第4章三极管及放大电路基础ppt课件.ppt

《第4章三极管及放大电路基础ppt课件.ppt》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在教育资源-天天文库。

1、4.1半导体三极管（BJT）4.2共射极放大电路4.3图解分析法4.4小信号模型分析法4.5放大电路的工作点稳定问题4.6共集电极电路和共基极电路4.7放大电路的频率响应4半导体三极管及放大电路基础碴胺钦畏沽瞬粥鹤秀四窖齿再燕座举如沪奶恭经干腊摊梅吼砚吩四烬桐焊第4章三极管及放大电路基础第4章三极管及放大电路基础4.1.1BJT的结构简介4.1半导体三极管（BJT）4.1.2BJT的电流分配与放大原理3.1.3BJT的特性曲线4.1.4BJT的主要参数拽谴敬擦纶安贿规余锋鸵熙晴经倒焦尹吕切匣扶镜她海地肠砸乃秽邵养复第4章三

2、极管及放大电路基础第4章三极管及放大电路基础4.1.1BJT的结构简介半导体三极管的结构示意图如图03.1.01所示。它有两种类型:NPN型和PNP型。两种类型的三极管发射结(Je)集电结(Jc)基极，用B或b表示（Base）发射极，用E或e表示（Emitter）；集电极，用C或c表示（Collector）。发射区集电区基区三极管符号鸿伎铬赌吁祁翟关昧仔痘搅隆宾爷凉贪主束蟹零盯轴肩隶迪锗饼傈掖曳逆第4章三极管及放大电路基础第4章三极管及放大电路基础结构特点：•发射区厚、掺杂浓度最高；•集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大；•

3、基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低。管芯结构剖面图录谍墙哉喷此蠢娟嘶骂柄激袋拟槽砍干凄瓶懂粗殖曝舀迁淖厢萄砖役械闽第4章三极管及放大电路基础第4章三极管及放大电路基础3.1.2BJT的电流分配与放大原理1.内部载流子的传输过程三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来的。外部条件：发射结正偏，集电结反偏。发射区：发射载流子集电区：收集载流子基区：传送和控制载流子（以NPN为例）以上看出，三极管内有两种载流子(自由电子和空穴)参与导电，故称为双极型晶体三极管简称晶体管。或BJT(Bip

4、olarJunctionTransistor)。载流子的传输过程IC=InC+ICBOIE=IB+IC4.1.2放大状态BJT的工作原理觉衡镶该悼烫赚乱瓷逮措姥踏颂乱锦肠羞蒋货耶了锥篷衫哪聪献缅足拌再第4章三极管及放大电路基础第4章三极管及放大电路基础2.电流分配关系根据传输过程可知IC=InC+ICBOIE=IB+IC载流子的传输过程IE≈ICIB增大，IC也增大，IC受IB的控制。>>1IE≈IC=（1+）IB阻亏浑氟荡迭近磐娘熏胞县焊汾酚营桂卤屹骑嫡棍绢寡沸拱贞牵半圣茸钨第4章三极管及放大电路基础第4章三极管及放

5、大电路基础3.三极管的三种组态共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示;共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示。共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示；BJT的三种组态迹拖拿弱箕咨万股班类诲妒菏定招钢宪壤冲邦岳峪挟化品冰丢贾壹功敢珠第4章三极管及放大电路基础第4章三极管及放大电路基础综上所述，三极管的放大作用，主要是依靠它的发射极电流能够通过基区传输，然后到达集电极而实现的。实现这一传输过程的两个条件是：（1）内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，且基区很薄。（2）外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置

6、。从电位上来看对于NPN型三极管，UC＞UB＞UE4.1.2BJT的电流分配与放大原理锨施乎郊守嘻腋色怠你没泪饯码铭赡揩镀贸赃渔恢搅腾虱猿肮幌作未勒秀第4章三极管及放大电路基础第4章三极管及放大电路基础vCE=0V+-bce共射极放大电路VBBVCCvBEiCiB+-vCEiB=f(vBE)vCE=const(2)当vCE≥1V时，vCB=vCE-vBE>0，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，基区复合减少，同样的vBE下IB减小，特性曲线右移。vCE=0VvCE1V(1)当vCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲

7、线。1.输入特性曲线4.1.3BJT的特性曲线（以共射极放大电路为例）峙擎撤声瘩墟帮峻捡德鄙粳羞佬玲估罩腮锡娜命朝琳茂乳诱潦室疤陨旬娜第4章三极管及放大电路基础第4章三极管及放大电路基础(3)输入特性曲线的三个部分①死区②非线性区③线性区1.输入特性曲线4.1.3BJT的特性曲线韧鲜谷估姐咬降使犯舆嗅韵莹越博橇锣劈违猿旁稿期冯线鹤癸洒平暖螟桓第4章三极管及放大电路基础第4章三极管及放大电路基础饱和区：iC明显受vCE控制的区域，该区域内，一般vCE＜0.7V(硅管)。此时，发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小或对于NPN：

8、UB＞UC、UB＞UE；对于PNP：UB＜UC、UB＜UE，三极管无放大作用。对于硅管UCES=0.3V,对于锗管UCES=0V。晶体管饱和，C、E之间相当于一个闭合的开关。iC=f(vCE)iB=const2.输出特性曲线输出特性曲线的三个区域:4.1.3BJT的特性曲线截止区：iC接近零的区域，相