电力电子技术模拟试题二.doc

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1、电力电子技术模拟试题二 一、填空题(每小题1分，共14分)1.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL________IH。2.功率集成电路PIC分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是________。3.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压UBO数值大小上应为，UDSM________UBO。4.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压UFm等于________，设U2为相电压有效值。5.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差________。6.对于三相半波可控整流电路，换相重叠角的影响，将使用输出电压平均值___

2、_____。7.晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是________措施。8.三相全控桥式变流电路交流侧非线性压敏电阻过电压保护电路的连接方式有________二种方式。9.抑制过电压的方法之一是用________吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。10.180°导电型电压源式三相桥式逆变电路，其换相是在________的上、下二个开关元件之间进行。11.改变SPWM逆变器中的调制比，可以改变________的幅值。12.为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是________。13.恒流驱动电路中抗饱和电路的主要作用是________。14.功率晶体管缓冲保护电

3、路中的二极管要求采用________型二极管，以便与功率晶体管的开关时间相配合。 二、单项选择题(每小题1分，共16分。从每小题的四个备选选答案，选出一个正确答案，并将正确答案的号码填在题干后面的括号内。)15.功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为(     )A.一次击穿         B.二次击穿         C.临界饱和       D.反向截止16.逆导晶闸管是将大功率二极管与何种器件集成在一个管芯上而成(     )A.大功率三极管                         B.逆阻型晶闸管C.双向晶闸管                  

4、         D.可关断晶闸管17.在晶闸管应用电路中，为了防止误触发应将幅值限制在不触发区的信号是(     )A.干扰信号                             B.触发电压信号C.触发电流信号                         D.干扰信号和触发信号18.当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在(     )A.导通状态         B.关断状态         C.饱和状态         D.不定19.单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是(     )A.90°           

5、  B.120°            C.150°            D.180°20.单相全控桥大电感负载电路中，晶闸管可能承受的最大正向电压为(     )A.U2           B.U2         C.2U2          D.U221.单相全控桥电阻性负载电路中，晶闸管可能承受的最大正向电压为(     )A.U2         B.2U2           C.U2              D.U222.单相全控桥式整流大电感负载电路中，控制角α的移相范围是(     )A.0°～90°        B.0°～180°       C.90°～

6、180°      D.180°～360°23.单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角δ时，晶闸管的导通角θ=(     )A.π-α           B.π+α           C.π-δ-α           D.π+δ-α 24.对于三相半波可控整流电路，换相重叠角γ与哪几个参数有关(     )A.α、负载电流Id以及变压器漏抗XC     B.α以及负载电流IdC.α和U2                             D.α、U2以及变压器漏抗XC25.三相半波可控整流电路的自然换相点是(     )A.交流相电压的过零点B.本相相电压与

7、相邻相电压正半周的交点处C.比三相不控整流电路的自然换相点超前30°D.比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°26.可在第一和第四象限工作的变流电路是(     )A.三相半波可控变电流电路B.单相半控桥C.接有续流二极管的三相半控桥D.接有续流二极管的单相半波可控变流电路27.快速熔断器可以用于过电流保护的电力电子器件是(     )A.功率晶体管         B.IGBT         C.功率MOSFET       D.晶闸管28.若增大S