硅集成电路复习资料

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1、硅集成电路工艺基础考试复习题，，完全更新版。。。来源：陈萌的日志集成电路工艺基础复习提纲氧化1、sio2的特性二氧化硅对硅的粘附性好，化学性质比较稳定，绝缘性好2、sio2的结构，分为哪两种结晶形与不定形二氧化硅3、什么是桥键氧和非桥键氧连接两个Si-o四面体的氧称为桥键氧；只与一个硅连接的氧称为非桥键氧。4、在无定形的sio2中，si、o那个运动能力强，为什么？氧的运动同硅相比更容易些；因为硅要运动就必须打破四个si-o键，但对氧来说，只需打破两个si-o键，对非桥键氧只需打破一个si-o键。5、

2、热氧化法生长sio2过程中，氧化生长的方向是什么？在热氧化法制备sio2的过程中，是氧或水汽等氧化剂穿过sio2层，到达si-sio2界面，与硅反应生成sio2，而不是硅向sio2外表面运动，在表面与氧化剂反应生成sio26、Sio2只与什么酸、碱发生反应？只与氢氟酸、强碱溶液发生反应7、杂质在sio2中的存在形式，分别给与描述解释，各自对sio2网络的影响能替代si-o四面体中心的硅，并能与氧形成网络的杂志，称为网络形成者；存在于sio2网络间隙中的杂志称为网络改变者。8、水汽对sio2网络的影响

3、水汽能以分子态形式进入sio2网络中，并能和桥键氧反应生成非桥键氢氧基，本反应减少了网络中桥键氧的数目，网络强度减弱和疏松，使杂志的扩散能力增强。9、为什么选用sio2作为掩蔽的原因，是否可以作为任何杂质的掩蔽材料为什么？10、制备sio2有哪几种方法？热分解淀积法，溅射法，真空蒸发法，阳极氧化法，化学气相淀积法，热氧化法等。11、热生长sio2的特点硅的热氧化法是指硅与氧气或水汽等氧化剂，在高温下经化学反应生成sio212、生长一个单位厚度的sio2需要消耗0.44个单位的si13、热氧化分为哪几

4、种方法？各自的特点是什么？干氧氧化是指在高温下，氧气与硅反应生成sio2。水汽氧化是指在高温下，硅与高纯水长生的蒸汽反应生成sio2。湿氧氧化的氧化剂是通过高纯水的氧气，高纯水一般被加热到95摄氏度左右。14、实际生产中选用哪种生长方法制备较厚的sio2层？采用干氧-湿氧-干氧相结合的氧化方式15、由公式2.24，2.25分析两种极限情况，给出解释其一是当氧化剂在sio2中的扩散系数Dsio2很小时（Dsio2《ksx0，则的Ci→0，C0→C*，在这种情况下，sio2的生长速率主要由氧化剂在sio

5、2中的扩散速度所决定，称这种极限情况为扩散控制；其二，如果扩散系数Dsio2很大，则C1=C0=C*/（1+ks/h），sio2生长速率由si表面的化学反应速度控制，称这种极限情况为反应控制。16、热氧化速率受氧化剂在sio2的扩散系数和与si的反应速度中较快还是较慢的影响？较慢的一个因素决定17、sio2生长厚度与时间的关系，分别解释x02+Ax0=B（t+τ），当氧化时间很长，即t》τ和t》A2/4B时，则x02=B（t+τ），这种情况下的氧化规律称抛物型规律，B为抛物型速率常数，sio2的生长

6、速率主要由氧化剂在sio2中的扩散快慢决定；当氧化时间很短，即（t+τ）《A2/4B，则x0=B（t+τ）/A，这种极限情况下的氧化规律称线性规律，B/A为线性速率常数，具体表达式B/A=-kshc*/(ks+h)N1。18、氧化速度与氧化剂分压、温度成正比?19、晶向对氧化速率的影响当氧化温度升高时，晶面取向对线性氧化速率的影响在减小，甚至消失；如果氧化时间很长，晶面取向对线性氧化速率的影响也就根本不起作用。20、解释图2.1521、什么是位阻现象？生成反应物本身的阻挡价键与反应表面的倾角导致反应

7、不能流畅无阻地进行的现象。22、什么是分凝现象？解释硼对氧化速率的影响si氧化后原本在si中的杂质跑入其他材料重新排列叫做分凝现象；在分凝过程中有大量的硼从硅中进入并停留在sio2中，因而sio2中非桥键氧的数目增加，从而降低了sio2的结构强度，氧化剂不但容易进入sio2，而且穿过sio2的扩散能力也增加，因此抛物型速率常数明显增大，而对线性速率常数没有明显的影响。23、为了准确控制干氧试验为什么选用液态氧源？24、纳和氯对氧化的影响当氧化层中如果含有高浓度钠时，则线性和抛物型氧化速率都明显变大；

8、在干氧氧化的气氛中加氯，氧化速率常数明显变大。25、sio2和si-sio2界面中的四种类型电荷，解释可动离子电荷的主要存在形式和危害可动离子电荷、氧化层固定电荷、界面陷阱电荷、氧化层陷阱电荷；主要以网络改变者形式存在、荷正电的碱金属离子；阈值电压的不稳定、局部电场加强、mos管低击穿。26、描述b-t试验实验步骤：1、初测2、加正电压并保持300℃测量ΔFB=Nm/qc0x扩散1、什么是扩散？扩散室将一定数量的某种杂志掺入到硅晶体中或其他半导体晶体中去，以改变点选性