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时间:2020-10-02
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1、1.()何謂奈米的單位(1)mm(2)um(3)cm(4)nm1.(4)何謂奈米的單位(1)mm(2)um(3)cm(4)nm2.()奈米線為一維奈米材料2.(○)奈米線為一維奈米材料3.()本實驗奈米線合成的材料為何3.(ZnO)本實驗奈米線合成的材料為何4.()本實驗合成奈米線的溫度4.(500℃)本實驗合成奈米線的溫度5.()本實驗合成奈米線所通入的氣體(1)Cl2(2)O2(3)N2(4)H25.(2)本實驗合成奈米線所通入的氣體(1)Cl2(2)O2(3)N2(4)H26.()本實驗合成奈米線的機制6.(VLS,VS)本實驗合成奈
2、米線的機制7.()VLS為何7.(氣相-液相-固相)VLS為何8.()VS為何8.(氣相-固相)VS為何9.()本實驗合成奈米線的觸媒為何9.(金)本實驗合成奈米線的觸媒為何10.()本實驗合成奈米線使用的基板為何10.(矽,氧化鋁)本實驗合成奈米線使用的基板為何11.()ZnO奈米線的晶體結構11.(HCP)ZnO奈米線的晶體結構12.()ZnO為半導體材料12.(○)ZnO為半導體材料13.()ZnO為寬能隙半導體13.(○)ZnO為寬能隙半導體14.()ZnO為功能性氧化物14.(○)ZnO為功能性氧化物15.()HCP的APF為何1
3、5.(0.74)HCP的APF為何16.()ZnO奈米線的Latticeconstantsatroomtemp為a=3.250,c=5.20516.(○)ZnO奈米線的Latticeconstantsatroomtemp為a=3.250,c=5.20517.()ZnO為P-Type17.(○)ZnO為P-Type18.()合成奈米線時須放置在爐管中央18.(○)合成奈米線時須放置在爐管中央19.()本實驗鋅粉取(1)0.3g(2)1.0g(3)2.0g(4)3.3g19.(1)本實驗鋅粉取(1)0.3g(2)1.0g(3)2.0g(4)3.
4、3g20.()ZnO奈米線摻雜何種材料20.(Al)ZnO奈米線摻雜何種材料21.()奈米線具有高比表面積21.(○)奈米線具有高比表面積22.()奈米線易於應用感測元件22.(○)奈米線易於應用感測元件23.()奈米線易於應用雷測元件23.(○)奈米線易於應用雷測元件24.()SEM全名24.(掃描式電子顯微鏡)SEM全名25.()TEM全名25.(穿透式電子顯微鏡)TEM全名26.()SEM試片製作需鍍金26.(○)SEM試片製作需鍍金27.()製作奈米線的TEM試片必需使用超音波震盪27.(○)製作奈米線的TEM試片必需使用超音波震盪
5、28.()超音波震盪使用時間為20分28.(×)超音波震盪使用時間為20分29.()如何判定是VLS或VS29.(有無鍍金)如何判定是VLS或VS30.()分析起始電場與飽和電流曲線稱為場發射特性30.(○)分析起始電場與飽和電流曲線稱為場發射特性31.()分析感測元件對酒精氣體的反應時間與回覆時間稱為氣體感測31.(○)分析感測元件對酒精氣體的反應時間與回覆時間稱為氣體感測32.()分析UV燈源照射下,感測元件之反應時間與回覆時間稱為UV感測32.(○)分析UV燈源照射下,感測元件之反應時間與回覆時間稱為UV感測33.()UV稱為紫外光3
6、3.(○)UV稱為紫外光34.()分析場發射特性時需抽真空34.(○)分析場發射特性時需抽真空35.()50Torr稱為低真空35.(○)50Torr稱為低真空36.()10-2Torr稱為低真空36.(×)10-2Torr稱為低真空37.()10-5Torr稱為高真空37.(○)10-5Torr稱為高真空38.()抽真空時需先開渦輪幫浦38.(×)抽真空時需先開渦輪幫浦39.()分析場發射特性時需量測極限值39.(○)分析場發射特性時需量測極限值40.()分析場發射特性時起始電壓越低越好40.(○)分析場發射特性時起始電壓越低越好41.(
7、)V=E×L41.(○)V=E×L42.()分析UV特性時反應時間與回覆時間越高越好42.(×)分析UV特性時反應時間與回覆時間越高越好43.()分析氣體感測時反應時間與回覆時間越高越好43.(×)分析氣體感測時反應時間與回覆時間越高越好44.()氧化鋅的Bandgapenergy在室溫時為(1)3.37eV(2)4.37eV(3)5.37eV(4)3.27eV44.(1)氧化鋅的Bandgapenergy在室溫時為(1)3.37eV(2)4.37eV(3)5.37eV(4)3.27eV45.()氧化鋅的ThermoelectricCons
8、tantat573K為(1)1200mV/K(2)1400mV/K(3)1500mV/K(4)1100mV/K45.(1)氧化鋅的ThermoelectricConstantat
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