模拟电子技术试卷及答案.doc

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1、《模拟电子技术》试卷一.填空题(每空1分,共30分)1．P型半导体掺入三价元素，多子是自由电子，少子是空穴。2．PN结主要特性是具有单向导电性，即正导通，反向截止。3．三极管工作在放大状态的外部条件是发射结正向偏置，集电结反向偏置。4．在模拟放大电路中，三极管一般工作在输出特性的放大区；在数字电路中三极管一般工作在截止区或饱和区，此时也称它工作在开关状态。5．幅度失真和相位失真统称为频率失真，它属于线性失真。6．功率放大电路的主要作用是向负载上提供足够大的输出功率，乙类功率放大电路的效率最高。7．放大电路中为了稳定静态工作点，应引入a（a.直流负反馈，b.交流负反馈

2、）。8．三极管串联型稳压电路由取样电路、基准电路、比较电路和调整电路四大环节组成。9．分压式偏置电路具有稳定静态工作点作用，其原理是构成电压串联负反馈。10．集成运算放大器是直接耦合放大电路。集成运算放大器的两个输入端分别为同相输入端和反相输入端，前者的极性与输出端同相；后者的极性同输出端反相。11．根据MOS管导电沟道的类型，可分为PMOS和NMOS型。二、单项选择题（每题2分，共20分，将答案填在下表中）9第9页共9页12345678910CDAB1．常温下，硅二极管的开启电压约______V，导通后在较大电流下的正向压降约______V；锗二极管的开启电压约_

3、_____V，导通后在较大电流下的正向压降约______V。CA)0.3，0.5，0.5，0.7B)0.5，0.7，0.3，0.5C)0.5，0.7，0.1，0.2D)0.3，0.5，0.1，0.22．下图中的3种特性曲线，依次属于哪种场效应管？正确的说法是（D）A)P沟道耗尽型MOSFET；N沟道结型；N沟道增强型MOSFETB)P沟道耗尽型MOSFET；N沟道增强型MOSFET；结型N沟道耗尽型C)N沟道耗尽型MOSFET；N沟道结型；N沟道增强型MOSFETD)N沟道耗尽型MOSFET；N沟道增强型MOSFET；N沟道结型3．在共射基本放大电路中，当β一定时，

4、在一定范围内增大IE，电压放大倍数将（A）A)增加B)减小C)不变D)不能确定4．如图所示差分放大电路中，为提高抑制零点漂移的能力，试问采用下列（B）措施好。A)提高电源电压B)采用恒流源差分电路C)减小工作点电流D)加大RC 窗体顶端9第9页共9页5．功率放大电路按（A）原则分为甲类，甲乙类和乙类三种类型。A)按三极管的导通角不同B)按电路的最大输出功率不同C)按所用三极管的类型不同D)按放大电路的负载性质不同6．理想集成运算放大器的放大倍数Au，输入电阻Ri，输出电阻Ro分别为（C）A)¥，0，¥B)0，¥，¥C)¥，¥，0D)0，¥，07．正弦波振荡电路的起振

5、条件是（B）。A)；B)  ；C)；D)；8．共模抑制比KCMR是（D）A)输入差模信号与共模信号之比的绝对值B)输入共模信号与差模信号之比的绝对值C)输出交流信号与输出直流信号之比的绝对值D)差模放大倍数与共模放大倍数之比的绝对值9．下列说法中正确的是（D）A)任何放大电路都有功率放大作用B)只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真C)若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈D)若放大电路引入电压负反馈，则负载电阻变化时，输出电压基本不变9第9页共9页10．放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是（B）。A)耦合电容和旁路电容的存在B)

6、半导体管极间电容和分布电容的存在C)半导体管的非线性特性D)静态工作点不合适三．（8分）计算下图放大器的静态工作点及电压放大倍数，已知Ucc=12V，Rb1=20K，Rb2=10K，Re=2K,Rc=2K，RL=6K，β=40,rbe=1K。四．（6分）设硅稳压管D1和D2的稳定电压分别为5V和10V，正向压降均为0.7V，求：①稳压管接法如图，求输出电压。②若两只稳压管方向均相反，求。③若D1方向不变，D2方向相反，求。9第9页共9页五．（9分）下图中三极管均为硅管，RB和RC的电阻值选取合适，从偏置情况分析判断下图中各三极管的工作状态。（1）（2）（3）六、（9

7、分）设图中的运算放大器都是理想的，试写出uo1、uo2和uo的表达式。9第9页共9页七．(10分)计算下图二级放大器的电压放大倍数，输入、输出电阻。已知：Rb1=Rb2=280K，Rc1=Rc2=3K，RL=3K，UCC=12V，β=50，rbe1=rbe2=950Ω。八．（8分）在图示的单相桥式整流电路中，分析：①如果VD3接反，则会出现什么现象?②如果VD3被开路,则会出现什么现象?9第9页共9页《模拟电子技术》试卷答案一.填空题(每空1分,共30分)1．P型半导体掺入3价元素，多子是自由电子，少子是空穴。2．PN结主要特性是单向导电性，即正向导通，反向截止