第3章 光纤通信器件课件.ppt

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1、第三章通信用光器件3.2半导体光电检测器3.3光无源器件13.2半导体光电检测器光电检测器是光纤通信系统中接收端机中的第一个部件，由光纤传输来的光信号通过它转换为电信号。它是利用材料的光电效应实现光电转换的。目前在光纤通信系统中，常用的半导体光电检测器有两种：（1）PIN光电二极管（2）APD雪崩光电二极管23.2半导体光电检测器3.2.1半导体的光电效应3.2.2光纤通信中常用的半导体光电检测器3.2.3光电检测器的特性33.2.1半导体的光电效应半导体材料的光电效应是指如下这种情况：光照射到半导体的P-N结上，若光子能量足够大，则半导体材料中价带的电子吸

2、收光子的能量，从价带越过禁带到达导带，在导带中出现光电子，在价带中出现光空穴，即光电子—空穴对，又称光生载流子。43.2.1半导体的光电效应半导体材料的光电效应53.2.1半导体的光电效应当光照射在某种材料制成的半导体光电二极管上时，若有光电子—空穴对产生，显然必须满足如下关系，即λc称为截止波长，fc称为截止频率。63.2.2光纤通信中常用的半导体光电检测器1．PIN光电二极管2．APD雪崩光电二极管71．PIN光电二极管PIN光电二极管能带图8PIN光电二极管工作原理9PIN光电二极管结构PIN光电二极管结构示意图102．APD雪崩光电二极管如果能使电信

3、号进入放大器之前，先在光电二极管内部进行放大，这就引出了一种另外类型的光电二极管，即雪崩光电二极管，又称APD（AvalanchePhotoDiode）。它不但具有光/电转换作用，而且具有内部放大作用，其内部放大作用是靠管子内部的雪崩倍增效应而完成的。112．APD雪崩光电二极管（1）雪崩光电二极管的雪崩倍增效应（2）雪崩光电二极管的结构及其工作原理目前光纤通信系统中，使用的雪崩光电二极管结构型式，有保护环型和拉通（又称通达）型。雪崩光电二极管随使用的材料不同有几种：Si—APD（工作在短波长区）；Ge—APD，InGaAs—APD等（工作在长波长区）

4、。12（1）雪崩光电二极管的雪崩倍增效应13APD雪崩光电二极管结构雪崩光电二极管的结构和能带示意图14雪崩光电二极管RAM-APD的场分布15（2）雪崩光电二极管的结构及其工作原理163.2.3光电检测器的特性1．响应度R0和量子效率η2．响应时间3．暗电流ID4．雪崩倍增因子G5．倍增噪声和过剩噪声系数F（G）171．响应度R0和量子效率η响应度和量子效率都是描述这种器件光电转换能力的一种物理量。光电二极管的响应度和量子效率与入射光波频率、材料的特性及器件的结构有关。182．响应时间响应时间是指半导体光电二极管产生的光电流随入射光信号变化快慢的状态。一

5、般用响应时间（上升时间和下降时间）来表示。一个快速响应的光电检测器，它的响应时间一定是短的。上面讨论的响应时间是从时域角度来看的，若从频域角度看，短的响应时间即意味这个器件的带宽宽。193．暗电流ID理想条件下，当没有光照射时，光电检测器应无光电流输出。但是实际上由于热激励、宇宙射线或放射性物质的激励，在无光情况下，光电检测器仍有电流输出，这种电流称为暗电流。严格地说，暗电流还应包括器件表面的漏电流。由理论研究可知，暗电流将引起光接收机噪声增大。因此，器件的暗电流越小越好。204．雪崩倍增因子G雪崩光电二极管还有一个与雪崩倍增效应对应的参量—雪崩倍增

6、因子。在忽略暗电流影响条件下，它定义为一般APD的倍增因子G在40～100之间。PIN光电管因无雪崩倍增作用，所以G=1。215．倍增噪声和过剩噪声系数F（G）从物理概念上容易理解，雪崩光电二极管的倍增是具有随机性的。这种随机性的电流起伏将带来附加噪声，一般称为倍增噪声。倍增噪声可以用过剩噪声系数F（G）来描述为g是每个初始电子-空穴对因雪崩效应产生二次电子-空穴对的随机数223.3无源光器件3.3.1连接器和接头3.3.2光耦合器3.3.3光隔离器与光环行器3.3.4光开关3.3.5光滤波器3.3.6波长转换器3.3.7波分复用器3.3.8光纤光栅3.3.9

7、光调制器231、作用2、工作原理及结构3、性能参数243.3.1连接器和接头光纤连接方法包括光纤熔接法、V型槽机械连接和弹性管连接。第一种方法可产生永久性的连接，而后两种连接方法在需要时可以将已连接的光纤拆开。光纤熔接作用：实现光纤与光纤之间的永久性(固定)连接，主要用于光纤线路的构成，通常在工程现场实施。连接器作用：实现光纤与光纤之间可拆卸(活动)连接的器件，主要用于光纤线路与光发射机输出或光接收机输入之间，或光纤线路与其他光无源器件之间的连接。251.光纤熔接26272.连接器V型槽机械连接弹性管连接28在V型槽机械连接方法中，首先要将预备好的光纤端面紧靠

8、在一起，如图所示。然后将两根光纤使用粘