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《三氧化二铝在陶瓷领域上的发展.doc》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在教育资源-天天文库。
1、纳M三氧化二铝在陶瓷领域上地发展纳M三氧化二铝在陶瓷领域上地发展摘要：为了探索纳M三氧化二铝在陶瓷领域上地应用.查阅大量地期刊和文献,得出了纳M三氧化二铝在陶瓷领域发挥了巨大地作用,具有非常大地发展前景.纳M三氧化二铝,陶瓷粉粒径分布均匀,电阻率高,具有良好地绝缘性能,广泛用于塑料,橡胶,陶瓷,涂料等绝缘性能要求高地领域.主要综述了纳M三氧化二铝地主要制备方法,包括：化学沉淀法、无压烧结法、溶胶一凝胶法.同时,也介绍了纳M三氧化二铝地特殊结构性能,在陶瓷领域发挥地作用,其性能包括：Al203／TiC纳M陶瓷刀具材料地抗热震性能、纳MNi-Al2O3金属陶瓷粉末热压致密化、Al2
2、O3系纳M陶瓷抗拉强度、Al2O3系纳M陶瓷韧性.通过以上资料地查询,得出纳M三氧化二铝在陶瓷领域具有非常好地发展前景地结论.b5E2RGbCAP关键字:纳M；三氧化二铝；陶瓷；应用Abstract:inordertoexplorethenano3oxidation2aluminiuminceramicfieldapplication.Accesstoalotofperiodicalsandliterature,itisconcludedthatthenano3oxidation2aluminiuminceramicfieldplayedahugerole,hasthevery
3、bigprospectsfordevelopment.Nano3oxidation2aluminium,ceramicpowderwithuniformpariclesizedistribution,resistancerateishigh,hasthegoodinsulationperformance,iswidelyusedinplastic,rubber,ceramics,painttheinsulationperformanceofthehighdemandonthefield.Thepapermainlydescribesthemainpreparationmetho
4、dsofnanometer3oxidation2aluminium,includingchemicalprecipitation,pressurelesssinteringprocess,solagelmethod.Atthesametime,alsointroducesthenano3oxidation2aluminiumspecialstructureperformance,inceramicfieldplayarole,itsperformanceinclude:Al203/TiCnanostructuredceramiccuttingtoolmaterialtherma
5、lshockperformance,nanoNi-Al2O3metalceramicpowderextrusiondensification,Al2O3systemnanostructuredceramictensilestrength,Al2O3systemnanostructuredceramictoughness.Throughtheaboveinformationquery,itisconcludedthatnano3oxidation2aluminiuminceramicfieldhasverygoodprospectsfordevelopmentoftheconcl
6、usion.p1EanqFDPwKeywords:nano。3oxidation2aluminium。Ceramic。applicationDXDiTa9E3d陶瓷是人类最早使用地材料之一,在人类发展史上起着重要地作用.直到现在,陶瓷仍是人类生活和生产中不可缺少地一种材料.陶瓷产品地应用遍及国民经济地各个领域.不仅在人们日常生活中不能没有陶瓷,就是在工业生产、科学研究中也同样不能缺少陶瓷.这是因为陶瓷材料具有许多其他材料无法比拟地优异性能,如耐磨损、耐腐蚀、耐高温高压、硬度大、不老化等,能够在其他材料无法承受地恶劣环境条件下正常工作.但是,随着科学技术地发展,人们希望作为三大材
7、料之一地陶瓷材料具有更广泛地特性和功能.纳M三氧化二铝地出现为陶瓷材料地改性和增强提供了条件.RTCrpUDGiT纳M氧化铝陶瓷具有硬度高、耐高温、抗氧化、耐腐蚀、电绝缘性高和介电损耗低等一系列优异特性,因此在机械、化工、电子、医学、航空和国防等方面均占有重要地位.用传统陶瓷制备工艺所制出地氧化铝陶瓷,晶粒尺寸大,强度和韧性等综合力学性能较低,这在一定程度上限制了它地更广泛应用.近年来,纳M陶瓷受到人们普遍关注,由于这种陶瓷材料地晶粒、晶界以及它们之间地结合都处在纳M水平,细化晶界数量大幅度
