模电复习习题.doc

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1、复习内容第一章半导体器件一、半导体的基础知识1.什么是本征半导体？纯净的晶体半导体是本征半导体2.什么是P型半导体？什么是N型半导体？在本征半导体内3.什么是扩散运动？什么是漂移运动？PN结如何形成？4.PN结的电容效应，PN结的击穿效应、温度特性二、二极管的特性及其应用1．半导体二极管的伏安特性2．二极管大信号应用：整流、普通二极管具有单向导电性，会判断二极管在大信号作用下的通断情况，再根据导通状态带入二极管大信号工作时的等效电路，掌握二极管的几种典型应用：整流、钳位、逻辑门，练习见课件或第一章习题3.稳压二极管的反向击穿特性与应用稳压二极管特点：

2、当稳压二极管处于击穿状态时，只要其电流Iz在一定范围内，都能使其两端电压稳定。4.双极型（即BJT）掌握BJT的放大原理，双极型晶体是一种电流控制器件，由基极电流控制集电极电流掌握BJT工作在不同区域必须满足的条件：发射结正偏，集电结反偏。掌握BJT工作在各区的判断：如已知各极电压，会判断出管子的工作区域；或已知工作区，确定出管子类型；掌握放大区的管子各极间的电压关系，电流分配关系；及改变各参数对管子工作区域的影响（修改电阻值或电源电压或）；练习见课件或第一章习题5.MOS场效应管的放大原理掌握MOS场效应管的电路符号掌握MOS场效应管的放大原理：掌

3、握场效应管是电场控制的器件，栅源电压控制漏极电流掌握MOS管工作在饱和区时的伏安方程，各区的判断。第二章与部分第五章内容：练习见课件或第二章习题1．（第二章）基本放大电路的组成需要有合适的直流和交流通路2．（第二章）掌握分压式（近似法）和固定式偏置电路的静态工作点估算：IBQ,ICQ,IEQ,UCEQ。3．（第二章）掌握由BJT、FET构成的放大器在中频段的特性（注意此时所有耦合、旁路大电容视为短路，而分布电容和各极间电容视为断路）：会计算电压增益、输入、输出电阻；4．（第二章）掌握放大电路动态范围的确定，失真情况分析与排除。5．（第二章）共基、共射

4、、共集三种组态的判别及比较，共漏、共源、共栅放大器的判别与比较6．（第五章）掌握由BJT构成的放大器在高频段的特性分析（注意此时所有耦合、旁路大电容仍视为短路，而分布电容和各极间电容不能视为断路）：会用开路时间常数法计算上限频率。1．（第五章）掌握由BJT构成的放大器在低频段的特性分析（注意此时所有耦合、旁路大电容不能视为短路，而分布电容和各极间电容可视为断路）：会用短路时间常数法计算下限频率。2．掌握多级放大电路的分析与计算，输入电阻为第一级的输入电阻，输出电阻为最后一级的输出电阻，增益为各级增益的乘积（注意下级输入电阻是上级的负载）第三章1．掌握

5、差分放大电路的工作原理，会计算差放的静态工作点、掌握差模电压增益、输入输出电阻的计算，共模电压增益、输入电阻的计算、的计算。2．掌握几种电流源电路的识别与分析，基本镜像及其改进电路，比例电流源与微电流源3．掌握甲、乙、甲乙类电路的定义、各自特征、识别。4．区分OCL、OTL电路；区分互补、准互补推挽电路。5．掌握功率、效率、管耗的计算及会提出选管依据（PcM,IcM,UBR(ceo)）。第四章1．掌握反馈方程、掌握反馈类型的判断，会区分正、负反馈，区分串联电压、并联电流、串联电流、并联电压反馈。2．负反馈对放大性能的影响，在何种场合下应用串联电压、并

6、联电流、串联电流、并联电压反馈，并会根据要求引入合适的负反馈，掌握反馈组态与信号源和负载的关系，见课件。3．深度负反馈的计算：掌握虚短、虚断法或1/B法第五章1．分频段分析：将电路分为低频、高频等效电路：分析低频响应时，要考虑所有耦合、旁路大电容的影响，忽略分布电容和各极间电容的影响（即视其为断路）；分析高频响应时，要考虑分布电容和各极间电容的影响，忽略所有耦合、旁路大电容的影响（即视其为短路）2．掌握波特图的画法（化为标准式再画图，并会标注关键点）。会根据已知传函画出波特图；已知波特图，会读出上下限频率和中频电压放大倍数3．用短路时间常数法估算下限

7、频率，用开路时间常数法估算上限频率。第六章1．运放必须引入负反馈才工作在线性区，在线性区会用虚断、虚短得到输出与输入的关系2．掌握同相、反相比例放大电路。3．掌握加法、减法（测量放大器）、积分、微分电路，乘法电路，已知输入画出输出。4．注意分析运放时，其输出电流不为0；其输出电压也不可能超过为其供电的电源电压。5.实际运放的参数，以及可能产生的计算误差分析第七章1．掌握单限比较器的传输特性，会已知输入画输出2．掌握Schmitt比较器，传输特性，已知输入画输出，分析时用Uid=0，即UN=UP找出跳变点3．掌握文氏桥电路产生正弦波的工作原理，会计算振

8、荡频率，设计电阻4．掌握方波产生电路的工作原理，会计算方波周期