模电――场效应管ppt课件.ppt

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1、模拟电子技术AnalogElectronicTechnology1第2章习题1)估算Q点;4.3.9电路如图所示，β＝50.IBICVCE2)画小信号等效电路;23)估算BJT的输入电阻rbe;4)如果输出端接入4kΩ的电阻负载，计算Av＝vo/vi及Avs=vo/vs。RL3第2章习题电路如图所示，VCC＝12V,BJT的β＝20。若要求

2、Av

3、≥100，ICQ＝1mA，试确定Rb，Rc的值，并计算VCEQ。设RL=∞。标称值IBICVCE4第2章习题电路如图所示，电容C1,C2,C3对交流信号可视为短路。(1)写出静态电流ICQ及电压VCEQ的表达式。IBICVCE(2)写出电压增益A

4、v、输入电阻Ri和输出电阻Ro的表达式；ibicivivo125第2章习题(3)若将电容C3开路，对电路将会产生什么影响？ibicivivo12+36第2章习题电路如图所示，信号源内阻RS＝600Ω,BJT的β＝50。(1)画出该电路的小信号等效电路。(2)求该电路的输入电阻Ri和输出电阻Ro；(3)当vs＝15mV时，求输出电压vo；7第2章习题电路如图所示，vs为正弦波小信号，其平均值为0，Rs＝500Ω，BJT的β＝100。(1)为使发射极电流IEQ约为1mA，求Re的值。(2)如需建立集电极电位VCQ为+5V，求Rc的值；(3)RL＝5kΩ时，求Avs；8第2章习题电路如图所示，设

5、β＝100，VBEQ=0.7V。(1)估算Q点；9(2)求电压增益Av、输入电阻Ri和输出电阻Ro；102.5场效应管放大电路2.5.1金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管2.5.3结型场效应管（JFET）*2.5.4砷化镓金属-半导体场效应管2.5.5各种放大器件电路性能比较2.5.2MOSFET放大电路11P沟道耗尽型P沟道P沟道N沟道增强型N沟道N沟道（耗尽型）FET场效应管JFET结型MOSFET绝缘栅型(IGFET)耗尽型：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道存在增强型：场效应管没有加偏置电压时，没有导电沟道场效应管的分类：122.5.1金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管

6、1.1N沟道增强型MOSFET1.5MOSFET的主要参数1.2N沟道耗尽型MOSFET1.3P沟道MOSFET1.4沟道长度调制效应131.1N沟道增强型MOSFET1.结构（N沟道）L：沟道长度W：沟道宽度tox：绝缘层厚度通常W>L141.1N沟道增强型MOSFET剖面图1.结构（N沟道）符号151.1N沟道增强型MOSFET2.工作原理（1）vGS对沟道的控制作用当vGS≤0时无导电沟道，d、s间加电压时，也无电流产生。当0VT时在电场作用下产生导电沟道，d、s间加电压后，将有电流产生

7、。vGS越大，导电沟道越厚VT称为开启电压162.工作原理（2）vDS对沟道的控制作用靠近漏极d处的电位升高电场强度减小沟道变薄当vGS一定（vGS>VT）时，vDSID沟道电位梯度整个沟道呈楔形分布17当vGS一定（vGS>VT）时，vDSID沟道电位梯度当vDS增加到使vGD=VT时，在紧靠漏极处出现预夹断。2.工作原理（2）vDS对沟道的控制作用在预夹断处：vGD=vGS-vDS=VT18预夹断后，vDS夹断区延长沟道电阻ID基本不变2.工作原理（2）vDS对沟道的控制作用192.工作原理（3）vDS和vGS同时作用时vDS一定，vGS变化时给定一

8、个vGS，就有一条不同的iD–vDS曲线。203.V-I特性曲线及大信号特性方程（1）输出特性及大信号特性方程①截止区当vGS＜VT时，导电沟道尚未形成，iD＝0，为截止工作状态。②可变电阻区vDS≤（vGS－VT）③饱和区（恒流区又称放大区）vGS>VT，且vDS≥（vGS－VT）211.2N沟道耗尽型MOSFET1.结构和工作原理（N沟道）二氧化硅绝缘层中掺有大量的正离子可以在正或负的栅源电压下工作，而且基本上无栅流221.3P沟道MOSFET232.5.2MOSFET放大电路2.1MOSFET放大电路1.直流偏置及静态工作点的计算2.图解分析3.小信号模型分析242.1MOSFET放

9、大电路1.直流偏置及静态工作点的计算（1）简单的共源极放大电路（N沟道）直流通路共源极放大电路252.1MOSFET放大电路1.直流偏置及静态工作点的计算（1）简单的共源极放大电路（N沟道）假设工作在饱和区，即验证是否满足如果不满足，则说明假设错误须满足VGS>VT，否则工作在截止区再假设工作在可变电阻区即262.1MOSFET放大电路1.直流偏置及静态工作点的计算（2）带源极电阻的NMOS共源极放大电路饱和区需要验证是