第3章汇编语言程序设计补充习题.doc

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1、MCS—51单片机指令系统及程序设计一．单项选择题，从供选择的答案中选出正确的选项，并将标号填写到答题册中，每小题1分。1．MCS-51汇编语言指令格式中，唯一不可缺少的部分是B。A．标号B．操作码C．操作数D．注释2．MCS-51的立即寻址方式中，立即数前面D。A．应加前缀“/：”号B．不加前缀号C．应加前缀“@”号D．应加前缀“#”号3．下列完成8031单片机内部RAM数据传送的指令是D。A．MOVXA，@DPTRB．MOVCA,@A+PCC．MOVA，#dataD．MOVdirect,di

2、rect4．MCS-51的立即寻址的指令中，立即数就是B。A．放在寄存器R0中的内容B．放在程序中的常数C．放在A中的内容D．放在B中的内容5．单片机中PUSH和POP指令常用来C。A．保护断点B．保护现场C．保护现场，恢复现场D．保护断点，恢复断点6．MCS-51寻址方式中，操作数Ri加前缀“@”号的寻址方式是A。A．寄存器间接寻址B．寄存器寻址C．基址加变址寻址D．立即寻址7．MCS-51寻址方式中，位寻址的寻址空间是D。A．工作寄存器R0～R7　B．专用寄存器SFR　C．程序存贮器ROMＤ

3、．片内RAM的20H～2FH字节中的所有位和地址可被8整除的SFR的有效位8．MCS-51寻址方式中，直接寻址的寻址空间是D。A．工作寄存器R0～R7　B．专用寄存器SFR　C．程序存贮器ROMＤ．片内RAM00H--7FH的128字节和80H--FFH中的SFR9．执行指令MOVXA，@DPTR时，、脚的电平为C。A．高电平，高电平B．低电平，高电平C．高电平，低电平D．低电平，低电平10．主程序执行完ACALL后返回主程序后，堆栈指针SP的值A。A．不变B．加2C．加4D．减211．单片机中

4、使用MOVXA，@R1指令C寻址数据存贮器1050H单元。A．能直接B．不能C．与P2口配合能D．与P1口配合能12．下列指令判断若P1口最低位为高电平就转LP，否则就执行下一句的是B。A．JNBP1.0，LPB．JBP1.0，LPC．JCP1.0，LPD．JNZP1.0，LP13．指令JBOEOH，LP中的OEOH是指C。A．累加器AB．累加器A的最高位C．累加器A的最低位D．一个单元的地址14．下列指令中比较转移指令是指B。A．DJNZRn，relB．CJNERn，#data，relC．DJ

5、NZdirect，relD．JBCbit，rel15．指令MOVR0，#20H执行前（R0）=30H，（20H）=38H，执行后（R0）=B。A．00HB．20HC．30HD．38H16．指令MOVR0，20H执行前（R0）=30H，（20H）=38H，执行后（R0）=D。A．20HB．30HC．50HD．38H17．执行如下三条指令后，30H单元的内容是B。MOVR1，#30HMOV40H，#0EHMOV@R1，40HA．40HB．0EHC．30HD．FFH18．MCS-51指令包括操作码和操

6、作数，其中操作数是指D。A．参与操作的立即数B．寄存器C．操作数D．操作数或操作数地址19．MCS-51指令MOVR0，#20H中的20H是指D。A．立即数B．内部RAM20HC．一个数的初值D．以上三种均有可能，视该指令的在程序中的作用20．MCS-51单片机在执行MOVXA，@DPTR或MOVCA，@A+DPTR指令时，其寻址单元的地址是由B。A．P0口送高8位，P2口送高8位B．P0口送低8位，P2口送高8位C．P0口送低8位，P2口送低8位D．P0口送高8位，P2口送低8位21．在MCS

7、-51指令中，下列指令中C是无条件转移指令。A．LCALLaddr16B．DJNZdirect,relC．SJMPrelD．ACALLaddr1122.下列指令中影响堆栈指针的指令是D。A．LJMPB．ADDC．MOVCA，@A+PCD．LCALL23．设A=AFH（20H）=81H，指令：ADDCA，20H执行后的结果是B。A．A=81HB．A=30HC．A=AFHD．A=20H24．已知：A=DBHR4=73HCY=1，指令：SUBBA，R4执行后的结果是C。A．A=73HB．A=DBHC．

8、A=67HD．以上都不对25．将内部数据存储单元的内容传送到累加器A中的指令是C。A．MOVXA，@R0B．MOVA,#dataC．MOVA，@R0D．MOVXA,@DPTR26．下列指令执行时，修改PC中内容的指令是C。A．SJMPB．LJMPC．MOVCA，@A+PCD．LCALL27．下列指令执行时，不修改PC中内容的指令是A。A．AJMPB．MOVCA，@A+PCC．MOVCA，@A+DPTRD．MOVXA，@Ri28．已知：A=D2H，（40H）=77H，执行指令：ORLA，40H后，