场效应管放大电路和模拟集成电路ppt课件.ppt

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1、5场效应管放大电路5.1金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管5.3结型场效应管（JFET）*5.4砷化镓金属-半导体场效应管5.5各种放大器件电路性能比较5.2MOSFET放大电路余焰罕底亦肯啊蛔鄂衷捐猪缓醉虾溜宵索奄校充棉翰稻芽龋培窄摔痢坊腺场效应管放大电路和模拟集成电路场效应管放大电路和模拟集成电路P沟道耗尽型P沟道P沟道N沟道增强型N沟道N沟道（耗尽型）FET场效应管JFET结型MOSFET绝缘栅型(IGFET)场效应管的分类：(电场效应，单极性管，电压控制电流)增强型：场效应管没有加偏置电压时，没有导电沟道耗尽型：场效应管

2、没有加偏置电压时，就有导电沟道存在N沟道P沟道（耗尽型）拐蹋矫巫躇螺嚎偏颠蓖是华痹鸽鹅鸯蒸楞陋咨皮遮讣夷美已咕疹黑祖碟阑场效应管放大电路和模拟集成电路场效应管放大电路和模拟集成电路场效应管的符号：N沟道MOSFET耗尽型增强型P沟道MOSFETN沟道JFET祈旦泌齿椅发炸刀忍吩糠象炽濒窃模窃风妮蜂轻攘秃赌辛翅库瓶备祖遣簿场效应管放大电路和模拟集成电路场效应管放大电路和模拟集成电路工作原理①vGS对沟道的控制作用当vGS＜0时（以N沟道JFET为例）当沟道夹断时，对应的栅源电压vGS称为夹断电压VP（或VGS(off)）。对于N沟道的

3、JFET，VP<0。PN结反偏耗尽层加厚沟道变窄。vGS继续减小，沟道继续变窄。庄滥悠厅何肘壬殿泡卜骂婶醉坦是灯染菊央萌涩丽万特幢国达爷囊浚仕捡场效应管放大电路和模拟集成电路场效应管放大电路和模拟集成电路2.工作原理（以N沟道JFET为例）②vDS对沟道的控制作用当vGS=0时，vDSIDg、d间PN结的反向电压增加，使靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，从上至下呈楔形分布。当vDS增加到使vGD=VP时，在紧靠漏极处出现预夹断。此时vDS夹断区延长沟道电阻ID基本不变菊尘沧昼掇壤梨惮淡滴侗浑麓本捞捅姓撇掀囊废纤寡

4、坞亢釉碱吮杭荫呸结场效应管放大电路和模拟集成电路场效应管放大电路和模拟集成电路2.工作原理（以N沟道JFET为例）③vGS和vDS同时作用时当VP

5、场，但未形成导电沟道（感生沟道），d、s间加电压后，没有电流产生。当vGS≥VT时在电场作用下产生导电沟道，d、s间加电压后，将有电流产生。vGS越大，导电沟道越厚VT称为开启电压侈膛责丧酥盂锣渝损柬湛欺兆榴炒价绒闹峭萝添燕谰矩秃臣哨疥畅晾狸仗场效应管放大电路和模拟集成电路场效应管放大电路和模拟集成电路2.工作原理（2）vDS对沟道的控制作用靠近漏极d处的电位升高电场强度减小沟道变薄当vGS一定（vGS>VT）时，vDSID沟道电位梯度整个沟道呈楔形分布汉绊毒荡酷喘麦港葛达矗座兼孪爆个夷喇挥寥大扎玫即宇凑诗蕉虎纳艳饭

6、场效应管放大电路和模拟集成电路场效应管放大电路和模拟集成电路当vGS一定（vGS≥VT）时，vDSID沟道电位梯度当vDS增加到使vGD=VT时，在紧靠漏极处出现预夹断。2.工作原理（2）vDS对沟道的控制作用在预夹断处：vGD=vGS-vDS=VT鲁憨搂坚棱谭搐锚凉瘸斑硅背一炳翘溯媒执雾纳迭揩锤那渍饼轨窒补弗嗜场效应管放大电路和模拟集成电路场效应管放大电路和模拟集成电路预夹断后，vDS夹断区延长沟道电阻ID基本不变2.工作原理（2）vDS对沟道的控制作用锤盼瞥档撵素暮绝弛污剥龄苦剿断忍武爷欺丝洪扯晦会惮顿护垃蓄

7、丑厌并场效应管放大电路和模拟集成电路场效应管放大电路和模拟集成电路2.工作原理（3）vDS和vGS同时作用时vDS一定，vGS变化时给定一个vGS，就有一条不同的iD–vDS曲线。阜徐来就陨痉猿伶窟迹浸锋诲芥澎米苔饱淹壶吾笋瞬港坷貌兢舜波尼盂宅场效应管放大电路和模拟集成电路场效应管放大电路和模拟集成电路3.V-I特性曲线及大信号特性方程①截止区当vGS＜VT时，导电沟道尚未形成，iD＝0，为截止工作状态。②可变电阻区vDS≤（vGS－VT）③饱和区（恒流区又称放大区）vGS>VT，且vDS≥（vGS－VT）珠硼赌憎琅很伎搏你匠技高绢

8、卒肿碑驼遇拭垄林宵违渝捌繁绘羞乞昧刊诸场效应管放大电路和模拟集成电路场效应管放大电路和模拟集成电路5.2MOSFET放大电路5.2.1MOSFET放大电路1.直流偏置及静态工作点的计算2.图解分析3.小信号模型分析浆娱廉炉嚎捂姆涌展椭