西安交通大学微电子制造技术第六硅片制造中的沾污控制PPT课件.ppt

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1、微电子制造技术第6章硅片制造中的沾污控制引言一个硅片表面有多少个芯片，每个芯片差不多有数以千万计的器件和互联线路，它们对沾污非常敏感。随着芯片的特征尺寸为适应更高性能和更高集成度的要求而不断缩小，控制表面沾污变得越来越关键。本章将介绍硅片制造中各种类型的沾污和它们的来源，以及怎样有效控制沾污等内容，以制造包含最小沾污诱生缺陷的高性能产品为了控制制造过程中不能接受的沾污，半导体产业开发了净化间。净化间以超净空气把芯片制造与外界的沾污环境隔离开来，包括化学品、人员和常规的工作环境。学习目标1.了解5种不同类型的净化间污染，并讨论与每种污染相关的问题；

2、2.列举净化间的7种沾污源，并描述每一种是怎样影响硅片的洁净；3.解释并使用净化级别来表征净化间的空气质量；4.说明两种湿法清洗的化学原理，解释每一种分别去除那种污染。嵌入的颗粒表面污染Figure6.1硅片污染污染的类型沾污经常导致有缺陷的芯片，而致命缺陷又是导致硅片上的芯片无法通过电学测试的原因。据估计80％的芯片电学失效是由沾污带来的缺陷引起的。沾污是指半导体制造过程中引入半导体硅片的任何危害微芯片成品率及电学性能的不希望有的物质。这里将主要集中于芯片制造工序中引入的各种类型的表面沾污。净化间沾污分为五类：颗粒金属杂质有机物沾污自然氧化层静

3、电释放（ESD）颗粒颗粒是指能沾污在硅片表面的小物体。悬浮在空气中传播的颗粒被称为浮质。从鹅卵石到原子的各种颗粒的相对尺寸分布如下图所示。Figure6.2颗粒的相对尺寸毫米110-110-210-310-410-610-710-510原子物质的单个分子的尺寸薄雾稀薄烟雾烟云颗粒大气灰尘烟雾颗粒沙灰尘小石子MicrographcourtesyofAMD,particleunderneathphotoresistpatternPhoto6.2微粒引起的缺陷接触孔线宽间距~90mm集成电路最小的特征尺寸=0.18mm90mm0.18mm=500人体毛

4、发的相对尺寸大约是集成电路上最小特征尺寸的500倍较大集成电路的一小部分人体毛发的剖面Figure6.3人类头发与0.18mm颗粒的相对尺寸硅片表面的颗粒密度代表了特定面积内的颗粒数，颗粒密度越大，产生致命缺陷的机会就越大。一道工序引入到硅片中超过某一关键尺寸的颗粒数，用术语可表示为每步每片上的颗粒数(PWP)。颗粒的检测最简单的方法是通过显微镜观察，先进的检查已经被激光束扫描硅片表面所取代。ProcessTool硅片进入工艺设备前的初始颗粒数.硅片通过工艺设备后的硅片表面的颗粒数Figure6.4每硅片每通道看来数金属杂质硅片加工厂的污染也可能

5、来自金属化合物。危害半导体工艺的典型金属杂质是减金属，它们在普通化学品和工艺中都很常见(如下表所示)。金属杂质带来的问题Figure6.5可动离子沾污改变阈值电压++++++++++++++++++SourceDrainP-siliconsubstrateGateN+N+-Vs+Vd+Vg离子沾污改变晶体管的电学特性电子导电++GateoxidePolysilicon++++++++++++++有机物沾污有机物沾污是指那些包含碳的物质，几乎总是同碳自身及氢结合在一起，有时也和其它元素结合在一起。有机物沾污的一些来源包括细菌、润滑剂、蒸汽、清洁剂、

6、溶剂和潮气等。为了避免有机物沾污，现在用于硅片加工的设备使用不需要润滑剂的组件来设计。在特定工艺条件下，微量有机物沾污能降低栅氧化层材料的致密性。工艺过程中有机材料给半导体表面带来的另一个问题是表面的清洗不彻底，这种情况使得诸如金属杂质之类的沾污在清洗之后仍完整保留在硅片表面。自然氧化层硅片如果暴露在室温下的空气或者含溶解氧的去离子水中，硅片表面将被氧化。自然氧化层同样是一种沾污，是硅片制造不可接受的。下图给出了自然氧化层的存在，会增加金属导体和器件有源区的接触电阻。在钨淀积前，自然氧化层生长在接触孔钨塞硅上有源区层间介质层间介质氧化层隔离接触F

7、igure6.6静电释放静电释放(ESD)也是一种形式的沾污，因为它是静电荷从一个物体向另一个物体未经控制地转移，可能损坏微芯片。ESD产生于两种不同静电势的材料接触或摩察。带过剩负电荷的原子被相邻的带正电荷的原子吸引。这种由吸引产生的电流泄放电压可以高达几万伏。微芯片制造中特别容易静电释放，因为芯片加工通常保持在较低的湿度(典型条件为40％±10％)中，这种条件容易使较高级别的静电荷生成。虽然增加相对湿度可以减少静电荷生成，但也会增加浸湿带来的污染，因而这种方法并不实用。静电释放带来的问题尽管ESD发生时转移的静电总量通常很小(钠库伦级别)，然

8、而放电的能量积累在芯片上很小的一个区域内。发生在几钠秒内的静电释放能产生超过1A的峰值电流，从而达到蒸发金属连线和穿透氧化层，成为栅氧化