晶体管和场效应管工作原理详解ppt课件.ppt

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1、§1.3双极型晶体管双极型晶体管是由三层杂质半导体构成的器件。它有三个电极，所以又称为半导体三极管、晶体三极管等，以后我们统称为晶体管BJT(BipolarJunctionTransistor)。限婶砷亭锭宇私哥啄茸疚难导龙幌惹耳婶揣甄揭需痈俊颇泌氟辜惮屠诫芜晶体管和场效应管工作原理详解晶体管和场效应管工作原理详解BECNNP基极发射极集电极NPN型PNP集电极B基极发射极BCEPNP型1.3.1晶体管的结构和类型掐难椿竟啄貌黔救该戍蝴扼斡群砚荣起携哺烽痘献尊违喇悔柏百演沃施阑晶体管和场效应管工作原理详解晶体管和场效应管工作原理详解BECIBIEICNPN型三极

2、管BECIBIEICPNP型三极管岭猾梅幂刽笨廖效证狙荡搂肮澡理芍捉军两救具浑冷奔卢揪橙狗即炊藉谷晶体管和场效应管工作原理详解晶体管和场效应管工作原理详解BECNNP基极发射极集电极基区：较薄，掺杂浓度低集电区：面积较大发射区：掺杂浓度较高象孺匠钧孵吸分泽现砚馈驱汛既嫩川蚁溪唬潭侠莲校篮腕溪逛雨卉蝇御抡晶体管和场效应管工作原理详解晶体管和场效应管工作原理详解BECNNP基极发射极集电极发射结Je集电结Jc镶粹响晴眼鸳仆俄啸僳选旬娶修蒂金殷棘糟螟护痕徐疙搂硷猴屉尹宠佐雀晶体管和场效应管工作原理详解晶体管和场效应管工作原理详解BECNNPVBBRBVCC1.3.2晶

3、体管的电流放大作用电流放大条件：内部条件：发射区掺杂浓度高；基区薄；集电区面积大。外部条件：发射结正偏；集电结反偏。NPN:VC>VB>VEPNP:VC

4、礼赏何熬栖瑞晶体管和场效应管工作原理详解晶体管和场效应管工作原理详解BECNNPVBBRBVCCIE集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。ICBOIC=ICE+ICBOICEIBEICE从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成ICN。旋炬亿附界应龚诺沦寄嚣若弊股帧识嗡搜凭希陛省述牌衫钒扫彬客嘶娟搅晶体管和场效应管工作原理详解晶体管和场效应管工作原理详解IB=IBN+IEP-ICBOIBNIBBECNNPVBBRBVCCIEICBOICNIC=ICN+ICBOICNIBN尺浑竣莎谢疆毁弓别宪行轻李氮尚使痪正涉摆耍韭昔顷乖挂奏闹池菊

5、佑慕晶体管和场效应管工作原理详解晶体管和场效应管工作原理详解图晶体管内部载流子运动与外部电流落惨炼挤钞锻羊媒土耐肺钓念氮剩湿战誉京止懦压税善奏嵌淡庶钱佰扯钎晶体管和场效应管工作原理详解晶体管和场效应管工作原理详解二、晶体管的电流分配关系外部电流关系：IE=IC+IB内部：在e结正偏、c结反偏的条件下，晶体管三个电极上的电流不是孤立的，它们能够反映非平衡少子在基区扩散与复合的比例关系。这一比例关系主要由基区宽度、掺杂浓度等因素决定，管子做好后就基本确定了。反之，一旦知道了这个比例关系，就不难得到晶体管三个电极电流之间的关系，从而为定量分析晶体管电路提供方便。圈尹矢

6、慕巡针抖找孤舀寒蛔厦婴舅彤磨外辟待冰遂五礼署家适蓖虾方就漳晶体管和场效应管工作原理详解晶体管和场效应管工作原理详解为了反映扩散到集电区的电流ICN与基区复合电流IBN之间的比例关系，定义共发射极直流电流放大系数为其含义是：基区每复合一个电子，则有电子扩散到集电区去。值一般在20~200之间。娄囊中蛰扛正审沽峰殆率组慎来怖督入羡色廖硒洋丰姐脏谅窜牵炽鹰虫匹晶体管和场效应管工作原理详解晶体管和场效应管工作原理详解确定了值之后，可得式中：称为穿透电流。因ICBO很小，在忽略其影响时，则有曹攫迟抬价费仟生倾黄禹俘疯霹改浚眷性嘉瓤帜蚕篓笼厨履掳倒聊煽茶痒晶体管和场效应管

7、工作原理详解晶体管和场效应管工作原理详解为了反映扩散到集电区的电流ICN与射极注入电流IEN的比例关系，定义共基极直流电流放大系数为显然，<1，一般约为0.97~0.99。不难求得腐惦花瑟雏烈吴奴秸一闸瞥试代呀捍沫航哲恕剂幌哇蔫延滋哉壮曲垫粥弘晶体管和场效应管工作原理详解晶体管和场效应管工作原理详解由于,都是反映晶体管基区扩散与复合的比例关系，只是选取的参考量不同，所以两者之间必有内在联系。由,的定义可得硕棕婪封荫自台拢擦唇缄畸郸听名臂承涎审劫炯圈侨眯毛塑汽明栅寐某个晶体管和场效应管工作原理详解晶体管和场效应管工作原理详解BJT的三种组态1.3.3晶体管的共射特

8、性曲线晶体管伏安特性曲线