一种热电阻阻值测量的新方法

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1、一种热电阻阻值测量的新方法2009年05月26日16:34阿城继电器股份有限公司哈尔滨作者：张锐李剑辉高用户评论（0）关键字：一种热电阻阻值测量的新方法   摘 要：在利用热电阻测量温度中，热电阻阻值的精确测量是精确测量温度的关键，针对传统热电阻阻值的测量的不足，提出了新颖的热电阻阻值测量方法，以AT89C51单片机为核心，仅用较少外围资源就可以实现，结构简单，性能可靠，测量精度高。   关键词：热电阻 测量 单片机1引言   温度的测量在生产、生活中有着广泛的应用，热电阻传感器以其温度测量特性稳定，复现行好，测量精度高，

2、测量范围大等优良性能受到青睐。传统的热电阻测量电路［１］有以下几种：一是二线制单臂电桥法，电桥的输出电压反映了温度的变化，但是，由于热电阻自身阻值较小，当引线较长时，引线电阻引起的误差就不能忽略。二是三线制单臂电桥法，虽然能够解决引线电阻引起的误差，但测量范围窄。三是四线制单臂电桥法，可以无需考虑热电阻的非线性造成的测量误差，并利用恒流源在热电阻上产生的压降反映温度，但是一般测温现场难以满足四线制的要求。四是热电阻阻值电流转换法，将热电阻阻值转换成相应的电流，以利于信号的传输，然而，对于精确的温度测量仍然存在引线电阻引起的

3、误差，且性价比低。为此，提出了一种热电阻阻值测量的新方法，并以AT89C51单片机［２］［３］为主机，配以较少的电阻，电容等元件组成测量系统，实践证明方法准确、有效。2测量原理［４］   测量电路如图1，其中Rt为待测的热电阻阻值，Rl为引线的等效电阻，Rc为标准精密电阻，Rd为电容放电电阻。测量原理如下：   第一步，P1.0、P1.1、P1.3为输入状态，P1.2为输出状态，输出的高电平V１通过Rl、Rt、Rl对电容C充电，则电容C上的电压Uc(t)，按下式变化，即   经历Tt过渡时间，Uc(t)达到P1.3的输入高

4、电平阀值电压V2，P1.3的输入状态由低电平过渡为高电平状态，且过渡时间Tt可由(1)式求得，即 ?将P1.3置为低电平状态，电容C通过Rd放电。   第二步，P1.0、P1.2、P1.3为输入状态，P1.1为输出状态，输出的高电平V1通过Rc、Rl、Rl对电容C充电，经历Tc过渡时间，Uc(t)达到P1.3的输入高电平阀值电压V2，P1，3的输入状态由低电平过渡为高电平状态，且过渡时间Tc可由(3)式求得，即   将P1.3置为低电平状态，电容C通过Rd放电。? 第三步，P1.1、P1.2、P1.3为输入状态，P1.0为

5、输出状态，输出的高电平V1通过Rl、Rl对电容C充电，经历T1过渡时间，Uc(t)达到P1.3的输入高电平阀值电压V2，P1.3的输入状态由低电平过渡为高电平状态，且过渡时间T1可由(4)式求得，即   将P1.3置为低电平状态，电容C通过Rd放电。   将(2)式除以(4)式得   因为Rc为已知，只要测量出Tt、Tc、Tl便可由（7）式计算出被测热电阻Rt的阻值，单片机程序在通过计算或查表的方法，将热电阻的阻值转换成相应的温度值，当Rc选精密电阻，并且单片机时间测量精度高时，使用该测量方法可达到较高的测量精度。3测量原

6、理的改进   上述原理分析中，单片机输出的高电平V1和输入高电平的阀值电压V2，在三个步骤中的变化将影响测量精度，为此测量电路进行如图2的改进。   其中CD4502为CMOS模拟开关，它的导通电阻、切换速度与其供电电压有关，但对同一芯片，具有同一性，可设模拟开关的导通电阻为Ron，这样使每一步对电容充电的电压，相一致为Vcc用放大器OP-07实现比较器，比较器的正输入端反映电容的充电电压，负输入端接标准稳压电源LM385-2.5，使输入高电平的阀值电压稳定在Vd，通过以上措施克服了原有测量电路的不足，具体测量原理如下： 

7、  第一步，P1.4置为“l”状态，并使P1.2、P1.3均为“1”状态，则CD4502的Y-Y3接通，对电容放电，放电完成后，比较器的“+”输入端电压将低于“-”输入端电压，比较器发生翻转，P1.5为低电平，将P1.2、P1.3均为“0”状态，则CD4502的X-X0接通，电压Vcc通过电阻Ron、Rl、Rl对电容充电，经历Tl过渡时间，Uc（t）达到比较器的翻转电压，且过渡时间T?l可由(8)式求得，即(8)   将P1.2、P1.3均为“1”状态，CD4502的Y-Y3接通，对电容放电。   第二步，P1.2、P1.

8、3分别设为“0”、“1”状态，则CD4502的X-X1接通，电压Vcc，通过电阻Ron、Rc、Rl、Rl对电容充电，经历Tc过渡时间，Uc（t）达到比较器的翻转电压，且过渡时间T?c可由(9)式求得，即   将P1.2、P1.3均为“l”状态，CD4502的Y-Y3接通，对电容放电。   第三步，P1.