模电复习大纲.ppt

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1、模拟电子技术基础复习大纲半导体二极管1、理解半导体及载流子（本征半导体）电子空穴——当电子挣脱共价键的束缚成为自由电子后，共价键就留下一个空位，这个空位就称为空穴2、理解N型半导体：电子是多数载流子，空穴是少数载流子，但半导体呈中性P型半导体：空穴是多数载流子，电子是少数载流子，但半导体呈中性少数载流子是由电子—空穴对产生而来，3、熟练掌握PN结形成——由于浓度差，而出现扩散运动，在中间形成空间电荷区又由于空间电荷区的内电场作用，存在漂移运动单向导电性——不外加电压，扩散运动=漂移运动，iD=O加正电压，扩散运动>漂移运动形

2、成iD加反向电压，扩散运动为O，只有很小的漂移运动形成反向电流特性方程：iD=IS（eVo/VT-1）特性曲线硅管：死区0.5v，导通电压0.6-0.7v锗管：死区0.1v，导通电压0.2v4、理解二极管单向导电性、特性方程及曲线PN结相同主要参数：最大整流电流IF、反向峰值电压VBR、反向峰值电流IR。分析题型：计算二极管电路参数、判断二极管状态、二极管选择、画波形图(理想模型、恒压模型）5、特殊二极管——稳压管（一段为反向连接）反向偏置且VI＞VZ稳压原理：无论输入变化或负载变化，引起的电流变化都加于稳压管上，从而使输出

3、稳定参数：VZ、IZ、PZM、#稳压条件是什么？#上述电路VI为正弦波，且幅值大于VZ，VO的波形是怎样的？例1：理想二极管，求VAO解：(c)VPN1=12V,VPN2=－3V,则D1导通，D2截止。VAO=0V。(d)VPN1=12V,VPN2=18V,则D2先导通，D2导通以后，VAO=－6V，此时D1处于截止状态。例2：判断D导通还是截止？解：例3双向限幅电路例4：理想模型输入电压为0V或5V求输入值的不同组合下，输出电压值。例5：设硅稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别为5V和10V，试求下列各图中的输出电压VO。已

4、知硅稳压管的正向压降为0.7V。解：（a）在图中，DZ1和DZ2工作在反向击穿区，因此VO的电压值为：VO=VZ1+VZ2=5+10=15V；（b）在图中，DZ1和DZ2工作在正向导通区，因此VO的电压值为：VO=0.7+0.7=1.4V；（c）在图中，考虑到VZ1＜VZ2，DZ1反向击穿后VZ1=5V，此时DZ2处于截止状态，因此VO的电压值为：VO=VZ1=5V；（d）在图中，DZ2工作在正向导通区，DZ1处于截止状态，考虑因此VO的电压值为：VO=0.7V。半导体三极管极放大电路基础半导体三极管的结构示意图如图03.1

5、.01所示。它有两种类型:NPN型和PNP型。两种类型的三极管发射结(Je)集电结(Jc)基极，用B或b表示（Base）发射极，用E或e表示（Emitter）；集电极，用C或c表示（Collector）。发射区集电区基区三极管符号1、基本结构2、特性曲线(3)输入特性曲线的三个部分①死区②非线性区③线性区输入特性曲线导通电压典型值：0.7V死区电压典型值：0.5V饱和区：iC明显受vCE控制的区域，该区域内，一般vCE＜0.7V(硅管)。此时，发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。iC=f(vCE)iB=const输出特性

6、曲线输出特性曲线的三个区域:截止区：iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。此时，vBE小于死区电压，集电结反偏。放大区：iC平行于vCE轴的区域，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏。理解半导体三极管电流控制器件iC=βiBiE=(1+β)iB特性曲线输入：饱和区：发射结、集电结均正偏，VBE=0.7V,VCE=0.3V输出：放大区:发一正,集一反,VBE=0.7遵循iC=βiB截止区:发射结、集电结均反偏VBE＜0.5V时已进入截止区参数：集电极最大允许电流ICM、集电极最大允许功耗PCM3、基本放大电路电

7、路组成（共发射极接法）输入回路（基极回路）输出回路（集电极回路）起放大作用。将变化的集电极电流转换为电压输出。提供电源，并使三极管工作在线性区。输入耦合电容C1保证信号加到发射结，不影响发射结偏置。输出耦合电容C2保证信号输送到负载，不影响集电结偏置。三极管T——负载电阻Rc、RL——偏置电路VBB、Rb——耦合电容C1、C2——输入回路（基极回路）简化电路及习惯画法习惯画法共射极基本放大电路4、基本放大电路静态分析静态：输入信号为零（vi=0或ii=0）时，放大电路的工作状态，也称直流工作状态。电路处于静态时，三极管个电极

8、的电压、电流在特性曲线上确定为一点，称为静态工作点，常称为Q点。一般用IB、IC、和VCE（或IBQ、ICQ、和VCEQ）表示。（1）用直流通路求静态工作点采用该方法，必须已知三极管的值。共射极放大电路根据直流通路可知：一般硅管VBE=0.7V，锗管VBE=0.2V。直流通路+-直流通路