传感器教程9-光电式传感器

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1、第9章光电式传感器19-1光电基础知识1半导体价带、导带、禁带2-光电探测器原理二光源和频谱三常用光源及特性29.2光电效应9.2.1外光电效应在光的照射下，使电子逸出物体表面而产生光电子发射的现象称为外光电效应3光电器件1充气光电管2光电倍增管43光电倍增管的基本特性1。伏安特性2．光照特性3．光谱特性4．频率特性569.2.2内光电效应内光电效应按其工作原理可分为两种：光电导效应和光生伏特效应1光电导效应：光敏电阻2光敏电阻在未受到光照射的阻值称为暗电阻，此时流过的电流称为暗电流；在受到光照射时的阻

2、值称为亮电阻，此时的电流称为亮电流。亮电流与暗电流之差称为光电流。783、光敏电阻的基本特性伏安特性在一定照度下，流过光敏电阻的电流与光敏电阻两端的电压的关系。图10.9硫化镉光敏电阻的伏安特性9光照特性指光敏电阻的光电流I和光照强度之间的关系光敏电阻的光照特性10光谱特性光敏电阻的相对光敏灵敏度与入射波长的关系。即光敏电阻对入射光的光谱具有选择作用，即光敏电阻对不同波长的入射光有不同的灵敏度。光敏电阻的光谱特性11频率特性光敏电阻的光电流不能随着光强改变而立刻变化，即光敏电阻产生的光电流有一定的惰性，

3、这种惰性通常用时间常数表示，对应着不同材料的频率特性。光敏电阻的频率特性12温度特性光敏电阻和其它半导体器件一样，受温度影响较大。温度变化时，影响光敏电阻的光谱响应、灵敏度和暗电阻。硫化铅光敏电阻受温度影响更大。硫化铅光敏电阻的光谱温度特性13（2）光电池光电池是一种直接将光能转换为电能的光电器件。即电源。工作原理：基于“光生伏特效应”。光电池实质上是一个大面积的PN结，当光照射到PN结的一个面，例如P型面时，若光子能量大于半导体材料的禁带宽度，那么P型区每吸收一个光子就产生一对自由电子和空穴，电子-

4、空穴对从表面向内迅速扩散，在结电场的作用下，最后建立一个与光照强度有关的电动势。14光电池结构、符号15光电池种类光电池的种类很多，有硅光电池、硒光电池、锗光电池、砷化镓光电池、氧化亚铜光电池等最受人们重视的是硅光电池。因为它具有性能稳定、光谱范围宽、频率特性好、转换效率高、能耐高温辐射、价格便宜、寿命长等特点。它不仅广泛应用于人造卫星和宇宙飞船作为太阳能电池，而且也广泛应用于自动检测和其它测试系统中硒光电池由于其光谱峰值位于人眼的视觉范围，所以在很多分析仪器、测量仪表中也常常用到。16光电池基本特性光

5、谱特性光电池对不同波长的光的灵敏度是不同的。硅光电池的光谱特性17光照特性光电池在不同光照度下，其光电流和光生电动势是不同的，它们之间的关系就是光照特性硅光电池的光照特性18频率特性19（3）光敏二极管和光敏三极管20光敏二极管工作原理光敏二极管的结构与一般二极管相似、光敏二极管在电路中一般是处于反向工作状态。在没有光照射时，反向电阻很大，反向电流很小，这反向电流称为暗电流，当光照射在PN结上，光子打在PN结附近，使PN结附近产生光生电子和光生空穴对，它们在PN结处的内电场作用下作定向运动，形成光电流。

6、光的照度越大，光电流越大。光敏二极管在不受光照射时处于截止状态，受光照射时处于导通状态。21光敏晶体管光敏晶体管与一般晶体管很相似，具有两个PN结，只是它的发射极一边做得很大，以扩大光的照射面积。大多数光敏晶体管的基极无引出线，当集电极加上相对于发射极为正的电压而不接基极时，集电结就是反向偏压，当光照射在集电结时，就会在结附近产生电子—空穴对，光生电子被拉到集电极，基区留下空穴，使基极与发射极间的电压升高，这样便会有大量的电子流向集电极，形成输出电流，且集电极电流为光电流的β倍，所以光敏晶体管有放大作用

7、。22NPN型光敏晶体管结构和基本电路23光敏管的基本特性光敏晶体管的光谱特性24伏安特性25光照特性26频率特性27总结289.4光纤传感器光纤传感器的特点：极高的灵敏度和精度固有的安全性好抗电磁干扰高绝缘强度耐腐蚀集传感与传输于一体能与数字通信系统兼容等光纤传感器受到世界各国的广泛重视。光纤传感器已用于位移、振动、转动、压力、速度、加速度、电流、磁场、电压、温度等70多个物理量的测量在生产过程自动控制、在线检测、故障诊断、安全报警等方面有广泛的应用前景。291、光纤的结构302、光纤的传光原理光纤的

8、传光原理光全反射条件：31光纤模式光波在光纤中的传播途径和方式称为光纤模式。对于不同入射角的光线，在界面反射的次数是不同的，传递的光波间的干涉也是不同的，这就是传播模式不同。一般总希望光纤信号的模式数量要少，以减小信号畸变的可能。单模光纤直径较小，只能传输一种模式。其优点是：信号畸变小、信息容量大、线性好、灵敏度高；缺点：纤芯较小，制造、连接、耦合较困难。多模光纤直径较大，传输模式不只一种，其缺点是：性能较差。优点：纤芯面积较大，制造、连接