ITO制作工艺讲解.doc

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1、触摸屏制造工艺实战与难点[二]ITO图形制备工艺  [二]ITO图形制备工艺透明导电氧化物薄膜主要包括号In、Zn、Sb和Cd的氧化物及其复合多元氧化物薄膜材料，具有禁带宽、可见光谱区光透射率高和电阻率低，对紫外线的吸收率大于85%,对红外线的反射率大于70%等特性。透明导电薄膜以掺锡氧化铟（IndiumTinOxinde）ITO为代表，广泛地应用于平板显示、太阳能电池、特殊功能窗口涂层及其它光电器件领域，它的特性是当厚度降到1800埃(1埃=10－10米)以下时会突然变得透明，透光率为80％，再薄下去透光率反而下降，到300埃厚度时又上升到80％。ITO是所有电

2、阻技术触屏及电容技术触摸屏都用到的主要材料，实际上电阻和电容技术触摸屏的工作面就是ITO涂层。一、ITO的特性ITO就是在In2O3里掺入Sn后，Sn元素可以代替In2O3晶格中的In元素而以SnO2的形式存在，因为In2O3中的In元素是三价，形成SnO2时将贡献一个电子到导带上，同时在一定的缺氧状态下产生氧空穴，形成1020至1021cm-3的载流子浓度和10至30cm2/vs的迁移率。这个机理提供了在10-4Ω.cm数量级的低薄膜电阻率，所以ITO薄膜具有半导体的导性能。目前ITO膜层之电阻率一般在5*10-4左右，最好可达5*10-5，已接近金属的电阻率，

3、在实际应用时，常以方块电阻来表征ITO触摸屏制造工艺实战与难点[二]ITO图形制备工艺  [二]ITO图形制备工艺透明导电氧化物薄膜主要包括号In、Zn、Sb和Cd的氧化物及其复合多元氧化物薄膜材料，具有禁带宽、可见光谱区光透射率高和电阻率低，对紫外线的吸收率大于85%,对红外线的反射率大于70%等特性。透明导电薄膜以掺锡氧化铟（IndiumTinOxinde）ITO为代表，广泛地应用于平板显示、太阳能电池、特殊功能窗口涂层及其它光电器件领域，它的特性是当厚度降到1800埃(1埃=10－10米)以下时会突然变得透明，透光率为80％，再薄下去透光率反而下降，到300

4、埃厚度时又上升到80％。ITO是所有电阻技术触屏及电容技术触摸屏都用到的主要材料，实际上电阻和电容技术触摸屏的工作面就是ITO涂层。一、ITO的特性ITO就是在In2O3里掺入Sn后，Sn元素可以代替In2O3晶格中的In元素而以SnO2的形式存在，因为In2O3中的In元素是三价，形成SnO2时将贡献一个电子到导带上，同时在一定的缺氧状态下产生氧空穴，形成1020至1021cm-3的载流子浓度和10至30cm2/vs的迁移率。这个机理提供了在10-4Ω.cm数量级的低薄膜电阻率，所以ITO薄膜具有半导体的导性能。目前ITO膜层之电阻率一般在5*10-4左右，最好

5、可达5*10-5，已接近金属的电阻率，在实际应用时，常以方块电阻来表征ITO触摸屏制造工艺实战与难点[二]ITO图形制备工艺  [二]ITO图形制备工艺透明导电氧化物薄膜主要包括号In、Zn、Sb和Cd的氧化物及其复合多元氧化物薄膜材料，具有禁带宽、可见光谱区光透射率高和电阻率低，对紫外线的吸收率大于85%,对红外线的反射率大于70%等特性。透明导电薄膜以掺锡氧化铟（IndiumTinOxinde）ITO为代表，广泛地应用于平板显示、太阳能电池、特殊功能窗口涂层及其它光电器件领域，它的特性是当厚度降到1800埃(1埃=10－10米)以下时会突然变得透明，透光率为8

6、0％，再薄下去透光率反而下降，到300埃厚度时又上升到80％。ITO是所有电阻技术触屏及电容技术触摸屏都用到的主要材料，实际上电阻和电容技术触摸屏的工作面就是ITO涂层。一、ITO的特性ITO就是在In2O3里掺入Sn后，Sn元素可以代替In2O3晶格中的In元素而以SnO2的形式存在，因为In2O3中的In元素是三价，形成SnO2时将贡献一个电子到导带上，同时在一定的缺氧状态下产生氧空穴，形成1020至1021cm-3的载流子浓度和10至30cm2/vs的迁移率。这个机理提供了在10-4Ω.cm数量级的低薄膜电阻率，所以ITO薄膜具有半导体的导性能。目前ITO膜

7、层之电阻率一般在5*10-4左右，最好可达5*10-5，已接近金属的电阻率，在实际应用时，常以方块电阻来表征ITO触摸屏制造工艺实战与难点[二]ITO图形制备工艺  [二]ITO图形制备工艺透明导电氧化物薄膜主要包括号In、Zn、Sb和Cd的氧化物及其复合多元氧化物薄膜材料，具有禁带宽、可见光谱区光透射率高和电阻率低，对紫外线的吸收率大于85%,对红外线的反射率大于70%等特性。透明导电薄膜以掺锡氧化铟（IndiumTinOxinde）ITO为代表，广泛地应用于平板显示、太阳能电池、特殊功能窗口涂层及其它光电器件领域，它的特性是当厚度降到1800埃(1埃=10－1

8、0米)以下