金太阳示范工程关键设备基本要求.doc

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1、金太阳示范工程关键设备基本要求（2011年）一、电池组件（一）性能要求1、晶体硅组件全光照面积的光电转换效率（以含组件边框面积计算）≥14%，非晶硅薄膜组件≥6%。2、工作温度范围为-40℃～+85℃，初始功率（出厂前）偏差范围±3%。3、使用寿命不低于25年，质保期不少于5年。晶体硅组件衰减率在2年内不高于2%，25年内不高于20%。非晶硅薄膜组件衰减率在2年内不高于4%，25年内不高于20%。4、晶体硅和非晶硅薄膜组件分别按照GB/T9535（或IEC61215）和GB/T18911（或IEC6

2、1646）以及GB/T20047(或IEC61730)标准要求，通过国家批准认证机构的认证。（二）生产企业资质要求1、是在中华人民共和国注册的独立法人，注册资本金在1亿元人民币以上。2、具有三年以上相关产品独立生产、供应和售后服务的能力。晶体硅组件企业的生产检验能力不低于500MWp，2010年实际发货量不低于200MWp（以海关报关单或销售发票为准）。非晶硅薄膜组件企业的生产检验能力不低于50MWp。3、配备AAA级太阳模拟器、组件隐裂测试设备等关键检验设备，并由国家批准认证机构出具检验设备登记表

3、（包括型号、规格、精度、使用场所等）。4、2008-2010三年内无重大质量投诉或合同违约责任。二、并网逆变器基本要求（一）性能要求1、功率100kW及以上产品的最大逆变效率≥95%，100kW以下产品的最大逆变器效率≥94%。2、额定功率下电流总谐波畸变率≤5%；交流输出三相电压的允许偏差不超过额定电压的±10%；直流分量不超过其交流额定值的0.5%，无隔离变压器型逆变器不超过1%；具有电网过/欠压保护、过/欠频保护、防孤岛保护、恢复并网保护、过流保护、极性反接保护、过载保护功能。3、使用寿命不低

4、于20年，质保期不低于2年。在环境温度为-25℃～+50℃，相对湿度≤95%，海拔高度≤2000米情况下能正常使用。4、按照CNCA/CTS0004:2009认证技术规范要求，通过国家批准认证机构的认证。（二）生产企业为财政部、科技部、国家能源局于2010年通过统一招标确定的中标企业。三、储能蓄电池基本要求（一）性能要求1、直流电压等级为2V、12V。2、充电接收能力：充电电流Ica与C10/10的比值不小于2。3、容量一致性：最大实际容量与最小实际容量差值不大于5%，4、荷电保持能力：2V蓄电池储

5、存后剩余容量与额定容量比值不低于95%，12V蓄电池不低于85%。5、不含有镉、汞、锑等有害重金属物质。6、在海拔高度4500米，环境温度-20～+45℃条件下能正常使用。正常使用期限不低于5年，2V蓄电池质保期为3年,12V蓄电池质保期为2年。7、按照GB/T22473标准要求，通过国家批准认证机构的认证。（二）生产企业为财政部、科技部、国家能源局于2010年通过统一招标确定的中标企业。