微电子器件复习提纲.docx

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1、微电子器件期末复习提纲（I）考试题型：填空题（20分），PN结大题（20分），双极晶体管大题（36分），MOSFET大题（24分）。2、3、4各章分数比例为26:44:30。（II）第2章PN结部分复习重点1.利用泊松方程推导电场分布函数以及分布图，耗尽区宽度；2.推导自PN结空间电荷区以及自建电场的形成原因；3.建电势的表达式（不止一种方法，自己总结）；4.平衡、正偏和反偏状态下PN结的能带图，准费米能级变化趋势；5.正向电压下PN结的电流成分，电子和空穴扩散电流的表达式；6.反向饱和电流（公式，物理意义，影响因素）；7.

2、正偏和反偏状态下PN结中性区少子分布曲线以及边界条件；8.薄基区二极管的定义，各区少子分布函数以及分布曲线；9.大注入和小注入的含义，大注入自建电场产生的原因；10.PN结的几种击穿方式（击穿条件，物理过程，温度系数），提高击穿电压的方式；11.势垒电容和扩散电容产生的过程以及区别，降低势垒电容方法。（III）第3章双极晶体管部分复习重点1.双极晶体管的四种工作状态，每一种工作状态的少子分布图以及能带图（均匀基区和缓变基区）；2.晶体管内部各种电流成分及其传输过程；3.晶体管端口电流的组成成分，端口电流的数学关系；4.共基极

3、和共发射极放大系数的定义以及二者的关系；5.发射极注入效率γ、基区输运系数β*以及电流放大系数α的定义，哪些措施可以提高γ、β*和α？6.用电荷控制法推导基区输运系数和基区渡越时间；7.基区输运系数的物理意义；8.缓变基区自建电场的形成过程，自建电场表达式的数学推导；9.小电流时放大系数下降的原因；10.发射区重掺杂效应及其物理原因；11.共基极和共射极的输出特性曲线，利用曲线如何测量放大系数；12.基区宽度调变效应（Early效应）的物理原因，此时的输出特性曲线的几何意义，如何利用输出曲线测量Early电压以及提高Earl

4、y电压的方法；13.IEBO、ICBO、ICEO、IES、ICS以及BVCBO、BVCEO的含义；14.负阻特性曲线以及物理解释；15.基区穿通效应的含义，如何提高穿通电压，穿通电压的提高与其他电学参数的矛盾，基区穿通对ICEO-VCE特性的影响；16.基极电阻的组成部分，计算缓变基区的方块电阻；17.倒向晶体管放大系数小于正向晶体管放大系数的原因。（IV）第4章MOSFET部分复习重点1.N/PMOSFET的剖面图与工作原理；2.什么是增强型和耗尽型；各自的转移特性曲线；3.MOSFET输出特性曲线每段的特点；1.VG=V

5、T时能带图，强反型的定义，推导强反型表面势的表达式；5.MOS结构的阈值电压详细推导，改变阈值电压的方式；6.衬底偏置效应及其物理解释；7.亚阈摆幅的定义和意义，减小压阈摆幅的方法；8.阈值电压与温度的关系（温度系数的意义）；9.MOSFET的源漏击穿的2种机理；10.跨导和漏导的定义以及几何意义（斜率）。【注】1.可以参考08-14年电子科技大学微电子器件的考研填空题来巩固复习各章的零散知识点；2.以下课后习题需要思考和练习：第2章：2-3，2-7，2-18第3章：3-1，3-2，3-6第4章：4-1，4-4，4-6