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1、全国2005年7月高等教育自学考试电子技术基础(一)试题课程代码:02234一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中,选出一个正确答案,并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题2分,共30分)1.由理想二极管构成的限幅电路如下图所示,当输入电压Ui=9V时,输出电压Uo为多少?()。A.3VB.6VC.9VD.15V2.三极管的主要参数Iceo的定义是()。A.集电极—发射极反向饱和电流B.集电极—基极反向饱和电流C.集电极最大允许电流D.集电极—发射极正向导通电流3.场效应管的转移特性如下图,则该管为()。A.N沟道
2、耗尽型FETB.N沟道增强型FETC.P沟道耗尽型FETD.P沟道增强型FET4.普通硅二极管的死区电压为()。A.0.1VB.0.2VC.0.5VD.1.0V5.某三极管型号是3DG6,则根据该型号可知,该三极管是()。A.硅NPN型管B.硅PNP型管C.锗NPN型管D.锗PNP型管6.某三极管接在电路上,它的三个管脚的电位分别为U1=6V,U2=5.4V,U3=12V,则对应该管的管脚排列依次是()。A.E、B、CB.B、E、CC.B、C、ED.C、B、E7.共集电极放大电路的特点是()。A.输入电阻很小,输出电阻很
3、大B.输入电阻很大,输出电阻很小C.电压放大倍数很高D.可用作振荡器8.测得某交流放大电路的输出端开路电压的有效值Uo=4V,当接上负载电阻RL=6kΩ时,输出电压下降为Uo=3V,则交流放大器的输出电阻ro是()。A.6kΩB.4kΩC.2kΩD.1kΩ9.下图所示电路是()。A.加法运算电路B.减法运算电路C.积分运算电路D.微分运算电路10.下图的放大器输出Uo为()。A.Uo=-UiRf/RiB.Uo=UiRf/RiC.Uo=(1+Rf/Ri)UiD.Uo=-(1+Rf/Ri)Ui11.以下哪个选项不是导致直接耦
4、合放大器的零点漂移的主要原因?()A.三极管ICBO随温度变化B.三极管UBE随温度变化C.三极管ICM随温度变化D.三极管β随温度变化12.单相桥式整流电路中,变压器次级电压为10V,则整流二极管承受的最大反压为()。A.5VB.7VC.10VD.14V13.下图为一般比较器电路,其门限电压UT为()。A.+6VB.+3VC.-3VD.-6V14.下图为密码锁控制电路。开锁条件是:拨对密码;钥匙插入锁眼将开关S闭合。当两个条件都满足时,开锁条件为“1”,将锁打开,否则报警信号为“1”,接通警铃。问,ABCD的密码值是多
5、少?()A.0110B.1001C.1010D.010115.国产78系列三端稳压器的输出固定有几个电压档次,以下正确的是()。 A.3V、5V、6V、9V、12V、15V、24VB.3V、5V、6V、9V、12V、15V、18VC.5V、6V、9V、12V、15V、18V、24VD.5V、6V、9V、12V、15V、24V、36V二、填空题(每小题1分,共10分)16.半导体二极管有普通二极管、光电二极管和_____二极管几种。17.由于放大电路对不同频率的成分具有不同的放大倍数。因此,到达放大器输出端后,不同频率的成
6、分发生了变化,引起失真,称为_____。18.下图的复合管类型是_____型管(填NPN还是PNP)。19.正弦波振荡电路应当包括_____、反馈网络、选频网络和稳幅环节四个组成部分。20.8421编码的二进制数转换为十进制数,就是_____。21.十六进制数(A3)16,可用二进制数表示为_____。22.半导体数码管的LED内部接法有_____接法和共阴极接法两种。23.CMOS电路的特点有_____,抗干扰能力强,电源电压范围宽,输出逻辑摆幅大,输入阻抗高,扇出能力强,温度稳定性好等等。24.某些输出门的输出除了通
7、常的逻辑1和逻辑0外,还有第三种状态,即_____状态,因而称为三态门,又称TSL门。25.脉冲的主要参数有_____,脉冲幅度,脉冲宽度,上升时间,下降时间,占空比。三、分析计算题(每小题5分,共40分)26.请用箭头标出当温度升高时,下图所示电路的各参数变化趋势。27.电路如下图所示,UCC=+12V,UBE=0.7V,β=60,其他参数如图,求:(1)计算UCEQ,rbe的值(2)画微变等效电路28.电路如下图所示,说明其反馈组态。29.差动放大电路如下图,设RC=10kΩ,RB=1kΩ,UCC=UEE=12V,两
8、管β均为60,IE=0.5mA,RL=10kΩ,调零电位器RP阻值为RRP=100Ω,试求:(1)指出该电路的输入输出方式(2)计算管子动态输入电阻rbe(3)计算差模电压放大倍数Ad30.下图是何种振荡电路?振荡频率应该如何计算?31.将下列逻辑函数化为最简与或表达式。F=(A+B+)(A+B+C)32.逻辑电路如
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