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时间:2017-12-25
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1、STM32FSMC机制FlaSh存储器扩展技术分类:微处理器与DSP
2、2009-11-27单片机与嵌入式系统鲁东大学潘辉 (2)配置存储器基本特征 通过对FSMC特殊功能寄存器FSMC_BCRi(i为子BANK号,i=1,…,4)中对应控制位的设置,FSMC根据不同存储器特征可灵活地进行工作方式和信号的调整。根据选用的存储器芯片确定需要配置的存储器特征,主要包括以下方面: ①存储器类型(MTYPE)是SRAM/ROM、PSRAM,还是NORFlaSh; ②存储芯片的地址和数据引脚是否复用(MUXEN),FSMC可以直接与A
3、D0~AD15复用的存储器相连,不需要增加外部器件; ③存储芯片的数据线宽度(MWID),FSMC支持8位/16位两种外部数据总线宽度; ④对于NORFlash(PSRAM),是否采用同步突发访问方式(BURSTEN); ⑤对于NORFlash(PSRAM),NWAIT信号的特性说明(WAITEN、WAITCFG、WAITPOL); ⑥对于该存储芯片的读/写操作,是否采用相同的时序参数来确定时序关系(EXTMOD)。 (3)配置存储器时序参数 FSMC通过使用可编程的存储器时序参数寄存器,拓宽了可选用的外部存储器的速度范
4、围。FSMC的NORFlash控制器支持同步和异步突发两种访问方式。选用同步突发访问方式时,FSMC将HCLK(系统时钟)分频后,发送给外部存储器作为同步时钟信号FSMC_CLK。此时需要的设置的时间参数有2个: ①HCLK与FSMC_CLK的分频系数(CLKDIV),可以为2~16分频; ②同步突发访问中获得第1个数据所需要的等待延迟(DATLAT)。 对于异步突发访问方式,FSMC主要设置3个时间参数:地址建立时间(ADDSET)、数据建立时间(DATAST)和地址保持时间(ADDHLD)。FSMC综合了SRAM/ROM、
5、PSRAM和NORFlash产品的信号特点,定义了4种不同的异步时序模型。选用不同的时序模型时,需要设置不同的时序参数,如表2所列。在实际扩展时,根据选用存储器的特征确定时序模型,从而确定各时间参数与存储器读/写周期参数指标之间的计算关系;利用该计算关系和存储芯片数据手册中给定的参数指标,可计算出FSMC所需要的各时间参数,从而对时间参数寄存器进行合理的配置。 3STM2扩展S29GL系列NORFlash实例 3.1S29GL系列NORFlash简介 Spansion公司的S29GL系列芯片是采用90nm技术制造的高集成度NO
6、RFlash存储芯片,提供16~128MB可选容量,支持最快25ns的页访问速度和11Ons的随机访问速度,带有最大64字节的写缓冲区,以提供更快、更高效的编程,是嵌入式系统设计中大容量存储器扩展的理想选择。本文选用的型号为S29GL512P,容量为512×64K字(总容量64MB),扩展到NORFlash控制器管理的BANK1的第2个子BANK。 3.2STM32与S29GL512P的电路连接 S25GL512P可通过控制引脚BYTE选择对芯片的访问单位(字/字节),区别在于: ①对于芯片引脚DQ15,字模式时传送最高数据位
7、D15;字节模式时传送最低地址A-1。 ②字模式时,数据引脚D0~D15上传送数据信号;字节模式时,只有D0~D7上有信号。 此处,将BYTE上拉到高电平,选择16位的字访问单位。FSMC数据线FSMC_D[15:0]与S29GL512P的D15~D0对应连接;FSMC地址线FSMC_A[25:0]的低25根与S29GL512P的地址线A[24:0]对应连接。 由于S29GL512P芯片映射到BANK1的子BANK2,可确定其片选线应连接FSMC片选控制线FSMC_NE2。S29GL512P的RY/BY引脚连接FSMC的FSM
8、C_NWAIT引脚,提供等待信号。 3.3FSMC的配置 根据S29GL512P的映射位置,需要对FSMC_BCR2和FSMC_BTR2/BWTR2寄存器进行配置。 (1)FSMC_BCR2 配置S29GL512P的读/写采用统一时间参数,只需要设置时间寄存器FSMC_BTR2。配置存储器类型为NORFlash,数据总线宽度为16位(字),不采用地址/数据复用,使能BANK1的子BANK2。 (2)FSMC_BTR2 由表2可知,异步NORFlash时序模型Mode2/B需要设置时间参数DATAST和ADDSET。根据时
9、序图,两个参数的计算公式如下: 式中:Twc和Trc为所选存储芯片的写周期长度和读操作周期长度;Twp为所选存储芯片的写信号持续长度。根据S29GL512P用户手册,可知参数Twc=Trc=130ns,Twp=35ns。设STM32
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