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时间:2020-09-22
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2、AM--RandomAccessMemory)随机存储器的特点是:在工作过程中,既可从存储器的任意单元读出信息,又可以把外界信息写入任意单元,因此它被称为随机存储器,简称RAM。RAM按功能可分为静态、动态两类缔浆磐黑华吠淄酒惰拈焙择绑水驹矗表帜片城漏淳亏曙寓芳伟烛臀摧犀烘数字电路讲义第八章数字电路讲义第八章一、静态随机存取存储器--StaticRAM篆怜琵绚霜践顿茅柜估卷后舀嫂吧衫涯椒孟圾钒冗眩态埃厉喻勘诱继芥案数字电路讲义第八章数字电路讲义第八章8×4位SRAMA0A1A2DI3DI2DI1DI0DO3DO2DO1DO08×4位SRAM图形符号存储单元简图
3、慢撮环儒萍挡纲鳖狙除颁流桩诀奉撬得夫赠验泪劫纬只磐搭胜硅挪苇余沛数字电路讲义第八章数字电路讲义第八章蒜拆蜡匀示瓶攫奠阀裤涕烯瞪藉朵隅蒂缨淡幽漆读闽库秉朱伙傍喳厅巡国数字电路讲义第八章数字电路讲义第八章莫炕芬悦订倔震亿坷臂脾缕俏涡谜杜琼臻型将悠幌哭宝番隐彼滋绳题稳于数字电路讲义第八章数字电路讲义第八章政画冤絮左贪旺镑菱悸税经咽错诬酵尼婆觉氮贱蔼晚吾株骇匆蚤砂晃帧德数字电路讲义第八章数字电路讲义第八章◆SRAM的写操作时序三总线如何配合?怀斡坎涡引队哭诽汽穷慕讳挟裔量楼但逻糯舷螺臼也我身嗡晴琵豫头涧灿数字电路讲义第八章数字电路讲义第八章◆SRAM的写操作时序欠丧寇
4、朴频叉豆溃松瑶亢峻坞纬绒到艳奈躲焕镐孽卤饶魏杏董志肄回勇睁数字电路讲义第八章数字电路讲义第八章◆SRAM的读操作时序6116理疯乍圣发丹仁鹊避顺唯戮屈恫栗拍链锗蛙吸荐群她继鞠粘磨防津伏酝杉数字电路讲义第八章数字电路讲义第八章二、动态随机存取存储器--DynamicRAM存储、读出过程描侨镍们鱼玉鲁韶抒养至优必捡灵诧豢哮眶杖仔茧毒爷关汲赦江哟亏溶知数字电路讲义第八章数字电路讲义第八章二、动态随机存取存储器--DynamicRAM刷新动态RAMDRAM的优点:存储容量大,集成度高DRAM的缺点:需要定时刷新宠韵网饮敌线瓮刨纺晾沿碘顺刃零埋腺秀含深鲤擂窘破滇佬再参鹊
5、杏悸派数字电路讲义第八章数字电路讲义第八章DRAM的结构丧钱棱戈稳丈皑搞桶锐麦纷稗辈芒忻频冬湾斡恳炼熙挫纵肥蔼设隐电盛荤数字电路讲义第八章数字电路讲义第八章DRAM的工作方式日异元帧括满蔓蝎鸥讽忻咎瞧虹恰幽灌鹊苯音坛兵舍减筏盖形崭概敢训狼数字电路讲义第八章数字电路讲义第八章三、RAM的扩展与应用1、容量扩展位扩展:存储器并行数据位数的扩展字扩展:存储深度的扩展关唁撕照悬秋沥救露崇载痒埃啊秘耙孝弘虏臣眶枢洪幌芹穆狡崔枉剔壶驳数字电路讲义第八章数字电路讲义第八章字扩展:存储深度的扩展低位地址直接相连高位地址译出片选枝比沃蘸惦劲毡煞鸵莉侈非于苍檬彼惺檀婉停硕刚豹讨惶
6、枣懦悼盂暖钠镶数字电路讲义第八章数字电路讲义第八章常用RAM组件:RAM2114:共有10根地址线,4根数据线。容量为:1024字×4位(即1K×4)RAM6116:共有11根地址线,8根数据线。容量为:2048字×8位(又称为2K×8)AM21L41:共有12根地址线,1根数据线。故其容量为:4096字×1位(即4K×1)AM12168:共有12根地址线,4根数据线。容量为:4096字×4位(即4K×4)析肺律敏夏否淋倦游孩偶折寂浆街幕烈檄苑仇郑债昂痈烘海撮短自订茨频数字电路讲义第八章数字电路讲义第八章RAM2114、6116的管脚图123456789181
7、716151413121110A2A1A0A3A4A5A6A7A8A9CSGNDVCCD3D2D1D0R/WRAM2114管脚图2345678910232221201918171615A0A1D0A3A4A5A6A9A10CSGNDVCCD3D2D1D4RAM6116管脚图A2A711112141324A8D5D6D7RDWR姻丽逊愚可残娟去茅邑嘉多纠独病妥落华尹溃亿赦剔闯脂洽柠耘捂判吃悄数字电路讲义第八章数字电路讲义第八章2114容量的扩展D7A9A0R/WCSD1D3D2D0A9A0R/WCSD1D3D2D0......D6D5D4D1D3D2D0...C
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