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时间:2020-09-22
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1、主要内容存储器分类与组成随机存取存储器(RAM)只读存储器(ROM)存储器的连接微机的存储器存储器是微型计算机系统中用来存放程序和数据的基本单元或设备。存储器容量愈大,能存放的信息就愈多,计算机的能力就愈强。存储器作为计算机系统重要组成部分,随着更好的存储载体材料的发现及生产工艺的不断改进,争取更大的存储容量、获得更快的存取速度、减小存储器载体的体积以及降低单位存储容量性价比等方面都获得快速的发展。微机的存储器了解内容按与CPU连接方式不同分为:内存储器和外存储器。通过CPU的外部总线直接与CPU相连的存储器称为内存储器(简称内存或主存)。CPU要通过I/O接口电路才
2、能访问的存储器称为外存储器(简称外存或二级存储器)。按存储器信息的器件和媒体不同分为:半导体存储器、磁表面存储器、磁泡存储器和磁芯存储器以及光盘存储器等。存储器的分类与组成存储容量存储容量=N×MN-半导体存储器芯片有多少个存储单元,单元寻址与地址线有关。M-每个存储单元中能存放多少个二进制位,二进制数位的传送与数据线有关。存储器的性能指标1KB=1024B1MB=1024KB1GB=1024MB存储容量的表示常用单位的换算bit—用二进制位定义存储容量Byte—用二进制字节定义存储容量字节—B(Byte)千字节—KB(KiloByte)兆字节—MB(MegaByte
3、)吉字节—GB(GigaByte)存储容量的常用单位存储器的性能指标存取时间存取时间的定义(读写周期表示)存取时间的单位存取时间的特点向存储器单元写数据所需时间,从存储器单元读数据所需时间。ns(纳秒)存储器存取时间短仅用基本周期,存储器存取时间长插入等待周期。存储器的性能指标了解内容功耗功耗的定义功耗的单位存储器单元的功耗,存储器芯片的功耗。存储器单元的功耗—μW/单元存储器芯片的功耗—mW/芯片该指标不仅涉及消耗功率的大小,也关系到芯片集成度以及在机器中的组装和散热问题。存储器的性能指标了解内容TTL器件,工作电源为+5VMOS器件,工作电源为+1.5V~+18V
4、与存储器芯片类型有关与应用系统有关一般应用系统—+5V特殊应用系统—+3.3V、1.5V工作电源存储器的性能指标了解内容价格价格公式——(C+E)/S元/位性价比C—存储器芯片价格E—所需外围电路价格S—存储器芯片字节容量单片容量大的存储器芯片相对成本低存取时间长的存储器芯片相对成本低无外围电路的存储器芯片相对成本低存储器的性能指标了解内容按使用的功能分两类:随机存取存储器RAM(RandomAccessMemory)只读存储器ROM(ReadOnlyMemory)。半导体存储器的分类RAM在程序执行过程中,每个存储单元的内容根据程序的要求既可随时读出,又可随时写入,
5、故可称读/写存储器。主要用来存放用户程序、原始数据、中间结果,也用来与外存交换信息和用作堆栈等。RAM所存储的信息在断开电源时会立即消失,是一种易失性存储器。半导体存储器的分类RAM按工艺可分为:双极型RAM和MOSRAM两类。MOSRAM特点:制造工艺简单,集成度高,功耗小,价格便宜,在半导体存储器中占有重要地位。常用:静态SRAM,动态DRAM双极型RAM特点:速度快,集成度低,功耗大,成本高,一般用于大型计算机或高速微机中。常用:TTL逻辑、ECL逻辑、I2L逻辑半导体存储器的分类静态RAM:集成度高于双极型RAM,低于动态RAM。功耗低于双极型RAM;不需要刷
6、新电路。速度较快,集成度较低,一般用于对速度要求高、而容量不大的场合。动态RAM:比静态RAM具有更高的集成度,但是它靠电路中栅极电容来储存信息,由于电容器上的电会泄它需要定时进行刷新。集成度较高,存取速度较低,一般用于需要较大容量场合。半导体存储器的分类只读存储器ROM按工艺可分为双极型和MOS型,但一般根据信息写入的方式不同,而分为:掩膜ROM一次性可编程PROM紫外线可擦除EPROM电可擦除E2PROM可编程只读存储器FLASH半导体存储器的分类固定ROM(掩模ROM):厂家把数据“固化”在存储器中,用户无法进行任何修改。使用时,只能读出,不能写入。用于大批量定
7、型产品。2.一次性可编程ROM(PROM):出厂时,存储内容全为1(或全为0),用户可根据自己的需要进行编程,但只能编程一次。用于小批量产品。3.紫外线擦除可编程ROM(EPROM):采用浮栅技术,可通过紫外线照射而被擦除,可重复擦除上万次。要借助EPROM擦除器和专用编程器进行擦除和写入程序,很不方便。用于产品开发。半导体存储器的分类5.快闪存储器(FlashMemory):采用浮栅型MOS管,存储器中数据的擦除和写入是分开进行的,数据写入方式与EPROM相同,一般一只芯片可以擦除/写入100万次以上。是一种不需要电力就能保存资料的可重写的记忆体。
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