第四章-_光电检测技术――热电器件ppt课件.ppt

第四章-_光电检测技术――热电器件ppt课件.ppt

ID:58670962

大小:637.50 KB

页数:66页

时间:2020-10-05

第四章-_光电检测技术――热电器件ppt课件.ppt_第1页
第四章-_光电检测技术――热电器件ppt课件.ppt_第2页
第四章-_光电检测技术――热电器件ppt课件.ppt_第3页
第四章-_光电检测技术――热电器件ppt课件.ppt_第4页
第四章-_光电检测技术――热电器件ppt课件.ppt_第5页
资源描述:

《第四章-_光电检测技术――热电器件ppt课件.ppt》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在教育资源-天天文库

1、第四章热电检测器件第一节热电检测器件的基本原理第二节热电偶与热电堆第三节热敏电阻第四节热释电探测器件本章主要介绍热辐射探测器件的热辐射探测器件为基于光辐射与物质相互作用的热效应而制成的器件。由于它具有工作时不需要制冷,光谱响应无波长选择性等突出特点,使它的应用已进入某些被光子探测器独占的应用领域和光子探测器无法实现的应用领域。第一节热电检测器件的基本原理一、热电检测器件的共性热电传感器件是将入射到器件上的辐射能转换成热能,然后再把热能转换成电能的器件。输出信号的形成过程包括两个阶段:第一阶段为将辐射能转换成热能的阶段(入射辐射引起温升的阶段),是共性的,

2、具有普遍的意义。第二阶段是将热能转换成各种形式的电能(各种电信号的输出)阶段,是个性阶段1.温度变化方程热电器件在未受到辐射作用的情况下,器件与环境温度处于平衡状态,其温度为T0。当辐射功率为We的热辐射入射到器件表面时,令表面的吸收系数为α,则器件吸收的热辐射功率为αWe;其中一部分使器件的温度升高,另一部分补偿器件与环境的热交换所损失的能量。设单位时间器件的内能(即功率)增量为ΔWi,则有(1)CQ称为热容(表示单位温度下的热功率)上式表明:内能的增量为温度变化的函数。热交换能量的方式有三种:传导、辐射和对流。设单位时间通过传导损失的能量式中GQ为器

3、件与环境的热传导系数,GQ表示单位温度下的由熱导损失的功率。由能量守恒原理,器件吸收的辐射功率应等于器件内能的增量与热交换能量之和。即设入射正弦辐射能量为则(2)若选取刚开始辐射器件的时间为初始时间,则此时器件与环境处于热平衡状态,即t=0,ΔT=0。将初始条件代入微分方程(2),解此方程,得到热传导方程为(3)设为热敏器件的热时间常数,称为热阻热敏器件的热时间常数一般为毫秒至秒的数量级,它与器件的大小、形状、颜色等参数有关。当时间t>>τT时,(3)式中的第一项衰减到可以忽略的程度,温度的变化上式的实部为正弦变化的函数。其幅值为(4)可见,热敏器件吸收

4、交变辐射能所引起的温升与吸收系数成正比。因此,几乎所有的热敏器件都被涂黑。另外,它又与工作频率ω有关,ω增高,其温升下降,在低频时(ωτT<<1),它与热导GQ成反比,(4)式可写为可见,减小热导是增高温升、提高灵敏度的好方法,但是热导与热时间常数成反比,提高温升将使器件的惯性增大,时间响应变坏。(4)式中,当频率很高(或器件的惯性很大)时,ωτT>>1,(4)式可近似为结果,温升与热导无关,而与热容成反比,且随频率的增高而衰减。当ω=0时,由(3)式,得由初始零值开始随时间t增加,当t∝∞时,ΔT达到稳定值(=αW0/GQ);当t=τT时,上升到稳定值

5、的63%。故τT被称为器件的热时间常数。二、热电器件的最小可探测功率根据斯忒番-玻耳兹曼定律,若器件的温度为T,接收面积为A,当它与环境处于热平衡时,单位时间所辐射的能量为由热导的定义经证明,当热敏器件与环境温度处于平衡时,在频带宽度内,热敏器件的温度起伏均方根值(即温度噪声)为(5)即(4-14)考虑(4)、(5)式(即书上的(4-7)、(4-14)式),可求热敏器件仅受温度影响的最小可探测功率或温度等效功率此式书上有误。由上式,很容易得到热敏器件的比探测率为只与探测器的温度、吸收系数有关。第二节热电偶与热电堆热电偶虽然是发明于1826年的古老红外探测

6、器件,然而至今仍在光谱、光度探测仪器中得到广泛的应用。尤其在高、低温的温度探测领域的应用是其他探测器件无法取代的。一、热电偶的结构及工作原理热电偶是利用物质温差产生电动势的效应探测入射辐射的。如图5-6所示为辐射式温差热电偶的原理图。两种材料的金属A和B组成的一个回路。若两金属连接点的温度存在着差异(一端高而另一端低),则在回路中会有如图5-6(a)所示的电流产生。即由于温度差而产生的电位差ΔE。回路电流I=ΔE/R其中R称为回路电阻。这一现象称为温差热电效应(也称为塞贝克热电效应)(SeebeckEffect)。测量辐射能的热电偶称为辐射热电偶,它与测

7、温热电偶的原理相同,结构不同。如图5-6(b)所示,辐射热电偶的热端接收入射辐射,因此在热端装有一块涂黑的金箔,当入射辐射能量We被金箔吸收后,金箔的温度升高,形成热端,产生温差电势,在回路中将有电流流过。图5-6(b)用检流计G可检测出电流为I。显然,图中结J1为热端,J2为冷端。由于入射辐射引起的温升ΔT很小,因此对热电偶材料要求很高,结构也非常严格和复杂,成本昂贵。图5-7所示为半导体辐射热电偶的结构示意图。图中用涂黑的金箔将N型半导体材料和P型半导体材料连在一起构成热结,另一端(冷端)将产生温差电势,P型半导体的冷端带正电,N型半导体的冷端带负电

8、。开路电压UOC与入射辐射使金箔产生的温升ΔT的关系为UOC=M12ΔT(6)式

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。