三极管的原理.doc

三极管的原理.doc

ID:59239545

大小:19.00 KB

页数:5页

时间:2020-09-09

三极管的原理.doc_第1页
三极管的原理.doc_第2页
三极管的原理.doc_第3页
三极管的原理.doc_第4页
三极管的原理.doc_第5页
资源描述:

《三极管的原理.doc》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在教育资源-天天文库

1、三极管的原理半导体三极管也称为晶体三极管,可以说它是电子电路中最重要的器件。它最主要的功能是电流放大和开关作用。三极管顾名思义具有三个电极。二极管是由一个PN结构成的,而三极管由两个PN结构成,共用的一个电极成为三极管的基极(用字母b表示)。其他的两个电极成为集电极(用字母c表示)和发射极(用字母e表示)。由于不同的组合方式,形成了一种是NPN型的三极管,另一种是PNP型的三极管。  三极管的种类很多,并且不同型号各有不同的用途。三极管大都是塑料封装或金属封装,常见三极管的外观,有一个箭头的电极是发射极,箭头朝外的是NPN型三极管,而箭头朝内的是PNP型。实际

2、上箭头所指的方向是电流的方向。  电子制作中常用的三极管有90××系列,包括低频小功率硅管9013(NPN)、9012(PNP),低噪声管9014(NPN),高频小功率管9018(NPN)等。它们的型号一般都标在塑壳上,而样子都一样,都是TO-92标准封装。在老式的电子产品中还能见到3DG6(低频小功率硅管)、3AX31(低频小功率锗管)等,它们的型号也都印在金属的外壳上。我国生产的晶体管有一套命名规则,电子工程技术人员和电子爱好者应该了解三极管符号的含义。  符号的第一部分“3”表示三极管。符号的第二部分表示器件的材料和结构:A——PNP型锗材料;B——NP

3、N型锗材料;C——PNP型硅材料;D——NPN型硅材料。符号的第三部分表示功能:U——光电管;K——开关管;X——低频小功率管;G——高频小功率管;D——低频大功率管;A——高频大功率管。另外,3DJ型为场效应管,BT打头的表示半导体特殊元件。三极管最基本的作用是放大作用,它可以把微弱的电信号变成一定强度的信号,当然这种转换仍然遵循能量守恒,它只是把电源的能量转换成信号的能量罢了。三极管有一个重要参数就是电流放大系数b。当三极管的基极上加一个微小的电流时,在集电极上可以得到一个是注入电流b倍的电流,即集电极电流。集电极电流随基极电流的变化而变化,并且基极电流很

4、小的变化可以引起集电极电流很大的变化,这就是三极管的放大作用。  三极管还可以作电子开关,配合其它元件还可以构成振荡器。  Z304三极管的主要参数及极性判别  1.常用小功率三极管的主要参数2.三极管电极和管型的判别  (1)目测法  ①管型的判别  一般,管型是NPN还是PNP应从管壳上标注的型号来辨别。依照部颁标准,三极管型号的第二位(字母),A、C表示PNP管,B、D表示NPN管,例如:  3AX为PNP型低频小功率管3BX为NPN型低频小功率管  3CG为PNP型高频小功率管3DG为NPN型高频小功率管  3AD为PNP型低频大功率管3DD为NPN型

5、低频大功率管  3CA为PNP型高频大功率管3DA为NPN型高频大功率管  此外有国际流行的9011~9018系列高频小功率管,除9012和9015为PNP管外,其余均为NPN型管。  ②管极的判别  常用中小功率三极管有金属圆壳和塑料封装(半柱型)等外型,图T305介绍了三种典型的外形和管极排列方式。  (2)用万用表电阻档判别  三极管内部有两个PN结,可用万用表电阻档分辨e、b、c三个极。在型号标注模糊的情况下,也可用此法判别管型。  ①基极的判别  判别管极时应首先确认基极。对于NPN管,用黑表笔接假定的基极,用红表笔分别接触另外两个极,若测得电阻都小

6、,约为几百欧~几千欧;而将黑、红两表笔对调,测得电阻均较大,在几百千欧以上,此时黑表笔接的就是基极。PNP管,情况正相反,测量时两个PN结都正偏的情况下,红表笔接基极。  实际上,小功率管的基极一般排列在三个管脚的中间,可用上述方法,分别将黑、红表笔接基极,既可测定三极管的两个PN结是否完好(与二极管PN结的测量方法一样),又可确认管型。  ②集电极和发射极的判别  确定基极后,假设余下管脚之一为集电极c,另一为发射极e,用手指分别捏住c极与b极(即用手指代替基极电阻Rb)。同时,将万用表两表笔分别与c、e接触,若被测管为NPN,则用黑表笔接触c极、用红表笔接

7、e极(PNP管相反),观察指针偏转角度;然后再设另一管脚为c极,重复以上过程,比较两次测量指针的偏转角度,大的一次表明IC大,管子处于放大状态,相应假设的c、e极正确。以NPN三极管为例:在制作的时候,发射区通过参杂使电子浓度做的很大,基区的空穴浓度做的很小,而且很薄,容易穿透。当发射结正向偏置的时候,发射区的电子向基区涌,与空穴进行复合,这时形成了一个与电子移动方向相反的电流IE。由于发射区电子浓度做的很大,基区空穴浓度小,而且容易穿透,所以在集电结反向偏置的时候(可靠截至),从发射区涌来的电子,穿过了基区,而到达了集电区,形成了与电子移动相反的电流IC。基

8、区被复合掉的空穴又被源源不断的补给上了

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。