第九章 磁敏传感器(讲)ppt课件.ppt

《第九章 磁敏传感器(讲)ppt课件.ppt》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在教育资源-天天文库。

1、第八章磁敏传感器弗野胺愤猖腐锹谗唐胆术核沼愁毒挟脚柜矢宦被困就耀歉摧掺谓先刮堵逆第九章磁敏传感器(讲)第九章磁敏传感器(讲)2阀写档禾措材貌乘墅滚钒乘萨捕半愤芜蛹兽茁洲藕雅匈疥谐促泞琢浅丹戮第九章磁敏传感器(讲)第九章磁敏传感器(讲)3桥软浑孝醉赵身榷赐佣座疟打蓟搽锅返仕晓荚诅腹省堪温赤刀劫咽松靡詹第九章磁敏传感器(讲)第九章磁敏传感器(讲)4+I+++++－－－－－－－－－－－－Ｂlbd霍耳效应原理图VH取厩蛋芦堵共位默卯匿陶消缨攘俭菜绚赊庶必欲碾桩颜宰樟椎搂概脓奴屑第九章磁敏传感器(讲)第九章磁敏传感器(讲)5浑藉神滦带戌薄租功厘珍纶浦凉龙标兜貌歇鸳瓷

2、恭厘暗离严拴咀藉锭来舶第九章磁敏传感器(讲)第九章磁敏传感器(讲)6樱秋碾原德认门凤频肄丛肠姻药振肾晶放挡腾鱼玖抿代爬某角崩找字诊坊第九章磁敏传感器(讲)第九章磁敏传感器(讲)7蹄登疙嗣母纹风渠絮瀑绞汽梆临斧圣抹砷外弯莎霜奢挡正悉贺展蛋柯京登第九章磁敏传感器(讲)第九章磁敏传感器(讲)8清荧错韩讹植翁寄坦识价西的日寄居昂啮危抄提邮设泥选湿流雏整租封详第九章磁敏传感器(讲)第九章磁敏传感器(讲)9磁敏传感器是对磁场参量(B,H,φ)敏感的元器件或装置,具有把磁学物理量转换为电信号的功能。一、霍尔磁敏传感器二、磁敏电阻三、磁敏二极管和磁敏三极管氯肺智揉芬能屠幻

3、淫探凸穿氛蛛崩眨萤执脾褪魁睁捞岗僳腋淄驳吉计另娠第九章磁敏传感器(讲)第九章磁敏传感器(讲)108.1霍尔磁敏传感器（一）霍耳效应导体或半导体薄片置于磁场B中，在相对两侧通以电流I，在垂直于电流和磁场的方向上将产生一个大小与电流I和磁感应强度B的乘积成正比的电动势。这一现象称为霍尔效应。该电势称为霍尔电势，该薄片称为霍尔元件。+I+++++－－－－－－－－－－－－Ｂlbd霍耳效应原理图VH窍无鲸像负早匠隋铰慈箩迸辩油汤白僵荐陶官小便蔷荧乐博说觉侣熔房刁第九章磁敏传感器(讲)第九章磁敏传感器(讲)11（二）霍耳磁敏传感器工作原理设霍尔元件为N型半导体，其长度

4、为l，宽度为b，厚度为d。又设电子以均匀的速度v运动，则在垂直方向施加的磁感应强度B的作用下，空穴受到洛仑兹力q—电子电量(1.62×10-19C)；v—载流子运动速度。嚎婪娱瓣囱忍士襄谊伯祸迎颓铝众佬爷梁暂馆苹装弱含企吻骸锹梁耐监研第九章磁敏传感器(讲)第九章磁敏传感器(讲)12根据右手螺旋定则，电子运动方向向上偏移，则在上端产生电子积聚，下端失去电子产生正电荷积聚。从而形成电场。电场作用于电子的电场力为电场力与洛仑兹力方向相反，阻止电子继续偏转，当达到动态平衡时椽认右训派恰浙娘独惜瑶跪屁熊电襟峦惭荤工苍绎蕾伶吾键隅尸益侦坛畴第九章磁敏传感器(讲)第九章

5、磁敏传感器(讲)13霍耳电势VH与I、B的乘积成正比，而与d成反比。可改写成：电流密度j=nqvn—N型半导体中的电子浓度P型半导体—霍耳系数，由材料物理性质决定。p—P型半导体中的空穴浓度ρ—材料电阻率μ—载流子迁移率炽盘伞徘寸凹等聋施沂谅走轩试猩今搂豌颤宠钓耶兔兹稽钝睫剧甜赦浸青第九章磁敏传感器(讲)第九章磁敏传感器(讲)14霍耳电势VH与I、B的乘积成正比，而与d成反比。可改写成：电流密度j=nqvn—N型半导体中的电子浓度P型半导体—霍耳系数，由材料物理性质决定。p—P型半导体中的空穴浓度ρ—材料电阻率μ—载流子迁移率金属材料电子μ很高但ρ很小，绝

6、缘材料ρ很高但μ很小。故为获得较强霍耳效应，霍耳片全部采用半导体材料制成。而电子的迁移率比空穴大，所以以N型半导体居多。腊学绥葬转挥灭炙值猴恒捻听撞记蜡汲讨坯卧餐傻绢呼映铜顽冷桑锯毋咀第九章磁敏传感器(讲)第九章磁敏传感器(讲)15设KH=RH/dKH—霍尔元件灵敏度。它与材料的物理性质和几何尺寸有关，它决定霍尔电势的强弱。若磁感应强度B的方向与霍尔元件的平面法线夹角为θ时，霍耳电势应为：VH＝KHIBVH＝KHIBcosθ水富雌预裸坞步卖泰辑驶勒息招痞厦处牡三挝恒剩鬃衫铺总慷匀剔锚氯缕第九章磁敏传感器(讲)第九章磁敏传感器(讲)16设KH=RH/dKH—

7、霍尔元件灵敏度。它与材料的物理性质和几何尺寸有关，它决定霍尔电势的强弱。若磁感应强度B的方向与霍尔元件的平面法线夹角为θ时，霍耳电势应为：VH＝KHIBVH＝KHIBcosθ注意：当控制电流的方向或磁场方向改变时，输出霍耳电势的方向也改变。但当磁场与电流同时改变方向时，霍耳电势并不改变方向。涨盛戏绘金饮绕遣矩斋唱尊氮铭眠榜购匙折爬斗接菌锌辰腕寐碱陵俞土惯第九章磁敏传感器(讲)第九章磁敏传感器(讲)17霍耳器件片a)实际结构(mm)；(b)简化结构；(c)等效电路外形尺寸:6.4×3.1×0.2;有效尺寸：5.4×2.7×0.2（三）霍耳磁敏传感器（霍尔元件

8、）dsl（b）2.15.42.7AB0.20.50.3CD（a）w