验，证实了物质波假设是正确的D．宏观物体尽管存在物

7、质波，但它们不具有干涉、衍射等现象【解析】　据德布罗意物质波理论知，任何一个运动的物体，小到电子、质子，大到行星、太阳，都有一种波与之相对应，这种波就叫物质波，可见，选项A是正确的．由于X射线本身就是一种波，而不是实物粒子，故X射线的衍射现象并不能证实物质波理论的正确性，即选项B错误．电子是一种实物粒子，电子的衍射现象表明运动着的实物粒子具有波动性，故选项C说法是正确的．由电子穿过铝箔的衍射实验知，少量电子穿过铝箔后的位置是散乱的，