复旦微电子保研面试题.doc

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1、首先老师先叫我读了一段关于互补数字系统的英文，然后说说自己的idea，我读了2分钟，好像说不出个什么东西来，就blabla两句就结束了。。。。然后又用英文说自己在本科阶段学过的东西。。。。也是blabla几句，后来还好老师问我在lab做过的research，然后就滔滔不绝如江水了。。。。后来的几个问题都是和这个research有关的，由于时间问题就叫我画了一个与非门，问了想去什么方向。。就出来了。。。。下面保持队形。。。模电的:正反馈震荡条件(我忘记答相位的条件了...)负反馈对增益和带宽的影响

2、运放一般是开环的还是闭环的数电的:同步电路跟异步电路的区别(我答错了..应该是触发沿的区别,不是频率的区别...不过后来王sir来接话圆场了,赞王sir~)然后洪sir问了d触发器异步和同步的区别，这个知道。还有至少几个触发器才能5分频。我答了3个。后面两个问题，一个是mos管的延迟时间，我不会。随便说了个0。1ns。然后，工艺老师说多晶硅和单晶硅做器件哪个速度快。然后猜错了，我说是多晶硅。就这么多。然后问我digitaldevice&signal和analogdevice&signal的区别并

3、举一个例子然后问dsp的优点答auto-idlabdigitaldesign数字设计流程逻辑综合做了哪些事情有几种逻辑功能仿真方法后仿有哪些东西哪些影响因素最后问cad有没兴趣英语部分大家都差不多，后面问了振荡器相关，电流/压负反馈、串/并联负反馈作用并挑个画图，然后问了FPGA是啥，目前的特征尺寸到多少了，最后存储器有些啥。谈项目然后具体问问项目中的细节（电阻用哪种之类的）英语刘冉问目前大规模投产的特征尺寸是多少，我说90nm，然后他说知不知道INTEL投产的是多少，我说45nm，然后又问估计

4、32nm什么时候投产，再问做小的话有什么问题，我说powerconsumption然后问leakagecurrent主要是为什么，我说是chargesharingeffect和DIBL,然后问gatecurrent我说可以用HIGH-K就结束了因为我在英语过程中谈到我是电工转来的，洪sir就说既然是从电工转来的那就问一个关于高频的问题（我汗，高频跟电工有关系吗，而且我没准备过高频，好在问题简单），高频电路有什么问题，我就说寄生电容云云。接着说要把放大器频率做上去，抑制噪声用什么方法，我就答负反馈

5、，差分对管。然后才是问我模拟数字哪个感兴趣，我说模拟。他就问我上过哪些模拟课程，有没有研究经历。最后他问了一下深亚微米问题，我就说了一些技术节点以及Intel的45纳米。不过让我不爽的是我竟然把250nm说成了250um，是江sir点了一下我才改过来的，但也没说对，深亚微米是0.35um。面完和其他同学聊了一下感觉我的问题是最简单的，运气还不错～。然后就开始面专业，可能是前面进去的都给了老师我们班同学项目做得很牛的印象，于是他开口就问我在实验室做什么，我说做频率综合电路，主要关注锁相环路，后来我

6、极度后悔说了这句话，因为那个老师瞬间来了兴趣，说你知道数字电路和模拟电路的区别么？你知道现在有用数字电路构成控制电路，来调节模拟电路由于工艺原因而产生的误差么？你看过类似的paper么？简单举个例子说说看，我瞬间蒙了，于是我说我在实验室时间不长，主要是用matlab做一些系统级的simulink，还没有做这么具体的电路设计，不过在组会上面听同学提到过一些类似的东西，然后巴拉巴拉扯了一些，问他是不是想要问这些。那个老师倒是点头了，不过ms黄老师不是很满意，我也不是特别清楚，哎...接着就问我现在国

7、际上主流的工艺是多少纳米的？我说了一下，应该大部分是对的，说的过程中提到了intel45n的时候的high-k技术，于是传说中一直没开口的茹老开口了，问我为啥要用high-k，我还不容易逮到一个熟的，刚准备往深里说，结果被打断了，问了一个记不清啥问题了，接着就问将来愿不愿意做工艺或者CAD，接着就结束了。不过感觉我被问到的问题基本都是工艺的...心里有点慌了...。然后当中的老师很和蔼可亲的问我是怎么想的。然后问了我些国内半导体生产厂商的情况。茹老板再问我intel能生产多少尺寸的芯片。我说45

8、nm。然后茹老板就问我其中运用到什么技术。我说highk。他就问了问我其中的原理。后来再问我栅上面是什么。我一开始说二氧化硅，他重复了遍问题，我改说多晶硅。他就问我pmos，nmos的多晶硅有什么不一样。我说参杂不一样。他问我pmos是怎么样的，nmos是怎么样的。我随便一说也不知道对不对（好象蒙对了）。他问我原理，我一下想不出来，就瞎扯。他再问我vth和费米势能有没有关系，多晶硅n型，p型的费米势一不一样。现在的工艺是如何调整vth的。  然后问我的问题我没听的很明白。我一开始就说不太清楚，后