芯片制造工艺发展史.doc

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1、芯片制造工艺发展史1947年：贝尔实验室肖特莱等人发明了晶体管，这是微电子技术发展中第一个里程碑；    1950年：结型晶体管诞生； 1950年： R Ohl和肖特莱发明了离子注入工艺；   1951年：场效应晶体管发明；  1956年：C S Fuller发明了扩散工艺； 1958年：仙童公司Robert Noyce与德仪公司基尔比间隔数月分别发明了集成电路，开创了世界微电子学的历史； 1960年：H H Loor和E Castellani发明了光刻工艺；   1962年：美国RCA公司研制出MOS场效应晶体管； 1963年：F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提

2、出CMOS技术，今天，95%以上的集成电路芯片都是基于CMOS工艺； 1964年：Intel摩尔提出摩尔定律，预测晶体管集成度将会每18个月增加1倍；  1966年：美国RCA公司研制出CMOS集成电路，并研制出第一块门阵列（50门）； 1967年：应用材料公司（Applied Materials）成立，现已成为全球最大的半导体设备制造公司； 1971年：Intel推出1kb动态随机存储器（DRAM），标志着大规模集成电路出现；  1971年：全球第一个微处理器4004由Intel公司推出，采用的是MOS工艺，这是一个里程碑式的发明； 1974年：RCA公司推出第一个CMO

3、S微处理器1802；   1976年：16kb DRAM和4kb SRAM问世； 1978年：64kb动态随机存储器诞生，不足0.5平方厘米的硅片上集成了14万个晶体管，标志着超大规模集成电路（VLSI）时代的来临； 1979年：Intel推出5MHz 8088微处理器，之后，IBM基于8088推出全球第一台PC；   1981年：256kb DRAM和64kb CMOS SRAM问世；   1984年：日本宣布推出1Mb DRAM和256kb SRAM；   1985年：80386微处理器问世，20MHz； 1988年：16M DRAM问世，1平方厘米大小的硅片上集成有3

4、500万个晶体管，标志着进入超大规模集成电路（ULSI）阶段；  1989年：1Mb DRAM进入市场； 1989年：486微处理器推出，25MHz，1μm工艺，后来50MHz芯片采用0.8μm工艺；   1992年：64M位随机存储器问世； 1993年：66MHz奔腾处理器推出,采用0.6μｍ工艺； 1995年:Pentium Pro, 133MHz，采用0.6-0.35μｍ工艺；  1997年：300MHz奔腾Ⅱ问世,采用0.25μｍ工艺；   1999年：奔腾Ⅲ问世，450MHz，采用0.25μｍ工艺，后采用0.18μm工艺；  2000年: 1Gb RAM投放市场；

5、 2000年：奔腾4问世，1.5GHz，采用0.18μｍ工艺；   2001年：Intel宣布2001年下半年采用0.13μｍ工艺。