电子技术基础复习教案.docx

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1、第一章第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。6.杂质半导体的特性载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，

2、少子浓度与温度有关。体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。7.PN结PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。8.PN结的伏安特性二.半导体二极管单向导电性------正向导通，反向截止。二极管伏安特性----同ＰＮ结。正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。第二章三极管及其基本放大电路一.三极管的结构、类型及特点1.类型-

3、--分为NPN和PNP两种。2.特点---基区很薄，且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓度很高，与基区接触面积较小；集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。二.三极管的工作原理1.三极管的三种基本组态2.三极管内各极电流的分配共发射极电流放大系数(表明三极管是电流控制器件式子称为穿透电流。3.共射电路的特性曲线输入特性曲线---同二极管。输出特性曲线(饱和管压降，用UCES表示放大区---发射结正偏，集电结反偏。截止区---发射结反偏，集电结反偏。4.温度影响温度升高，输入特性曲线向左移动。温度升高ICBO、ICEO、IC以及β均增加。三.低频小信号等效模型（简化）hi

4、e---输出端交流短路时的输入电阻，常用rbe表示；hfe---输出端交流短路时的正向电流传输比，常用β表示；四.基本放大电路组成及其原则1.VT、VCC、Rb、Rc、C1、C2的作用。2.组成原则----能放大、不失真、能传输。五.放大电路的图解分析法1.直流通路与静态分析概念---直流电流通的回路。画法---电容视为开路。作用---确定静态工作点直流负载线---由VCC=ICRC+UCE确定的直线。电路参数对静态工作点的影响1）改变Rb：Q点将沿直流负载线上下移动。2）改变Rc：Q点在IBQ所在的那条输出特性曲线上移动。3）改变VCC：直流负载线平移，Q点发

5、生移动。2.交流通路与动态分析概念---交流电流流通的回路画法---电容视为短路,理想直流电压源视为短路。作用---分析信号被放大的过程。交流负载线---连接Q点和VCC’点VCC’=UCEQ+ICQRL’的直线。3.静态工作点与非线性失真（1）截止失真产生原因---Q点设置过低失真现象---NPN管削顶，PNP管削底。消除方法---减小Rb，提高Q。（2）饱和失真产生原因---Q点设置过高失真现象---NPN管削底，PNP管削顶。消除方法---增大Rb、减小Rc、增大VCC。第三章基本放大电路1.静态分析（1）静态工作点的近似估算（2）Q点在放大区的条件欲使Q

6、点不进入饱和区，应满足RB＞βRc。放大电路的动态分析放大倍数输入电阻输出电阻七.分压式稳定工作点共射放大电路的等效电路法1．静态分析，2．动态分析电压放大倍数在Re两端并一电解电容Ce后输入电阻在Re两端并一电解电容Ce后输出电阻第四章正弦波振荡电路一.反馈概念的建立＊开环放大倍数－－－Ａ＊闭环放大倍数－－－Ａｆ＊反馈深度－－－１＋ＡＦ＊环路增益－－－ＡＦ：1．当ＡＦ＞０时，Ａｆ下降，这种反馈称为负反馈。2．当ＡＦ＝０时，表明反馈效果为零。3．当ＡＦ＜０时，Ａｆ升高，这种反馈称为正反馈。4．当ＡＦ＝－１时，Ａｆ→∞。放大器处于“自激振荡”状态。二．反馈的形式和

7、判断1.反馈的范围----本级或级间。2.反馈的性质----交流、直流或交直流。直流通路中存在反馈则为直流反馈，交流通路中存在反馈则为交流反馈，交、直流通路中都存在反馈则为交、直流反馈。3.反馈的取样----电压反馈：反馈量取样于输出电压；具有稳定输出电压的作用。（输出短路时反馈消失）电流反馈：反馈量取样于输出电流。具有稳定输出电流的作用。（输出短路时反馈不消失）4.反馈的方式-----并联反馈：反馈量与原输入量在输入电路中以电流形式相叠加。Rs越大反馈效果越好。反馈信号反馈到输入端）串联反馈：反馈量与原输入量在输入电路中以电压的形式相叠加。Rs越小反馈效果越好

8、。反馈信号反馈到非输入端