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时间:2020-09-27
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1、6存储器存储系统的层次结构半导体存储器和只读存储器主存储器、存储器的容量扩展虚拟存储器与高速缓冲存储器16.1概述存储系统存储器的分类及主要技术指标2微型机的存储系统将两个或两个以上速度、容量和价格各不相同的存储器用硬件、软件或软硬件相结合的方法连接起来就构成存储系统。系统的存储速度接近较快的存储器,容量接近较大的存储器。3微型计算机系统高速缓冲存储系统主存储器高速缓冲存储器虚拟存储系统主存储器辅助存储器4存储器的分类按在系统中的地位分类高速缓冲存储器、主存储器(内存)、辅助存储器(外存)按存储介质分类半导体存储器、磁表面存储器、光存储器按
2、读写性质分类随机存储器(RAM)、只读存储器(ROM)56.2半导体存储器由能够表示“0”和“1”、具有记忆功能的一些物理器件组成。能存放一位二进制数的物理器件称为一个存储元。若干存储元构成一个存储单元。66.2.1常用半导体存储器随机存取存储器(RAM)只读存储器(ROM)FLASH存储器(闪存)静态RAM动态RAM掩模ROM一次编程型ROM(PROM)可读写ROMEPROMEEROM76.2.2半导体存储器的基本结构存储矩阵地址译码器存储控制电路三态双向缓冲器6.2.3半导体随机存储器一、静态存储器SRAM存储元由双稳电路构成,存储信息
3、稳定。9典型SRAM芯片了解:主要引脚功能工作时序与系统的连接使用10SRAM6264芯片容量:8K×8芯片外部引线图116264芯片与系统的连接D0~D7A0A12•••WEOECS1CS2•••A0A12MEMWMEMR译码电路高位地址信号D0~D7系统总线~6264•••+5V12译码电路将输入的二进制(地址)编码变换为一个特定的输出信号,即:将输入的高位地址信号通过变换,产生一个有效的输出信号,该信号选中某一个存储器芯片,使该存储器芯片进入工作状态。参与译码的高位地址信号决定了存储器的地址范围。13译码方式全地址译码部分地址译码14
4、全地址译码用全部的高位地址信号作为译码器的输入存储器芯片的每一个存储单元都具有唯一的内存地址,即存储单元与地址编号是一对一的关系。15全地址译码例A19A18A17A16A15A14A13&16264CS1全部高位地址信号(A19-A13)都作为译码器输入。低位地址信号(A12-A0)接到6264的地址引脚。6264的地址范围=?16部分地址译码用部分高位地址信号(而不是全部)作为译码器的输入存储器芯片的每一个存储单元具有多个内存地址,即存储单元与地址编号是一对多的关系。17部分地址译码例A18不参加译码,从而使被选中芯片的每个单元都拥有
5、两个地址。6264的地址范围=?A19A17A16A15A14A13&16264CS118应用举例将SRAM6264芯片与系统连接,使其地址范围为:38000H~39FFFH。使用74LS138译码器构成译码电路。19应用举例D0~D7A0A12•••WEOECS1CS2•••A0A12MEMWMEMRD0~D7A19G1G2AG2BCBA&&A18A14A13A17A16A15+5VY0•••系统总线74LS138626420二、动态存储器DRAM存储元主要由电容构成,由于电容存在的漏电现象而使其存储的信息不稳定,故DRAM芯片需要定时
6、刷新。21刷新:最大刷新周期:DRAM全部刷新一遍所允许的最大时间间隔;刷新方式:集中式刷新分布式刷新异步刷新22典型DRAM芯片2164A2164A:64K×1bit采用行地址和列地址来确定一个单元;行列地址分时传送。共用一组地址信号线地址信号线的数量仅为同等容量SRAM芯片的一半。01000100COLROW存储矩阵232164A的内部结构A0~A7存储矩阵256×256行地址锁存及译码列地址锁存及译码......列放大器...DoutDin控制电路RAS#CAS#WE#24工作时序数据读出数据写入刷新,一次一行256.2.4只读存储器
7、(ROM)特点:可随机读取数据,但不能随机写入;掉电后信息不丢失26一、EPROM特点:可多次编程写入;掉电后内容不丢失;内容的擦除需用紫外线擦除器。27典型EPROM芯片27648K×8bit芯片,其引脚与SRAM6264完全兼容;地址信号:A0~A12数据信号:D0~D7输出信号:OE片选信号:CE编程脉冲输入:PGM282764的工作方式数据读出编程写入擦除标准编程方式快速编程方式编程写入:每出现一个编程脉冲就写入一个字节数据29二、EEPROM特点:可在线编程写入;掉电后内容不丢失;电可擦除。30工作方式数据读出编程写入擦除字节写入
8、:每次写入一个字节自动页写入:每次写入一页(32字节)字节擦除:一次擦除一个字节片擦除:一次擦除整片31典型EEPROM芯片98C64A:容量8K×8;13根地址线(A0-A12
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