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时间:2020-04-22
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1、电子技术·Electronictechnology基于电子技术的氧碳对太阳能级直拉单晶硅品质的影响文/孙武处于间隙的位置,这属于非金属杂质。在进行对较小,这也就容易造成晶格出现畸变的现象。随着可持续发展理念的提出,太阳能级直拉单晶硅的制作过程中,硅中存在2.2质对太阳能级直拉单晶硅后期产品的影响以及环境问题越来越严峻,我国的氧元素杂质主要来源有三个方面:首先就是对环保也越来越重视,太阳能光原材料中的多晶硅中存有一定含量的氧原子,2.2.1氧杂质的影响伏产业的发展也越来越块,太阳这也就导致制作的过程中存在这一杂质;其次能级单晶硅应用也越来越广泛。就是在对直拉单晶硅进行制作的过程中需要用有
2、利影响:由于硅中存在一定的氧元素,本文主要阐述了氧碳对太阳能级到石英坩埚,其中含有一定程度的氧原子,所所以在一定程度上提高了硅片的机械强度,在直拉单晶硅品质的影响研究,并进行后期处理的过程中,通过高温可以形成氧以在使用的过程中也就出现了氧杂质;最后就提出相应的措施来对氧碳在生产沉淀以及相应的缺陷,这也就可以在一定程度是由于单晶硅的生长环境所造成的,如环境中过程中进行有效的控制。上减少分散的载流子符合中心,提高太阳能电的氩气中含有氧气、二氧化碳以及水元素,这池的使用效率以及光电转换效率:也就在一定程度上加强了氧杂质的出现。负面影响:如果在后期制作的过程中,以上的这三个因素中,第二点因素是
3、造出现大量的氧杂质沉淀,就会导致硅片的翘氧,成氧杂质的主要原因,由于直拉单晶硅在进行【关键词】电子技术太阳能直拉单晶硅氧碳同时也会造成大量的二次缺陷状况,并在一定制作的过程中,石英坩埚随着高温环境的影响,含量探讨程度上影响到电池的性能,起到一定的破坏作就会造成石英坩埚会出现部分溶解的现象,并用。逐渐的进入到硅的熔体当中,这也就在一定程2.2.2碳杂质的影响度上加大了硅中的氧杂质,这就是直拉单晶硅中出现氧杂质的主要来源。由于碳原子的半径相对较小,在直拉单氧和碳是太阳能级直拉单晶硅的非金属(2)碳杂质的形成。碳元素在硅晶格中晶硅的后期制作过程中容易造成晶格的畸变现杂质,其在晶体中可以形成微
4、缺陷,影响晶体处于代位的位置,也是非金属杂质,在太阳能象,这也就使氧原予出现偏聚,并形成更沉淀自身的电阻率等参数,对后期太阳能电池的转级直拉单晶硅的制作过程中,碳元素的来源有的现象,这也就对硅材料的使用产生一定的正换效率、稳定性等有着直接的影响,这就要求以下几种:首先是在进行太阳能级直拉单晶硅面效果但是,如果碳原子相对较多,在其产对太阳能级单晶硅的拉制过程进行研究,对其生产的过程中,使用的原生多晶硅本身含有一生碳化硅之后,就会造成深能级载流子复合中中碳氧杂质的形成原因进行分析,并有效控制产品的氧碳含量,以此来提高太阳能级单晶硅定的碳,这也就加大了太阳能级直拉单晶硅中心的状况,这也就不利
5、于电池的使用,不仅难的碳杂质;其次就是太阳能级直拉单晶硅在进以保障电池的使用寿命,也在一定程度上降低的品质。行生产的过程中使用的是石墨热系统,其中包了电池的使用效率。1太阳能级直拉单晶硅中出现杂质及其括高纯度的石墨件与石墨碳毡,会产生石墨粉3控制氧碳杂质含量成因尘;真空系统中的油脂与密封材料中会出现一定的碳化物在一定程度上提高了太阳能级直拉碳含量的控制就应该从源头上入手,对单晶硅中的碳杂质;石墨部件与气氛中的氧、1.1太阳能级直拉单晶硅中的杂质石英坩埚等发生一定的相互反应,也是出现碳原材料以及辅助材料进行有效的控制,降低其中碳元素的含量,并通过完善的检测手段来对杂质的一方面原因。以上几
6、种因素中,是造成现阶段,太阳能直拉单晶硅所包含的杂其进行管理。同时,在进行制作的过程中,还太阳能级直拉单晶硅中碳含量的主要原因。质主要有三种:应高保障单晶炉本身的气密性,降低氧气与石首先是金属类的杂质,例如常见的铜、2氧碳杂质造成的影响墨之间的反应,这也是现阶段较为常见的减少铁等等,这种杂质在晶体中会造成晶格的畸形,碳杂质的方法。并在硅晶体中形成不同的杂质,起到复合中心2.1氧碳对太阳能级直拉单晶硅品质造成的影4结束语的作用,这不仅减少了单晶硅的少子寿命,也响会造成不必要的损失;太阳能级直拉单晶硅品质受到其生产工其次就是太阳能级直拉单晶硅中有意的由于太阳能级直拉单晶硅在生长的过程艺以及
7、其材料等方面的影响,在一定程度上加加入其所需要的掺杂,这也是为了获得所需导中各种杂质分凝系数不同,单晶硅棒的杂质浓大了生产中的氧碳杂质,影响到了太阳能级直电类型的太阳能级直拉单晶硅,并获得所需度也是存在一定差异与规律,头部的杂质浓度拉单晶硅的品质。这就要求对其中的杂质进行要的电阻率参数,例如在原生多晶硅中加入v相对较低,尾部的杂质浓度相对较高。电阻率有效的控制与管理,以此来提高太阳能级直拉族元素磷、锑等可以获取N型硅单晶。杂质也是有一定的变化的
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