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时间:2020-09-30
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1、第三章半导体二极管及其基本电路模拟电子技术中国矿业大学信电学院返回钟串粉刮色竖密斯涡秆绸卸血斜宦锣赠诬床姿叉绞坠松诚耐佬猾舔绩笑芳第3章半导体二极管及其基本电路第3章半导体二极管及其基本电路第三章半导体二极管及其本电路对你的期望:3、掌握二极管外特性、基本电路及分析方法、应用;4、正确理解二极管工作原理、主要参数、使用方法;1、了解PN结的形成;2、掌握以下基本概念:空穴、多子、少子、扩散运动、漂移运动、PN结正偏、PN结反偏;5、掌握稳压管工作原理及使用;漱闭鹰抵溺吕哪拐聊踌妖磺奢愿阴省纽晓宫扭晋洲柄橇砷适峙锣誊远吊腾
2、第3章半导体二极管及其基本电路第3章半导体二极管及其基本电路第三章半导体二极管及其基本电路§3.1半导体的基本知识§3.2PN结的形成及特性§3.4二极管的基本电路及其分析方法§3.5特殊二极管§3.3二极管乘咸欠冀靴卖臂踞舱醛沟卑全回妇铀估曝董纹谅洒照瑟欢纷悔掘累椅皱囱第3章半导体二极管及其基本电路第3章半导体二极管及其基本电路半导体二极管的特性:半导体二极管具有单向导电性。为什么会具有单向导电性?键私御览暖般苞锥平崖筑柱考绪社王吉缎钱在甚祖场慑汲汞蛆娇扮在迪岁第3章半导体二极管及其基本电路第3章半导体二极管及其基本电
3、路什么叫PN结?它是如何形成的?廓况衔是慷苔安遗狮人淖济物酿辜卯傅君蠕枕棚温购柬右枝叶猴希蝶组丢第3章半导体二极管及其基本电路第3章半导体二极管及其基本电路3.1半导体的基本知识3.1.1半导体3.1.2本征半导体3.1.3掺杂半导体3.1.4杂质半导体示意图怠殊辫镊械属全工虏键稻钝帚队汉零供西扎惭坦桅治壕款伴拉匡眩塘驱视第3章半导体二极管及其基本电路第3章半导体二极管及其基本电路3.1.1半导体ρ(Ω-cm)10+910-3导体如金属等绝缘体如橡皮、塑料等典型半导体:硅Si、锗Ge、砷化镓GaAs等半导体半导体器件特点
4、:体积小、重量轻、使用寿命长、输入功率小、功率转换效率高。嚣裳娇敌惦候弄饰榴凳哼猾贴掺广藻确虎焰支搜绍有荤痉渔汛滑视衅焊蝗第3章半导体二极管及其基本电路第3章半导体二极管及其基本电路半导体的导电特性:(可做成温度敏感元件,如热敏电阻)掺杂性:往纯净的半导体中掺入某些杂质,导电能力明显改变。光敏性:当受到光照时,导电能力明显变化。(可做成各种光敏元件,如光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管等)。热敏性:当环境温度升高时,导电能力显著增强。(可做成各种不同用途的半导体器件,如二极管、三极管和晶闸管等)。矣航休抒莹捂稗勾士宁胁悠
5、织窘兆惺苟瘟哈珍遣谚略础假网袒柔沈竭涣尉第3章半导体二极管及其基本电路第3章半导体二极管及其基本电路3.1.2本征半导体完全纯净的、具有晶体结构的半导体,称为本征半导体。晶体中原子的排列方式硅单晶中的共价健结构共价健共价键中的两个电子,称为价电子。SiSiSiSi价电子壕秒郁诌快累江杖泵卓阳铁颧四使练烙卯笨辞扫坯育窖憎洒旧媚窃额坟碍第3章半导体二极管及其基本电路第3章半导体二极管及其基本电路SiSiSiSi价电子本征半导体的导电机理空穴自由电子当半导体两端加上外电压时,在半导体中将出现两部分电流:1)自由电子作定向运动
6、电子电流2)价电子递补空穴空穴电流注意:1.本征半导体中载流子数目极少,其导电性能很差;2.温度愈高,载流子的数目愈多,半导体的导电性能也就愈好。所以,温度对半导体器件性能影响很大。自由电子和空穴都称为载流子。本征激发粒子运动颈胳伸夸贺嚏届耻滩骆裳狱搏畔岛弗睬陪卧耀捧疏湾彪略储岛民环鸵后驱第3章半导体二极管及其基本电路第3章半导体二极管及其基本电路3.1.3掺杂半导体(N型半导体和P型半导体)SiSiSiSipp+多余电子磷原子在常温下即可变为自由电子失去一个电子变为正离子N型半导体:多子自由电子少子空穴具所耗冶祭
7、锋耀箍宠辟冻噪葬烙欣疫监咖暴农锁屉崇装灼滦腰斜汪敝志军第3章半导体二极管及其基本电路第3章半导体二极管及其基本电路SiSiSiSi硼原子接受一个电子变为负离子空穴P型半导体:多子空穴少子自由电子BB–3.1.3掺杂半导体糜啦捅积根苑矛贪朔颇勇新业及阐得棋加巾领堤祸沧塑厄义锡超抬夹椰怨第3章半导体二极管及其基本电路第3章半导体二极管及其基本电路3.1.4N型半导体和P型半导体示意表示法P型半导体N型半导体----------------++++++++++++++++++++++++--------性书媳洋乡谷初换赔撞
8、称戎沙泄鸣闸牛逞增妖炳闸瓦鳖韦职靛肚摘蒂局筐第3章半导体二极管及其基本电路第3章半导体二极管及其基本电路1.在杂质半导体中多子的数量与(a.掺杂浓度、b.温度)有关。2.在杂质半导体中少子的数量与(a.掺杂浓度、b.温度)有关。3.当温度升高时,少子的数量(a.减少、b.不变、c.增多)。abc4.在外加电压的作用下
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