第1章 绪论+半导体器件ppt课件.ppt

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1、前言一、电子技术是指研究含有电子器件(二极管、三极管、电阻、电容、电感等)电路的一门学科，亦称电子线路。电子技术可以分为：模拟和数字(按信号特点)高频和低频(按信号频率)二、怎样才能学习好该课程？1.重视课堂教学和自学；2.注重理论与实践；3.抓住基本概念、基本原理和基本分析方法；4.及时做好复习，自己完成作业，适量做一些课外习题；选适量的参考书，做适当的笔记。三、本课程考核方式1.统一考试，统一阅卷；2.卷面成绩80%，平时成绩20%；3.平时成绩由出勤和作业组成，各占10%。参考书目：[1]康华光.电子技术基础[2]童诗白,华成英.电子技术基础(第三版)第1

2、章半导体器件第1章半导体器件第1节半导体基础第2节半导体二极管第3节稳压二极管第4节晶体三极管第5节场效应管第1章重点PN结的形成及其单向导电性二极管的伏安特性和应用电路三极管的工作原理与伏安特性场效应管的工作原理、特性曲线第1节半导体基础一、半导体导体：很容易导电的物质。如：金属等绝缘体：几乎不导电的物质。如：橡皮、陶瓷、塑料、石英等半导体：导电特性处于导体与绝缘体之间的物质。如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等当受外界热和光等作用时，它的导电能力明显提高。往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使它的导电能力显著改变。现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗，它们的

3、最外层电子（价电子）都是四个。Ge1.本征半导体Si通过一定的工艺过程，可以将半导体制成晶体。完全纯净的、结构完整的半导体晶体，称为本征半导体。在硅和锗晶体中，原子按四角形系统组成晶体点阵，每个原子都处在正四面体的中心，而四个其它原子位于四面体的顶点，每个原子与其相临的原子之间形成共价键，共用一对价电子。硅和锗的共价键结构共价键共用电子对+4+4+4+4+4表示除去价电子后的原子Si硅和锗的晶体结构共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。形成共价

4、键后，每个原子的最外层电子是八个，构成稳定结构。共价键有很强的结合力，使原子规则排列，形成晶体。+4+4+4+4本征半导体的导电机理+4+4+4+4空穴吸引临近的电子对中的电子来填补，这样的现象，结果相当于空穴的迁移，而空穴的迁移相当于正电荷的移动，因此可以认为：空穴也是载流子。载流子：自由电子，空穴。成对出现，成对消失。空穴自由电子束缚电子热激发2.杂质半导体在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加。使自由电子浓度大大增加的杂质半导体称为N型半导体（电子半导体），使空穴浓度大大增加的杂质半

5、导体称为P型半导体（空穴半导体）。+4+4+5+4N型半导体多余电子磷原子P型半导体+4+4+3+4空穴硼原子杂质半导体的示意表示法++++++++++++++++++++++++N型半导体－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－P型半导体1、本征半导体中为什么成对产生自由电子和空穴?2、N型半导体中的载流子是什么？自由电子称为多数载流子（多子），空穴称为少数载流子（少子）。3、P型半导体中的载流子是什么？自由电子称为少数载流子（少子），空穴称为多数载流子（多子）。4、多数载流子由什么决定？少数载流子由什么决定？？多子扩散运动少子漂移运动空间电荷区,耗尽

6、层,阻挡层二、PN结的形成结合→浓差→多子扩散→界面复合,空间电荷区→形成内电场E方向(N→P)静电场作用a.阻碍多子扩散,但是扩散愈多E愈强;b.利于少子漂移,但漂移愈多，E愈弱。最终→动态平衡,稳定.耗尽,阻挡层,空间电荷区→PN结PN结++++P型半导体N型半导体++++++++++++++++++++－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－内电场E扩散的结果是使空间电荷区逐渐加宽，空间电荷区越宽。漂移运动P型半导体－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－N型半导体++++++++++++++++++++++++扩散运动内电场E内电场越强，

7、就使漂移运动越强，而漂移使空间电荷区变薄。PN结正向偏置－－－－++++内电场外电场变薄PN+_内电场被削弱，多子的扩散加强能够形成较大的扩散电流，PN结导通。三、PN结的单向导电性PN结反向偏置－－－－++++内电场外电场变厚NP+_内电场被加强，多子的扩散受抑制。少子漂移加强，但少子数量有限，只能形成较小的反向电流，PN结截止。正向偏置PN结导通反向偏置PN结截止少子漂移电流(微)(P区高电位、N区低电位)(P区低电位、N区高电位)多子扩散电流（大）引线外壳线触丝线基片点接触型第2节半导体二极管一、结构和类型PN结加上引线和管壳，就成为半导体二极管。符号阳极

8、正极阴极负极PN结面接触