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时间：2020-09-07
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1、N-N+1、投片、打标二极管的工艺流程2、清洗、氧化，目的：生长二氧化硅N-N+N-N+3.OAP及匀胶N-N+4.光刻曝光、显影、后烘N-N+5、坚膜、腐蚀N-N+6、坚膜、注入BN-N+7、去胶8、B推结、氧化，形成P+隔离及下次光刻掩膜N-N+9、光刻，刻引线孔N-N+N-N+10清洗、P-注入前氧化N-N+B11、P-注入，目的：提高电压降低漏电流N-N+12、漂酸，去掉引线孔氧化层N-N+13、清洗、蒸Cr14、合金，形成合金势垒N-N+N-N+15、扒Cr17、清洗、蒸发，蒸发铝N-N+18、反刻铝N-N+N-N+19、背面减薄20、清洗、漂酸、背面金属化N-N+
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