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时间:2020-09-10
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1、实验一MOS管的基本特性班级姓名学号指导老师一、实验目的1、熟练掌握仿真工具Hspice相关语法;2、熟练掌握MOS管基本特性;二、实验内容及要求1、熟悉Hspice仿真工具;2、使用Hspice仿真MOS的输出特性,当VGs从0~5V变化,Vds分别从1V、2V、3V、4V和5V时的输出特性曲线;三、实验原理NMOS的特性:Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动)。(1)Vgs=0,没有导电沟道此时栅源短接,源区,衬底和漏区形成两个-gid背靠背的PN结,无论Vds的极性怎样,其中总有一个PN结是反偏的,所以d,s之间没有形成导电沟道,MO
2、S管处于截止状态。(2)Vgs≥VGS(th),出现N沟道栅源之间加正向电压由栅极指向P型衬P衬底底的电场将靠近栅极下方的空穴向下排斥形成耗尽层。再增加Vgs→纵向电场。将P区少子(电子)聚集到P区表面。形成源漏极间的N型导电沟道。如果此时加有漏源电压,就可以形成漏极电流id。四、实验方法与步骤实验方法:计算机平台:(个人电脑虚拟机平台,windowsXP。)软件仿真平台:(在Hspui软件仿真平台上。)实验步骤:1、编写源代码,并以.sp文件扩展名存储文件。2、编译与调试。打开Hspice软件平台,选择打开nmos.sp文件。3、软件仿真运行及验证。在编译成功后,
3、点击Simulate开始仿真运行。点击Avanwaves,按照程序所述对比仿真结果。4、仿真平台各结果信息说明。五、实验仿真结果及其分析1、仿真过程1)源代码*SamplenetlistforGSMC.TEMP25.0000.optionabstol=1e-6reltol=1e-6postingold.lib'gd018.l'TT*---VoltageSources---vddVDD0dc=1.8vgsg00vdsd0dc=0.9vbsb0dc=0*---InverterSubcircuit---Mnmosdg0bNCHW=30UL=6U*---TransientA
4、nalysis---.dcvds01.80.01SWEEPvgs01.80.2.printdcv(d)i(Mnmos).end2、仿真结果及分析1)仿真结果2)仿真结果分析MOS管有三个工作区域:可变电阻区、恒流区及夹断区六、实验结论MOS管有三个工作区域:可变电阻区、恒流区及夹断区;i(D)与U(GS)的近似关系式:七、实验心得
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