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时间:2020-09-22
《模电助教版第1章 常用半导体器件ppt课件.ppt》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在教育资源-天天文库。
1、1.3场效应晶体三极管(“FET”)P451.3.1绝缘栅场效应管(“IGFET”)FET分:1.IGFET————1.NMOS——①增强型(6种管子)(又称“MOSFET”)②耗尽型2.PMOS——①增强型②耗尽型2.JFET—————1.N沟道2.P沟道dgBsdgBsdgBsdgBsdgsdgs1.3场效应晶体三极管(“FET”)P451.3.1绝缘栅场效应管(“IGFET”)FET分:1.IGFET————1.NMOS——①增强型(6种管子)(又称“MOSFET”)②耗尽型2.PMOS——①增强型②耗尽型2.JFET—————1.N沟道2.P沟道dgBsdgBs
2、dgBsdgBsdgsdgss:Source源极d:Drain漏极g:Gate栅极B:Base衬底Metal-Oxide-SemiconductorFieldEffectTransistorInsultedGateTypeJunctionType。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。·。SiP衬底一、NMOSdgBsN+::::::·。N+::::::·。Al极sgdSiO2BgsdN+PPN+B1.3场效应晶体三极管(“FET”)P451.3.1绝缘栅场效应管(“IGFET”)1.结构三区、三极、两结dgBs。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。·。SiP衬底N+
3、::::::·。N+::::::·。sgdBVGG-UGS+::::::::::::::::::::::::::::::-UDS+IG=0RGS=∞①栅极电压的控制作用(UGS,UDS=0)开启电压UGS(th)(或UT)—反型层(N型)②漏源电压UDS对导电沟道的影响UDS=0时—UDS≠0时预夹断1.3场效应晶体三极管(“FET”)P451.3.1绝缘栅场效应管(“IGFET”)一、NMOS1.结构2.工作机理(定性分析)纵向
4、电场[垂直电场]—横向电场表面场效应器件—体内场效应器件dgBs。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。·。SiP衬底N+::::::·。N+::::::·。sgdBVGG-UGS+::::::::::::::::::::::::::::::VDD-UDS+IG=0RGS=∞Rd1.3场效应晶体三极管(“FET”)P451.3.1绝缘栅场效应管(“IGFET”)一、NMOS1.结构2.工作机理(定性分析)①栅极电压的控制作用(UG
5、S,UDS=0)开启电压UGS(th)(或UT)—反型层(N型)②漏源电压UDS对导电沟道的影响UDS=0时—UDS≠0时预夹断纵向电场[垂直电场]—横向电场表面场效应器件—体内场效应器件dgBs。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。·。SiP衬底N+::::::·。N+::::::·。sgdBVGG-UGS+:::::::::::::::::::::VDD-UDS+IDIG=0RGS=∞Rd1.3场效应晶体三极管(“FET”)
6、P451.3.1绝缘栅场效应管(“IGFET”)一、NMOS1.结构2.工作机理(定性分析)①栅极电压的控制作用(UGS,UDS=0)开启电压UGS(th)(或UT)—反型层(N型)②漏源电压UDS对导电沟道的影响UDS=0时—UDS≠0时预夹断纵向电场[垂直电场]—横向电场表面场效应器件—体内场效应器件dgBs。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。·。SiP衬底N+::::::·。N+::::::·。sgdBVGG-UGS+:
7、::::::::::::::::::VDD-UDS+IDIG=0RGS=∞Rd1.3场效应晶体三极管(“FET”)P451.3.1绝缘栅场效应管(“IGFET”)一、NMOS1.结构2.工作机理(定性分析)①栅极电压的控制作用(UGS,UDS=0)开启电压UGS(th)(或UT)—反型层(N型)②漏源电压UDS对导电沟道的影响UDS=0时—UDS≠0时预夹断纵向电场[垂直电场]—横向电场表面场效应器件—体内场效应器件dgBs。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。·。SiP衬底N+::::::·。N+::::::·。sgdBVGG-UGS
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