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时间:2020-09-30
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1、第六章80C51单片机内部功能单元及应用6.1并行I/O端口51系列单片机有4组I/O端口,每组端口都是8位准双向口,共占32根引脚。每个端口都包括一个锁存器(即专用寄存器P0~P3)、一个输出驱动器和输入缓冲器。6.1.1P0口P0口是一个多功能的三态双向口,能驱动8个TTL负载。可以字节访问也可位访问,其字节访问地址为80H,位访问地址为80H~87H。1.位电路结构图6-1P0口位结构A2.P0口作为通用I/O口1)输出时CPU发出控制电平“0”封锁“与”门,将输出上拉场效应管T1截止,同时使多路开关MUX把锁
2、存器与输出驱动场效应管T2栅极接通。故内部总线与P0口同相。由于输出驱动级是漏极开路电路,当驱动NMOS或其它电流负载时,需要外接上拉电阻。P0的输出级可驱动8个LSTTL负载。2)输入时---分读引脚和读锁存器读引脚:由传送指令(MOV)实现;读锁存器:读锁存器是先从锁存器中读取数据,进行处理后,将处理后的数据重新写入锁存器中,这类指令成为“读-修改-写”指令。例如CPLP0.0指令执行时,单片机内部产生“读锁存器”操作信号,使锁存器Q端的数据送到内部总线,在对该位取反后,结果又送回P0.0的端口锁存器并从引脚输出
3、。“读锁存器”可以避免因引脚外部电路的原因而使引脚的状态发生改变造成误读。当P0作为普通I/O来用时,此时P0口为一个准双向口。所谓准双向口就是在读数据之前,先要向相应的锁存器做写1操作的I/O口;从图6-4中可以看出,在读入端口数据时,由于输出驱动FET并接在引脚上,如果T2导通,就会将输入的高电平拉成低电平,产生误读。所以在端口进行输入操作前,应先向端口锁存器写“1”,使T2截止,引脚处于悬浮状态,变为高阻抗输入。3.P0作为地址/数据总线当P0口作地址/数据复用总线用之后,就再也不能作通用I/O口使用了。1)P
4、0引脚输出地址/数据信息。2)P0引脚输出地址/输入数据6.1.2P1口P1口是一个准双向口,它只作通用的I/O口使用,其功能与P0口作为通用I/O口时的功能相同。作为输出口使用时,由于其内部有上拉电阻,所以不需要外接上拉电阻;作为输入口使用时,必须先向锁存器写入“1”,使场效应管T截止,然后才能读取数据。P1口能驱动4个TTL负载。P1口即可以字节访问,也可位访问,其字节访问地址为90H,位访问地址为90H~97H。1.位电路结构P1口的位电路结构如图6-2所示,内部包含输出锁存器、输入缓冲器(读引脚、读锁存器)以
5、及由FET晶体管与上拉电阻组成的输出/输入驱动器。图6-2P1口位结构图AB.P1口作为通用I/O口1)P1.X作I/O口的输出线当CPU对P1.X锁存器写入高电平“1”时,/Q=“0”,场效应管V1截止,P1.X引脚输出高电平。当CPU对P1.X锁存器写入低电平“0”时,/Q=“1”,场效应管V1导通,P1.X引脚输出低电平。注意输出高电平不要带较重的负载。2)P1.X作I/O口的输入线软件首先对P1.X锁存器写高电平“1”,使场效应管V1截止,P1.X引脚呈高电平“1”;很微弱的电流就可把P1.X引脚拉为低电平,
6、所以P1.X引脚的电平是随外电路驱动的电平变化而变化;软件读P1.X引脚时,CPU使“读引脚”=“1”,三态缓冲器1导通,将P1.X引脚的电平读入内部数据总线。6.1.3P2口P2口也是一个准双向口,P2口能带3~4个TTL负载。可以字节访问,也可位访问,其字节访问地址为A0H,位访问地址为A0H~A7H。1.位电路结构P2口有8条端口线,命名为P2.7~P2.0,每条线的结构如图6-3所示。它由一个输出锁存器、转换开关MUX、两个三态缓冲器、一个非门、输出驱动电路和输出控制电路等组成。输出驱动电路上有上拉电阻。图6
7、-3P2口位结构图BCA6.1.4P3口P3口是一个多功能准双向口,第一功能是作为通用的I/O口使用,其功能和原理与P1口相同。可以驱动4个TTL负载。第二功能是作为控制和特殊功能口使用,可以字节访问也可以位访问,其字节访问地址为B0H,位访问地址为B0H~B7H。P3口作为第二功能使用通常情况下,P3口的第二功能在应用中更为重要,此时各引脚定义如表6-1所示。引脚第二功能功能说明P3.0RXD串行口输入P3.1TXD串行口输出P3.2INT0外部中断0输入P3.3INT1外部中断1输入P3.4T0定时/计数器0计数
8、输入P3.5T1定时/计数器1计数输入P3.6/WR外部RAM写选通(输出)P3.7/RD外部RAM读选通信号(输出)基本I/O口的应用举例1.P0口输出功能应用举例【例1】P0口做通用I/O输出口,控制8只发光二极管从左到右依次点亮,再依次熄灭,电路图如图6-5所示。P00P01P02P03P04P05P06P07RP1L1L2L3L4L5L
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