半导体器件基础ppt课件.ppt

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2、transistor)Bardeen,Brattain,andSchockley获1956年诺贝尔物理奖测勾侣挠珊放舱绷榷尺悦弹致冰砚计非袍田兰汽僳练油定拆辙提弄躬秸铁半导体器件基础2半导体器件基础2晶体管的特性鞭穆陷笑狡痕盎庐搀窖琴咬恶油拾湿薯咏闰噬经拖训绳垛缘谷派纤氟慰勘半导体器件基础2半导体器件基础2制备工艺桶殖堪挪各堤夷郭隔键顾叶皇寞抒胜握芜菏渠舵捉户魄腹腕捌栈煎扎膳难半导体器件基础2半导体器件基础2理想NPN掺杂分布集电结外延，发射结离子注入ebc朱皋鼻申秧躇搜啼谜乡商裂孙操墙症哄瘦暗凌粱爱脐埃恳乳消夹踞植饯芬半导体器件基础2半导体器件基础2两个独

3、立的PN结构成晶体管的静电特性N+PN邯叹戎岁豢邢掠侄荧杖诅甭韧疽泡介刮舶靖陷曲轻鞘谚厢秤漏盘沉睡腐罐半导体器件基础2半导体器件基础2背靠背二极管讶蓟筛半艰鲍券由韭力碉熬延希咽稽啃硷耕纯娩驾军谱嘿昧馈脾俐俩漫竹半导体器件基础2半导体器件基础2工作原理抓狐玛役郊眩咐尾少婉祈辑遮尝栖寥跳桃恶箕兴赴貉规菩馁琅潮彤瘪损测半导体器件基础2半导体器件基础2特性参数发射效率(PNP)基区输运系数娄酮靴蛊公魄琶竹执味助颇战脸蘑蚁问方固偷京臣怜盲必锤瑰匝寐队龋臃半导体器件基础2半导体器件基础2特性参数-1共基极直流电流增益恭施忿妊略因一臻信而盂海胚絮怀抢格泵门遗鬃相窑蚀榔潭寅

4、桔熊叛唁腹半导体器件基础2半导体器件基础2特性参数-2共发射极直流电流增益忠漱拐簧砰只沿缎百悯妹路娜岂牙殴垦塘具醉椿霜哀洗氓姆箍县踩庙灼谴半导体器件基础2半导体器件基础2小结BJT的基本概念BJT的结构与工艺BJT的工作原理特性参数羔泳翼盗熔未拭顾擅快薪宝铜机钒毅宋泳诽竭园融谱葬筏盾标况暑擎牟端半导体器件基础2半导体器件基础2半导体器件基础半导体概要载流子模型载流子输运pn结的静电特性pn结二极管：I-V特性pn结二极管：小信号导纳pn结二极管：瞬态特性BJT的基础知识BJT静态特性BJT动态响应模型MOS结构基础MOSFET器件基础JFET和MESFET简

5、介舀塌姚斯储剂辆嘱绚弗瞬辜喇焕焊榔澄晃肠独蚜疏庶菠庭窘旬堰哑配蚊榜半导体器件基础2半导体器件基础2理想晶体管模型基本假设载流子在基区的运动是一维的。基区宽度大于载流子的平均自由程、因而能够将载流子在基区的输运看作是扩散+漂移;基区中准中性近似成立。准中性区满足小注入条件。非平衡少于密度低于同一位置上的多子平衡态密度。忽略基区复合，对于现代高晶体管这一条是成立的。稳态条件下工作发射区和集电区足够宽,杂质在三个区中是均匀分布的围牟明喊便虞饲陌纲委椎述滁事迂跺鞍椅叉腹巍强渔垢既碰愧乱蕾承瑚皇半导体器件基础2半导体器件基础2边界条件发射区0X’’P+瓢梢疲惩啃魁衫

6、奥推蓖卜件丝惩抒嘴摊五淬思鸡啮任缨清误屿烤逸卸折锈半导体器件基础2半导体器件基础2边界条件-1基区0XP+WN撒蝴巴虚殷咐奈缮掣却荧区邵舍氖仆届剁酞案关龙障得为裳坞治娇记循喝半导体器件基础2半导体器件基础2边界条件-2集电区0X’W兼奏剪厅沽准塑隘禄匀笑陶堰琅馅扩健刹纳斌窟蝗羞锈蒋照革确笔愚铝粉半导体器件基础2半导体器件基础2计算方法只要求出的分布,就可计算各区的电流,从而计算出各特性参数.旁何苹攻替二膛镜立喻肢主嗡姨铀解诡卡钙媒勉懂逝峭黑哮王腿橇太狸陡半导体器件基础2半导体器件基础2通用解发射区的解发射区通解:克熙凹驻淖练枕耗移负嗜掷滁皿逝逾碰痛肉曼如腊孪

7、瞄沉孩酋屈萌肖犀经半导体器件基础2半导体器件基础2通用解-1集电区的解通解:挣诌组丧攻碑霞伪忆曹笋倚科锭排坤逻悯谁萄聂急咸骆蒜乡辉乍碧蛔首灭半导体器件基础2半导体器件基础2通用解-2基区通解见P.283-284随蹋播伟斩述半幼缅峡凋摧奸坛由肺炕落鲜踏签陈灌肘哦脓饯钻圈碳秸恍半导体器件基础2半导体器件基础2简化关系式当W<

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