ExecutiveSummary（高亮LED增强型工艺）.doc

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1、GreaterLightCreationofHBLED（高亮度LED的增强型工艺）TechnologyGreaterLightCreationofHBLEDReferencenumberRTC0008-2-S028DocumenttypeExecutiveSummaryv1.0ConfidentialityLevelPublicDate8/8/2010EditorChrisZhangBusinessmodelInvestment背景在各国政府大力倡导节能与环保的驱动下，高亮度LED已经开始大举进入通用照明市场，被广泛应用于交通灯、景观照明、汽车行车灯、室内装饰灯、矿灯和

2、航标灯等，在成本进一步降低和技术不断提升的基础上，高亮度LED市场正在大幅增长。同时，中国正成为高亮度LED应用的最大市场。一方面，中国巨大的人口资源无疑将使中国成为全球最大的LED照明灯市场，另一方面，受2008年北京奥运会拉动，各种户外显示屏已成为目前炙手可热的产品，这一市场将在近年内带来井喷式的商机，受巨大市场需求的推动，高亮度LED已经成为近年来的高热门产品。上图表明了随着不同时代的发展，每个时代的新市场的不断涌现。可以看出，随着LED的亮度和效率不断提高，我们正在迎接一个新的“时代”，并开创新的市场。这个时代，就是“电能时代”，粗略预计当前市场的价值不低于90

3、亿美元/每年。上图为StrategiesUnlimited公司针对美国加州为基础进行的照明市场规模走势分析，受到显示器、汽车和照明设备的规模增长的推动，未来3年内照明市场将会保持不断增长，2013年将达到120亿美元。最近该数值分析的最新修正表明，到2014年预计将达到200亿美元。上图显示了在过去十年间，照明行业LED亮度增加的变化情况。由于受到了节能和全球法规的推动，低效白炽灯泡正在逐渐被淘汰，市场需求的变化，正在要求技术性强、制造成本更低的高光能输出产品。技术概述在Dr.TaoWang的在HBLED领域的卓越发明作为基础下，Dr.CarlGriffths和Dr.G

4、odfreyAinsworth一同于2009年11月创建了SerenPhotonicsLtd（Seren光电有限公司），已经取得了显著的成果。作为HBLED领域国际知名的研究权威，Dr.TaoWang经过多年的探索，取得重大突破。经过改良的增强型工艺技术，克服了利用增强表面等离子体产生光线所遇到的固有问题，该工艺技术可使得高亮度蓝色LED中心产生大量增强光线，该技术是英国著名的谢菲尔德大学（TheUniversityofSheffield）下一代超高亮度LED研究方向上迄今为止所取得的最卓越的成果，在目前英国的綠色无烟工业领域备受瞩目，目前已经进入专利申请流程。如上图加

5、工中心的数据所示，该研究成果令人振奋。根据目前的研究表明，采用Seren领先的增强型工艺技术处理后，HBLED的亮度将比未采用该工艺的传统技术高很多，根据大量的试验表明，在采用相同晶片、相同的功率水平下，采用Seren技术，将使得亮度增强3倍。技术优势此项技术所带来的重大突破，其更高效率的成果，将为HBLED领域带来深远的影响。l同样的光量，更低的热量Ø由于对电流需求的明显降低，整体产生的热量明显降低，对散热器的设计要求将更低；Ø在制造中所用的封装材料可以更为廉价，从而可用廉价的注塑外壳代替昂贵的陶瓷；Ø在此基础上，由于使得HBLED本身已不是很热，因此冷却所需的代价更

6、低，可以明显增强其使用可靠性和寿命l光量更多Ø使用该工艺会有更多的光量输出，从而驱动一个新的“功率时代”的来临，开拓新的市场应用；Ø即便是满足现有的应用需求，该工艺技术也可减少HBLED的数量，带来更多商机l无需更换现有的设备与工艺技术ØHBLED是以铟氮化镓（InGaN)、氮化镓（GaN)和氮化铝(AlN)目前被称为第三代半导体为基础，诞生固态照明光源。采用Seren供以后，只需在常规加工步骤额外加入Seren的新工艺部分即可；Ø额外增加的部分，并不涉及现有加工设备的任何改变，制造商仍将采用其熟悉的相关技术和工艺；Ø凭借采用工艺带来的发光效果，制造商将获得订单显著增加

7、、产量增大的情况，因此该额外增加的工艺所带来的额外成本（本身就很低）将会变得极小甚至微不足道，同时，所需的二极管并不会额外增加卓越团队领先的技术需要卓越的团队，Seren拥有权威而豪华的团队阵容，是这一领先技术在未来得以快速占领市场的重要保障。l技术发明人：Dr.TaoWangØ英国谢菲尔德大学电机工程系副教授，德国固态物理学博士学位，Ø2000-2002年担任日本氮化物半导体株式会社首席科学家、研发中心主任、董事Ø2002年开始，在谢菲尔德大学领导一个由3名博士后,5名博士研究生组成的氮化物半导体团队,并依托英国国家半导体实验室(英国E