电磁兼容屏蔽课件.ppt

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1、电磁屏蔽屏蔽前的场强E1屏蔽后的场强E2对电磁波产生衰减的作用就是电磁屏蔽,电磁屏蔽作用的大小用屏蔽效能度量:SE=20lg(E1/E2)dB杨继深2002年8月实心材料屏蔽效能的计算入射波场强距离吸收损耗AR1R2SE＝R1＋R2＋A＋B＝R＋A＋BB杨继深2002年8月吸收损耗的计算t入射电磁波E0剩余电磁波E1E1=E0e-t/A＝20lg(E0/E1)=20lg(et/)dB0.37E0A＝8.69(t/)dBA=3.34tfrrdB杨继深2002年8月趋肤深度举例杨继深2002年8月反射损耗R＝20lgZW4Zs反射损耗与波阻抗有关，波阻抗越高，则反射损耗越大。

2、ZS=3.6810-7fr/r远场：377近场：取决于源的阻抗同一种材料的阻抗随频率变杨继深2002年8月不同电磁波的反射损耗远场:R＝20lg3774Zs4500Zs=屏蔽体阻抗，D=屏蔽体到源的距离（m）f=电磁波的频率（MHz）2DfDfZsZs电场:R＝20lg磁场:R＝20lgdB杨继深2002年8月影响反射损耗的因素1500.1k1k10k100k1M10M100M平面波3108/2rfR(dB)r=30m电场r=1m靠近辐射源r=30m磁场r=1m靠近辐射源杨继深2002年8月综合屏蔽效能(0.5mm铝板)150250平面波00.1k1k10k100k1M1

3、0M高频时电磁波种类的影响很小电场波r=0.5m磁场波r=0.5m屏蔽效能（dB）频率杨继深2002年8月多次反射修正因子的计算电磁波在屏蔽体内多次反射，会引起附加的电磁泄漏，因此要对前面的计算进行修正。B=20lg(1-e-2t/)说明：B为负值，其作用是减小屏蔽效能当趋肤深度与屏蔽体的厚度相当时，可以忽略对于电场波，可以忽略杨继深2002年8月怎样屏蔽低频磁场？低频磁场低频磁场吸收损耗小反射损耗小高导电材料高导磁材料高导电材料杨继深2002年8月高导磁率材料的磁旁路效果H0H1H0RsR0H1R0RsSE=1+R0/RS杨继深2002年8月低频磁场屏蔽产品杨继深2002年8月磁屏

4、蔽材料的频率特性151015坡莫合金金属镍钢冷轧钢0.010.11.010100kHzr103杨继深2002年8月磁导率随场强的变化磁通密度B磁场强度H饱和起始磁导率最大磁导率=B/H杨继深2002年8月强磁场的屏蔽高导磁率材料：饱和低导磁率材料：屏效不够低导磁率材料高导磁率材料杨继深2002年8月加工的影响20406080100101001k10k跌落前跌落后杨继深2002年8月良好电磁屏蔽的关键因素屏蔽体导电连续没有穿过屏蔽体的导体屏蔽效能高的屏蔽体不要忘记：选择适当的屏蔽材料你知道吗：与屏蔽体接地与否无关杨继深2002年8月实际屏蔽体的问题通风口显示窗键盘指示灯电缆插座

5、调节旋钮实际机箱上有许多泄漏源：不同部分结合处的缝隙通风口、显示窗、按键、指示灯、电缆线、电源线等电源线缝隙杨继深2002年8月远场区孔洞的屏蔽效能LLSE=100–20lgL–20lgf+20lg（1+2.3lg(L/H))=0dB若L/2H杨继深2002年8月孔洞在近场区的屏蔽效能若ZC（7.9/Df）：（说明是电场源）SE=48+20lgZC–20lgLf+20lg(1+2.3lg(L/H))若ZC（7.9/Df）：（说明是磁场源）SE=20lg(D/L)+20lg(1+2.3lg(L/H))（注意：对于磁场源，屏效与频率无关！）杨继深2002年8月缝隙的泄漏低频起主

6、要作用高频起主要作用杨继深2002年8月缝隙的处理电磁密封衬垫缝隙杨继深2002年8月电磁密封衬垫的种类金属丝网衬垫(带橡胶芯的和空心的)导电橡胶(不同导电填充物的)指形簧片(不同表面涂覆层的)螺旋管衬垫(不锈钢的和镀锡铍铜的)导电布杨继深2002年8月指形簧片杨继深2002年8月螺旋管电磁密封衬垫杨继深2002年8月电磁密封衬垫的主要参数屏蔽效能(关系到总体屏蔽效能)回弹力（关系到盖板的刚度和螺钉间距）最小密封压力（关系到最小压缩量）最大形变量（关系到最大压缩量）压缩永久形变（关系到允许盖板开关次数）电化学相容性（关系到屏蔽效能的稳定性）杨继深2002年8月电磁密封衬垫的安装方法绝缘

7、漆环境密封杨继深2002年8月截止波导管损耗频率fc截止频率频率高的电磁波能通过波导管，频率低的电磁波损耗很大！工作在截止区的波导管叫截止波导。截止区杨继深2002年8月截止波导管的屏效截止波导管屏蔽效能=反射损耗：远场区计算公式近场区计算公式+吸收损耗圆形截止波导：32t/d矩形截止波导：27.2t/l孔洞计算屏蔽效能公式杨继深2002年8月截止波导管的损耗杨继深2002年8月截止波导管的设计步骤孔洞的泄漏不能满足屏蔽要求SE确定截止波导管的