电力电子技术典型习题集.doc

电力电子技术典型习题集.doc

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1、填空题:  1.电力电子器件一般工作在________状态。  2.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为________,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为________。  3.电力电子器件组成的系统,一般由________、________、________三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加________。  4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为________、________、________三类。  5.电力二极管的工作特性可概括为________。

2、  6.电力二极管的主要类型有________、________、________。  7.肖特基二极管的开关损耗________快恢复二极管的开关损耗。  8.晶闸管的基本工作特性可概括为____正向有触发则导通、反向截止____。  9.对同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL________IH。  10.晶闸管断态不重复电压UDRM与转折电压Ubo数值大小上应为,UDRM________Ubo。  11.逆导晶闸管是将________与晶闸管________(如何连接)在同一管芯上的功率集成器

3、件。  12.GTO的________结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。  13.功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为________。  14.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的________、前者的饱和区对应后者的________、前者的非饱和区对应后者的________。  15.电力MOSFET的通态电阻具有________温度系数。  16.IGBT的开启电压UGE(th)随温度升高而_____

4、___,开关速度________电力MOSFET。  17.功率集成电路PIC分为二大类,一类是高压集成电路,另一类是________。  18.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为________和________两类。  19.为了利于功率晶体管的关断,驱动电流后沿应是________。  20.GTR的驱动电路中抗饱和电路的主要作用是________。  21.抑制过电压的方法之一是用________吸收可能产生过电压的能量,并用电阻将其消耗。在过电流保护中,快速熔断器的全保

5、护适用于________功率装置的保护。  22.功率晶体管缓冲保护电路中的二极管要求采用________型二极管,以便与功率晶体管的开关时间相配合。  23.晶闸管串联时,给每只管子并联相同阻值的电阻R是________措施,给每只管子并联RC支路是________措施,当需同时串联和并联晶闸管时,应采用________的方法。  24.IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有________温度系数,在1/2或1/3额定电流以上区段具有________温度系数。  25.在如下器件:电力二极管(Pow

6、erDiode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可控器件的是________,属于半控型器件的是________,属于全控型器件的是________;属于单极型电力电子器件的有________,属于双极型器件的有________,属于复合型电力电子器件得有________;在可控的器件中,容量最大的是________,工作频率最高的是________,属于电压驱动的是________,属于电流驱动的是____

7、____。简答题:  26.电力电子器件是如何定义和分类的?同处理信息的电子器件相比,它的特点是什么?  27.应用电力电子器件的系统组成如题图1-27所示,试说明其中保护电路的重要意义?  28.二极管的电阻主要是作为基片的低掺杂N区的欧姆电阻,阻值较高且为常量,为何二极管在正向电流较大时管压降仍然很低?  29.二极管在恢复阻断能力时为什么会形成反向电流和反向电压过冲?这与它们的单相导电性能是否矛盾?这种反向电流在电路使用中会带来什么问题?  30.使晶闸管导通的条件是什么?  31.维持晶闸管导通的条件是什么?怎

8、样才能使晶闸管由导通变为关断?  32.GTO和普通晶闸管同为PNPN结构,为什么GTO能够自关断,而普通晶闸管不能?  33.GTR的安全工作区是如何定义的?如题图1-33所示,GTR带电感性负载时,如果不接二极管VD会产生什么问题?有了二极管VD是否还要加缓冲电路呢?  34.如何防止电力MOSFET因静电感应应起的损坏?  

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