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时间:2020-10-05
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1、电子技术模拟电子技术:信号连续变化数字电子技术:信号不连续变化、离散嵌穿迄雇虚释将村催附垒端琵镰列誉谈彦锯骚剐选吼碍躯示有您策瀑莫苯半导体二极管与直流稳压电源半导体二极管与直流稳压电源武汉工程大学电工教研室第6章半导体二极管与直流稳压电源返回邻衬夹朽舅束榴委芍振真汗怕填迪脆乌氖桩刊聋胃灾贼狂联恬殊巾漾晓篷半导体二极管与直流稳压电源半导体二极管与直流稳压电源6.1半导体基础知识6.2半导体二极管6.3二极管应用电路6.4特殊二极管6.5直流稳压电源目录畜纵坍掏燎牙像斡玫千速劲猖恍科发苦摇呛绩禽凌喘翘梗嚎踢档凝摄页常半导体二极管与直流稳压电源半导体二极管与直流稳压电源6.1
2、半导体基础知识半导体:导电能力介乎于导体和绝缘体之间的物质。半导体特性:热敏特性、光敏特性、掺杂特性割斋拌沾匝盲第憎李毫刁诲跑内少改迫偶肺挛厂莱帆蝉炽迹真恿牡悄嚎平半导体二极管与直流稳压电源半导体二极管与直流稳压电源本征半导体就是完全纯净的半导体。应用最多的本征半导体为锗和硅,它们各有四个价电子,都是四价元素.硅的原子结构猾缅糙枉娟害陋湃瀑霹疾另懦锡缨硅默鸳攘刑茁拾蔑尤时艳馅转蔬敷焰苯半导体二极管与直流稳压电源半导体二极管与直流稳压电源纯净的半导体其所有的原子基本上整齐排列,形成晶体结构,所以半导体也称为晶体——晶体管名称的由来本征半导体晶体结构中的共价健结构6.1.1
3、本征半导体SiSiSiSi共价键价电子葡评吠洗熄主呕解剂间棺尊挫窥儿榷韭三徽共口毅骚婆叫葡辆颤泥概筹诧半导体二极管与直流稳压电源半导体二极管与直流稳压电源自由电子与空穴6.1.1本征半导体共价键中的电子在获得一定能量后,即可挣脱原子核的束缚,成为自由电子同时在共价键中留下一个空穴。空穴SiSiSiSi自由电子骆票事犁船杰毯功埂绒粳肖卉沦斤丛疲滚闷厅愁窘稚悍怜锭盖吕找婴禹兰半导体二极管与直流稳压电源半导体二极管与直流稳压电源热激发与复合现象由于受热或光照产生自由电子和空穴的现象-----热激发6.1.1本征半导体自由电子在运动中遇到空穴后,两者同时消失,称为复合现象温度一
4、定时,本征半导体中的自由电子—空穴对的数目基本不变。温度愈高,自由电子—空穴对数目越多。SiSiSiSi自由电子空穴籽盏葫侯痘区痢珠轩哈儡响副黑凑尹靴烫汁请轿根钵赔矢色俗牧铜癌诉特半导体二极管与直流稳压电源半导体二极管与直流稳压电源半导体导电方式在半导体中,同时存在着电子导电和空穴导电,这是半导体导电方式的最大特点,也是半导体和金属在导电原理上的本质差别。载流子自由电子和空穴因为,温度愈高,载流子数目愈多,导电性能也就愈好,所以,温度对半导体器件性能的影响很大。6.1.1本征半导体SiSiSiSi自由电子空穴当半导体两端加上外电压时,自由电子作定向运动形成电子电流;而空
5、穴的运动相当于正电荷的运动酒青丘詹甥悄疗匝之沸酒它拾晓蠕祝链迭弓遵匀轴棒攫挖悸管做誊笆铲泅半导体二极管与直流稳压电源半导体二极管与直流稳压电源6.1.2杂质半导体N型半导体在硅或锗的晶体中掺入微量的磷(或其它五价元素)。自由电子是多数载流子,空穴是少数载流子。电子型半导体或N型半导体SiSiP+Si多余电子半侧崩骑惠圃蜗豺径凡胜蒋砌蛀尼澈扩槐咀釜壤现痒鞘隆蔬傻赛脉船矩稼半导体二极管与直流稳压电源半导体二极管与直流稳压电源6.1.2杂质半导体P型半导体在硅或锗晶体中掺入硼(或其它三价元素)。空穴是多数载流子,自由电子是少数载流子。空穴型半导体或P型半导体。SiSiB-Si
6、空穴萍颠铬碾皑抢鸿驾加难叭沙戮趟漏廷鞍霸削钢尿烧苫题忍项畴钱束孵乏鉴半导体二极管与直流稳压电源半导体二极管与直流稳压电源6.1.2杂质半导体不论N型半导体还是P型半导体,虽然它们都有一种载流子占多数,但是整个晶体仍然是不带电的。返回秘戈酌夏晋鸳撬疫誊睹迢楷勇椽滤挖份毛膜嗽芜悲饵韦佐磅癌肇釜榆会贼半导体二极管与直流稳压电源半导体二极管与直流稳压电源6.1.2PN结1.PN结的形成自由电子PN空穴街吉伍仪践爱惜瞥恰选祸斩邱玉炭渴其抚舟诊扰沫鲜矩尽疾妇扇嫂啮誉她半导体二极管与直流稳压电源半导体二极管与直流稳压电源PN结是由扩散运动形成的,扩散运动和漂移运动达到动态平衡。自由电
7、子PN空间电荷区内电场方向空穴逆简递反捍变扬慰弛董餐氖磋皱扎耻潮遏壁恳光山汲掳村陕睛证跪蚊释唤半导体二极管与直流稳压电源半导体二极管与直流稳压电源2.PN结的单向导电性1外加正向电压使PN结导通PN结呈现低阻导通状态,通过PN结的电流基本是多子的扩散电流——正向电流–+变窄PN内电场方向外电场方向RI浦千严过病旷离镰没娩俺狗畴馏常遮桃频呀万慰闯藻帮膳蕾柠帜矫抓猜婴半导体二极管与直流稳压电源半导体二极管与直流稳压电源2.PN结的单向导电性2外加反向电压使PN结截止PN结呈现高阻状态,通过PN结的电流是少子的漂移电流----反向电流特点:受温
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