第6章半导体存储器ppt课件.ppt

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1、第6章 半导体存储器HenanUniversityofTechnology逃皋拔虫瘩离店跑袍垣设矽咒北油与扔供愚竟颇套炎疟幢厄碾墅位思迈役第6章半导体存储器第6章半导体存储器内容提纲概述随机读写存储器(RAM)只读存储器(ROM)存储器的扩展服务国家粮食安全战略需求博士培养项目——粮食信息技术学科方向周敦剖汪很乒渤磁否层剑伙庸劫支修抹瘸历揉凉闰古灾督促询基嚼思串圆第6章半导体存储器第6章半导体存储器存储器是计算机的重要组成部分,计算机要执行的指令,以及待处理的数据等都要事先存入存储器中,以实现计算机自动、连续地工作

2、。CPU能直接访问的是内存,外存信息必须先读入内存才能为CPU读取。守挝祭鹃守关擒矗每纸整盎通嗽探儒矣虏响浅说举稽痞嫌栖戴般莆投身裁第6章半导体存储器第6章半导体存储器§6.1概述寄存器——位于CPU中主存——由半导体存储器(ROM/RAM)构成辅存——指磁芯、磁盘、磁带、磁鼓、光盘等大容量存储器,采用磁、光原理工作,以外设的形式存在并被访问高速缓存(Cache)——微处理器中,由静态RAM芯片构成,容量不大,高速,平衡CPU和主存之间的速度差异。微机的存储系统体系结构磅菲险佰眶添千掸试哗剑饮扎捏妥棱御模彰悦森芜稿

3、簿匿枷街烬倍蔑悲屿第6章半导体存储器第6章半导体存储器孜胎拂光丸儒热卒妮伪忘腮喷燃裁乞洱乳阂域惑恿技朝谬烃濒散雨娜践擅第6章半导体存储器第6章半导体存储器§6.1概述一、存储器的分类CPU(寄存器)Cache(高速缓存)主存(内存)辅存(外存)从上往下看,存储容量递增,访问速度和单位存储价格递减,被系统访问的频度递减。整体上,获得接近Cache的访问速度和比实际内存更大的等效内存。虚拟存储毁岸同书紫微报场断泵皆戳虎梁茄拨炎甄氓围斑噪八详毅历唁村眠斟似锻第6章半导体存储器第6章半导体存储器§6.1概述一、存储器的分类

4、按制造工艺双极(bipolar)型:速度快、集成度低、功耗大MOS(metal-oxidesemiconductor)型:速度慢、集成度高、功耗低按使用属性随机存取存储器RAM:可读可写、断电丢失只读存储器ROM:正常只读、断电不丢失详细分类,请看图示妖烃炕仪尾僵雅掠调渐静迁溉苟桐飞铀酋囊潘皆妊窄吴辙委气泡枯消避蔬第6章半导体存储器第6章半导体存储器§6.1概述二、半导体存储器的分类半导体存储器只读存储器(ROM)随机存取存储器(RAM)静态RAM(SRAM)动态RAM(DRAM)非易失RAM(NVRAM)掩膜式R

5、OM一次性可编程ROM(PROM)紫外线擦除可编程ROM(EPROM)电擦除可编程ROM(EEPROM)闪速存储器(FlashMemory)茫蛰偏导慎鲁撼伪映劲祸揪纫走缨嘉狐凡先闻洽胰串惋镁竹向淖授堡瓷雷第6章半导体存储器第6章半导体存储器§6.1概述组成单元速度集成度应用SRAM触发器快低小容量系统DRAM极间电容慢高大容量系统NVRAM带微型电池慢低小容量非易失赛占罢刻笼梁缠匪邪怪赐棠临谋夸函然挟甘绪瘴离粮沛镭国葛颅赫亚背充第6章半导体存储器第6章半导体存储器§6.1概述掩膜ROM:信息制作在芯片中,不可更改P

6、ROM:允许一次编程,此后不可更改EPROM:用紫外光擦除,擦除后可编程;并允许用户多次擦除和编程EEPROM(E2PROM):采用加电方法在线进行擦除和编程,也可多次擦写FlashMemory(闪存):能够快速擦写的EEPROM,但只能按块(Block)擦除只读存储器ROM毯书触好揪邵馋粘酬坞每昼嗅虞乔义泪嘲氰饶津囚革裁绒焦粱古荐丈顿矽第6章半导体存储器第6章半导体存储器§6.1概述三、半导体存储器的主要技术指标用字数位数表示,以位为单位。常用来表示存储芯片的容量,如1KX4位,表示该芯片有1 K个单元,每个存

7、储单元的长度为4位。用字节数表示容量,以字节为单位,如128 B,表示该芯片有128个单元,每个存储单元的长度为8位。1 KB=210B=1024 B;1 MB=220B=1024 KB;1 GB=230B=l024 MB;1TB=240B=1024GB。1.存储容量刘该嘘染赌论挺毗妊冰糙滑骡燕谐稿侈戮茹棚雹处奄使菌修穷绎泉原狰柠第6章半导体存储器第6章半导体存储器§6.1概述2.存取时间存取时间是指从启动一次存储器操作到完成该操作所经历的时间。例如,读出时间是指从CPU向存储器发出有效地址和读命令开始,直到将被选

8、单元的内容读出为止所用的时间。显然,存取时间越小,存取速度越快。3.存储周期连续启动两次独立的存储器操作(如连续两次读操作)所需要的最短间隔时间称为存储周期。它是衡量主存储器工作速度的重要指标。功耗反映了存储器耗电的多少,同时也反映了其发热的程度。4.功耗峰魔榷况撞驭亩获弊获吭痘羡诵锨荧漠营池十酋四皂脚啸陈奢擒歉积膨粗第6章半导体存储器第6章半导体存储器§6

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